CN114464529B 一种半导体器件的制备方法 （绍兴同芯成集成电路有限公司）_第1页
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文档简介

载盘等固定支撑，提高了晶圆加工制备的便利2将所述晶圆转移至第一载盘，将所述晶圆和所述第一载盘之间的将所述晶圆和所述第一载盘之间的至少部分周边间隙采用第二聚酰对所述晶圆的外周缘与所述凹槽的内周壁间的至少部分间隙采用第一聚酰3[0014]对所述晶圆的外周缘与所述凹槽的内周壁间的至少部分间隙采用第一聚酰亚胺4[0024]在所述晶圆的正面制备具有预设图案的聚酰亚胺层，并制备预设排列层间介质[0027]根据本发明的一些实施例，所述聚酰亚胺层的至少部分镂空区域对应切割道位[0046]本发明中说明书中对方法流程的描述及本发明说明书附图中流程图的步骤并非5[0055]根据本发明实施例的半导体器件的制备方法，通过将晶圆10的正面110键合至载板20完成晶圆10背面120的减薄和背面120元件工艺，然后将晶圆10转移至载盘310中完成[0058]S320，对晶圆10的外周缘与凹槽的内周壁间的至少部分间隙采用第一聚酰亚胺6[0072]根据本发明的一些实施例，聚酰亚胺层101的至少部分镂空区域对应切割道S1位[0074]下面参照附图以一个具体的实施例详细描述根据本发明的半导体器件的制备方[0077]在将晶圆10键合至载板20前，在晶圆10和载板20之间设置黏[0083]S320，对晶圆10的外周缘与凹槽的内周壁间的至少部分间隙采用第一聚酰亚胺720完成晶圆10背面120的减薄和背面120元件工艺，然后将晶圆10转移至载盘310中完成高89

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