CN114337304B 控制芯片及其内置mos管驱动速度控制方法 （苏州源特半导体科技有限公司）

金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20本发明公开了一种控制芯片及其内置MOS管制可编程电流输入引脚的电流来控制内置MOS管2过控制所述可编程电流输入引脚的电流来控制内置MOS管的开通和关断速度；可编程驱动电流和可编程关断驱动电流增加，可控驱动电路控制内置功率MOS管的开通和关断速度加MOS管的源极和地之间串联电流采样电阻；差分放大器的负输入端接收反映外部反激变换号进行比较而产生内置MOS管的关断时序；RS触发器接收频率控制电路提供的开通时序和2.根据权利要求1所述的控制芯片的内置MO3.根据权利要求1所述的控制芯片的内置M分离的MOS管晶粒和控制电路的晶粒合封在述MOS管NM0的漏极连接控制芯片的MOS管漏极引脚，所述MOS管NM0的源极连接所述比例放器的负输入端接地；所述电流采样电阻连接在所述比例放大器的正输入端和负输入端之3管PM0的栅极与所述迟滞比较器的高位正输入端口和基准电压VH连接；所述MOS管PM0的漏6.根据权利要求4或5所述的控制芯片，其特征7.根据权利要求4或5所述的控制芯片，其特征在于，所述可控驱动电路包括MOS管所述可控驱动电路的第二端口连接；所述MOS管NM11的漏极分别与所述MOS管PM11的漏极、管PM15的源极与所述可控驱动电路的第六端口连接；所述MOS管NM11的源极、所述MOS管MOS管PM14的源极分别与所述可控驱动电路的第五端口4色工艺，由最初仅包含双极晶体管的第一代Biporlar工艺，发展为具有更高集成度的绝缘熟悉的芯片，即使在各种先进半导体工艺成熟发展的今天，这些芯片也被广泛应用在各个领域的电源设计中。第二代CMOS工艺以高集成度为特点，基于此工艺的电源芯片自然具有两代工艺相比，具有显著的优势，最基本的优势就是电路设计者可以在高精度模拟的双极保持相同耐压下电阻率下降明显，使得将高压功率器件及低压信号处理电路和外围接口、推出了LM5181系列产品。PSA分别是反激变压器的原边绕通过NS传递到反激变换器输出端VOUT。可以不断地调节目标输出电压VOUT到达稳定值。误差放大器EA的输出电压VC称为脉宽调制5与PSR反馈方式中差分放大器EA相同的作用，只是分压电阻RFB1和RFB2在隔离反激变换器的[0006]本发明的目的是提供一种控制芯片及其内置MOS管驱动速度控制方法，可以解决现有技术中不能自适应反激式变换器分别在高输入电压和低输入电压下对MOS管关断速度的要求不同的问题，还可以解决现有技术中研发人员不能根据实际需求来调试内部MOS管6可编程开通驱动电流和可编程关断驱动电流增加，可控驱动电路控制内置功率MOS管的开正输入信号，与比例放大器采样到的电流采样电阻两端的电压信号进行比较而产生内置的单芯片集成方式，或指分离的MOS管晶粒和控制电路的晶粒合封在一起的多芯片封装方[0011]第二方面，本发明提供一种用于实现上述内置MOS管驱动速度控制方法的控制芯负输入端连接控制芯片的输出电压反馈引脚，所述差分放大器的正输入端输入基准电压述MOS管PM0的栅极与所述迟滞比较器7NM2的栅极连接所述可编程驱动电流产生电路的第一端口；所述MOS管NM2的漏极分别与所NM5的漏极与所述可编程驱动电流产生电路的第三端口述MOS管NM11的栅极和所述MOS管PM11的栅极与所述可控驱动电路的第二端口连接；所述述可控驱动电路的第一端口连接；所述MOS管PM15的源极与所述可控驱动电路的第六端口OUT名端连接接控制芯片的MOS管漏极引脚；所述钳位吸收电路连接在所述变压器原边绕组的同名端和异名端之间；所述变压器辅助绕组的同名端连接所述电阻RFB2的一端，所述电阻RFB2的另一端和所述电阻RFB1的一端连接控制芯片的输出电压反馈引脚；所述电阻RFB1的另极管DOUT的负极和所述变压器副边绕组的OUTFB18述变压器辅助绕组的同名端连接所述电阻RFB2的一端，所述电阻RFB2的另一端和所述电阻了反激变换器中的变压器在MOS管漏极产生的尖峰电压和输出二极管的电压应力，减低其设置可编程电流输入引脚，所述可编程电流输入引脚通过电阻连接反激变换器的输入电9[0033]所述内置MOS管是指MOS管和控制芯片的控制电路集成在同一个晶圆上的单芯片[0034]为了更好地说明本发明的内置MOS管驱动速度控制方法，本实施例提供一种控制分别为可控驱动电路的电源输入负和电源输入正。控制芯片至少包括输出电压反馈引脚105和可控驱动电路的第五端口205连接供电电压VCC，可编程驱动电流产生电路的第二端[0036]图4所示的控制芯片的工作原理为：差分放大器EA的负输入端通过输出电压反馈引脚FB接收能够反映反激变换器输出电压VOUT的信号，与其正输入端的基准电压Vref进行差分放大而产生脉宽调制电压VC。脉宽调制电压Vc作为频率控制电路的输入信号以便根据反激变换器负载情况调节工作频率，脉宽调制电压Vc同时还作为比较器的正输入信号，与比例放大器从电流采样电阻Rsense采样到的电压信号进行比较而产生NMO关断时序。RS触发器接收频率控制电路提供的开通时序和比较器产生的NMO关断时序，在它们的共同作用下产是电源输入正和电源输入负。可控驱动电路200的端口201和端口206分别接收来自可编程[0037]图4是包括本实施例控制芯片的反激变换器电路图，除了包括本实施例的控制芯inOUTOUTFB1和电阻RFB2绕组NA的同名端连接电阻RFB2的一端，电阻RFB2的另一端和电阻RFB1的一端连接控制芯片的接在二极管DOUT的负极和变压器副边绕组更低的内阻而提高变换器的总效率；当反激变换器在低压输入时，由于NM0开关速度的增栅极连接可编程驱动电流产生电路的第一端口101；MOS管NM2的漏极分别与MOS管NM3的漏漏极与可编程驱动电流产生电路的第三端口103[0046]其中VTHN是N沟道MOS管的阈值电压提供的电流为零，那么功率管以最小开关速[0047]进一步的，本实施例的可控驱动电路200具体实施电路如图6所示，包括N型沟道MOS管NM11、N型沟道MOS管NM12、N型沟道MOS管NM13、N型沟道MOS管NM14、N型沟道MOS管PM12的源极、MOS管PM13的源极、MOS管PM14的源极分别与可控驱动电路的第五端口205连和MOS管PM15变为导通状态，那么从端口204输出电流是驱动电阻R3的电流与端口206接收和MOS管PM15的栅极由低电平转为高电平，MOS管NM14和MOS管NM15变为导通状态，MOS管PM14和MOS管PM15变为截止状态，那么从端口204抽取的电流是驱动电阻R2的电流与端口MOS管PM0的漏极与可编程驱动电流产生电路100的第一端口101连接；迟滞比较器300的低[0052]反激变换器的输入电压VIN经过控制芯片的外围电阻Rin和电阻RUVP分压后连接芯发明提出的通过改变电阻Rin的大小来改变功率MOS管NM0开关速度的目的，VRIN大于基准电MOS管驱动速度可编程和自适应的功能仅仅通过一个芯片引脚同时实现，并且两种功能的路增加了电阻RUNP，电阻RUVP的第一端口与控制芯片的可编程电流输入引脚RI