CN114386347B 一种场效应晶体管的建模方法 （苏州华太电子技术股份有限公司）_第1页
CN114386347B 一种场效应晶体管的建模方法 （苏州华太电子技术股份有限公司）_第2页
CN114386347B 一种场效应晶体管的建模方法 （苏州华太电子技术股份有限公司）_第3页
CN114386347B 一种场效应晶体管的建模方法 （苏州华太电子技术股份有限公司）_第4页
CN114386347B 一种场效应晶体管的建模方法 （苏州华太电子技术股份有限公司）_第5页
已阅读5页，还剩27页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

本申请公开了一种场效应晶体管的建模方过对端口电压进行路径积分，得到非线性电流查找表的方式储存或使用神经网络训练得到神NQS的物理机理一致，保证了小信号模型和大信230)0)0)式(III)是通过对式(II)等式两端的Vgs_8.根据权利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述场效应晶体管包括MOSFET、4容量和低时延是5G通讯的核心，而高频率高功率放大器则是实现这两大目标的关键之一。工业界中得到了广泛的应用，比如是德科技(Keysight)开发出的RootModel、NeuroFET、对于高频场效应晶体管的NQS效应(非准静态效应，也即栅极电压对沟道电流的控制有时[0004]前述的现有模型可以归类为与工艺无关的模型(Technologyindependent实际的商业化环境中并没有得到大规模的推[0008]构建场效应晶体管小信号本征部分等效电路，该小信号本征部分等效电路的Y参5ds为漏源电容；gg60)0)0)[0030]在一些实施方式中，所述场效应晶体管的大信号模型的小信号表现由式(III)决[0038](4)基于本申请实施例所构建模型的特点，能够大规模地得到从Tcad工艺仿真得7[0043]图3为本申请一实施例中测试获得的脉冲沟道电流(圆圈)与模型仿真的脉冲沟道[0048]图8为本申请一实施例中大信号模型仿真出的栅源电容(线)与测试提取的栅源电[0049]图9为本申请一实施例中大信号模型仿真出的栅漏电容(线)与测试提取的栅漏电[0050]图10为本申请一实施例中大信号模型仿真出的漏源电容(线)与测试提取的漏源[0051]图11为本申请一实施例中大信号模型仿真出的跨容(线)与测试提取的跨容(圆NeuroFET等已经覆盖了第一代半导体到第三代半导体，如MOSFET,LDMOS,GaASpHEMT以及且高阶源的电荷守恒性以及仿真收敛性也会是重大挑析，从物理机理层面给出了一套解决方案，而且该方案可以很容易集成在现有的Root[0054]请参阅图1，首先构建场效应晶体管(FET)的小信号本征部分等效电路(以下简称8ds为漏源电容。[0057]该小信号等效电路中和电流源相关的项为gm和gds，NQS效应给栅极的电压控制带m[0062]业界惯用泰勒级数构建高阶电流源和电荷源来对NQS效应建模。但泰勒级数只能成，Qg为栅极电荷源，Qd为漏极电荷源，Ig为栅极电流源，Id则为漏极电流源(Id＝Id9合图2-2所示的NQS子电路完成对NQ[0084]本申请实施例基于NQS效应的物理机理，在Root模型中创造性地引入了NQS子电[0092]相比于其他经验模型(如METLDMOS等)，本申请实施例提供的建模方法有如下优[0093]相比于物理集约模型ASM(如氮化镓物理模型)等，本申请实施例提供的建模方法[0119]8.选取AB类放大器的偏置点提取出来的时延常数τ作为图2-2中NQS子电路的时延[0129]11.积分得到非线性电流源模型仿真的与测试提取出的栅漏电容Cgd的对比，图10为大信号模型仿真的与测试提取出

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 信息产业

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论