CN114499448B 基于倒装对位键合的扇出型滤波器封装结构及其制作方法 （厦门云天半导体科技有限公司）

基于倒装对位键合的扇出型滤波器封装结本发明公开了一种基于倒装对位键合的扇远离滤波器芯片的表面平齐并设置有重布线层和钝化层，钝化层设有容纳重布线层的第一通盖在滤波器芯片和围挡层的侧面和背面并使塑2所述滤波器芯片和所述围挡层的侧面和背面并使所述塑封层的表面与所述围挡层的表面2)提供载板晶圆，所述载板晶圆表面覆盖有粘合3)将所述滤波器芯片的所述凸点对位键合在所述载板晶圆的所述第二通孔上以在所4)在所述载板晶圆的粘合层上方制作塑封层，所述塑封层述钝化层的材料为干膜、玻璃或胶，所述钝化层和重布线层的表面平齐并且厚度均为5-述滤波器芯片的表面与所述围挡层的表面之间的距离为1述步骤2中在所述粘合层上方制作钝化层和重布线层具体包括：在所述粘合层上方制作所3进行平坦化处理以裸露出所述重布线层并使得所述钝化层与所述重布线层的述步骤2还包括：在所述围挡层上对应于所述滤波器芯片的谐振区的位置进行图案化处理10.根据权利要求1所述的基于倒装对位键合的扇出型滤波器封装结构，其特征在于：所述外接部为引出焊盘，所述步骤5中在裸露出的所述重布线层上方制作外接部，具体包11.根据权利要求1所述的基于倒装对位键合的扇出型滤波器封装结构，其特征在于：所述重布线层上方制作焊球以及在所述焊球周围4通信频段的增加而快速增长。滤波器在射频前端芯片中的应用范围十分广泛，双工器[0007]特别是针对CSP(ChipScalePackage)封装技术，现有的技术都是先采用覆晶的述滤波器芯片包括谐振区以及所述谐振区以外的非谐振区，所述非谐振区上设有芯片焊述重布线层在远离所述滤波器芯片的表面设5[0018]1)提供滤波器芯片，所述滤波器芯片包括谐振区以及所述谐振区以外的非谐振[0020]3)将所述滤波器芯片的所述凸点对位键合在所述载板晶圆的所述第二通孔上以[0022]5)移除所述粘合层和所述载板晶圆，并在裸露出的所述重布线层上方制作外接述粘合层上方制作所述重布线层，在所述粘合层上方涂覆覆盖所述重布线层的所述钝化[0028](1)本发明是采用扇出封装形式先在载板晶圆上形成重布线层，后将滤波器芯片[0029](2)本发明的基于倒装对位键合的扇出型滤波器封装结构采用重布线层和围挡层6[0030](3)本发明的基于倒装对位键合的扇出型滤波器封装结构利用凸点和钝化层形成[0031]图1为本发明的实施例一的基于倒装对位键合的扇出型滤波器封装结构的结构示[0032]图2a-2g为本发明的实施例一的基于倒装对位键合的扇出型滤波器封装结构的制[0033]图3为本发明的实施例二的基于倒装对位键合的扇出型滤波器封装结构的结构示[0036]参考图1，本申请的实施例提出了一种基于倒装对位键合的扇出型滤波器封装结凸点405的材料为金属柱或者锡球，因此滤波器芯片401的表面与围挡层404的表面之间的由于凸点405的高度与围挡层404的厚度不一样，因此存在高度差。所述围挡层404和凸点405上远离所述滤波器芯片401的表面设置有重布线层302和钝化层301，所述钝化层301和7所述塑封层501覆盖在所述滤波器芯片401和所述围挡层404的侧面和背面并使所述塑封层粘合层201，粘合层201的材料为热发泡膜，在粘合层201上对应焊盘的位置设有重布线层行图案化处理形成裸露出重布线层302的第二通孔以及裸露出滤波器芯片的谐振区的第三层302和第二通孔的位置与滤波器芯片的芯片焊盘403相对应，在围挡层404上形成的第二[0043](4)参考图2e，将滤波器芯片401的凸点405对位键合在载板晶圆101的第二通孔层501的材料为塑封料或干膜，塑封层501覆盖滤波器芯片401和围挡层301的背面和侧面，塑封层501使滤波器芯片401完成塑封或压膜成型，并且能够保护滤波器芯片401表面不受采用加热方式促使粘合层201发泡以将载板晶圆101进行移除，移除后的塑封层501表面与8焊球601也可以制作在重布线层302上的任意位置实现扇出型封装，在滤波器芯片401背面通过塑封或压膜形成芯片背面约10-50um的塑封层501和扇出结构，保护滤波器芯片401的[0050]上述实施例仅用来进一步说明本发明的一种基于