CN114514599B 半导体制造装置、使用半导体制造装置的半导体装置的制造方法及半导体装置 （三菱电机株式会社）

2022.03.31PCT/JP2020/0368862020.09.29WO2021/070677JA2021.04.15JPH05326594A,1993.12.10存在型腔(52)中流动来的流动树脂的树脂积存(63)设置于隔着型腔(52)与配置有树脂注入浇口部(59)的一侧相反的一侧。树脂积存浇口部脂积存浇口部(65)的开口截面积比树脂注入浇2一个以上的密封材料积存部，所述一个以上的密封材料积存部配密封材料积存浇口部，所述密封材料积存浇口部将所述密封材料注入浇口部配置于比所述小芯片焊盘靠近所述大芯片所述密封材料积存浇口部及所述密封材料积存部设置于所述下模具及所述上模具中第二部，所述第二部相对于所述第一部位于所述密封材料积存所述半导体制造装置包括从所述第一部朝向所述第二部倾斜所述密封材料积存浇口部配置于所述另一方侧的最靠近所述密封材料注入浇口部的所述密封材料积存浇口部配置于所述另一方侧的从最靠近所述密封材料注入浇口部所述密封材料积存部包括第一密封材料积存部和第二密封材第一密封材料积存浇口部，所述第一密封材料积存浇第二密封材料积存浇口部，所述第二密封材料积存浇所述密封材料积存浇口部在与所述第一方向交叉的方向上将所述型腔与所述密封材3所述密封材料积存浇口部将所述型腔与一个所述密封材料积存部一个所述密封材料积存部与其他所述密封材料积存部之间通过密封材料积存部间浇准备模塑模具的工序，所述模塑模具包括下模具将搭载有所述半导体元件的所述引线框架配置在所述模塑模具准备所述模塑模具的工序具备准备如下的所述模塑模向所述型腔内注入所述密封材料的工序具备注入所述密封材料直到填充于所述型腔将流入所述密封材料积存部的密封材料的部分从填充于所述型腔内的所述密封材料将位于所述密封材料注入浇口部的所述密封材料的部分从填充于所述型腔内的所述准备所述引线框架的工序包括准备如下的所述引线框架的片焊盘及成为引线端子的部分且所述芯片焊盘的高度位置与成为所述引线端子的部分的在所述引线框架搭载所述半导体元件的工序包括将所述半导体元件搭载于所述大芯将所述引线框架配置在所述模塑模具内的工序包括如下的工序：以在构成所述型腔的所述下模具的部分之间形成在高度方向上具有第一距离的第一填充空间，并且在所述芯片焊盘与构成所述型腔的所述上模具的部分之间形成在所述高度方向上具4注入所述密封材料的工序包括将所述密封材料填充于所述第一填充空间和所述第二准备所述引线框架的工序包括准备如下的所述引线在配置于所述模塑模具内的状态下不覆盖所述密封材料积存部所小芯片焊盘，所述小芯片焊盘搭载有与所述一个半导体元件不同的其他半导体元件；所述第二密封材料痕迹的面积小于所述第一密封材料所述第一密封材料痕迹残留在比所述小芯片焊盘靠近所述大芯片所述第二密封材料痕迹残留于所述第二侧部中的与所述第一密封材料痕迹在所述第第一密封材料部分，所述第一密封材料部分覆盖在所述大芯第二密封材料部分，所述第二密封材料部分覆盖与在所述所述第二密封材料部分的厚度比所述第一密封材料部分的所述第二密封材料痕迹残留于所述第二侧部中的从与所述第一密封材料痕迹在所述5侧的密封材料的厚度比覆盖搭载有功率半导体元件的一侧的6载半导体元件。准备包括下模具及上模具并由下模具和所述上模具形成型腔的模塑模具。充于型腔内的密封材料向密封材料积存部流入[0028]图9是示出在该实施方式中模塑模具中的树脂注入浇口部的局部放大剖视立体7[0029]图10是示出在该实施方式中模塑模具中的树脂积存浇口部的第一局部放大剖视[0030]图11是示出在该实施方式中模塑模具中的树脂积存浇口部的第二局部放大剖视[0033]图14是示出在该实施方式中变形例的模塑模具中的树脂积存浇口部的局部放大[0044]图25是示出在该实施方式中变形例的半导体装置的制造方法的一个工序的俯视[0046]图27是示出在该实施方式中使用图26所示的模塑模具的半导体装置的制造方法[0048]图29是示出在该实施方式中使用图28所示的模塑模具的半导体装置的制造方法[0049]图30是示出在该实施方式中使用第三变形例的模塑模具的半导体装置的制造方[0050]图31是示出在该实施方式中第四变形例的模塑模具中的树脂积存浇口部的局部[0054]图35是示出在该实施方式中使用图34所示的模塑模具的半导体装置的制造方法[0055]图36是示出在该实施方式中使用图34所示的模塑模具制造的半导体装置的外观8[0058]图39是示出在该实施方式中使用图37所示的模塑模具的半导体装置的制造方法[0062]图43是示出在该实施方式中从图42所示的模塑模具取下的半导体装置的局部放[0067]图48是示出在该实施方式中将由模塑模具形成的半导体装置安装于电子电路基[0068]图49是示出在该实施方式中将由模塑模具形成的半导体装置安装于电子电路基[0070]图51是示出在该实施方式中使用图50所示的模塑模具的半导体装置的制造方法[0071]实施方式1.在作为功率半导体装置的半导体装置1中，在引线框架45上分别搭载有作为半导体元件的[0076]在模塑树脂33的表面残留有伴随将成为模塑树脂33的流动树脂注入到模塑模具内而产生的树脂痕迹34。在第一侧部33a具有作为第一密封材料痕迹的树脂注入痕迹34a。位于第二侧部中的与树脂注入痕迹34a在X轴方向上相向的位置。树脂积存痕迹34b的面积9[0080]将从大芯片焊盘9到第一主面33e的距离设为距离L1。将从大芯片焊盘9到第二主不在覆盖大芯片焊盘9的第一面的模塑树脂33的部分产生空隙，在模塑模具设置有树脂积[0081]在大芯片焊盘9上例如搭载有3个功率半导体元件21。3个功率半导体元件21分别[0084]小芯片焊盘15a的顶端17a的X坐标的值优选比引线台阶部7的终端部11a的X坐标线31的部分实施用于提高导线31的接合力的IC引线端子25以不从模塑树脂33突出的方式在模塑树脂33的表面露出的构造。在该情况[0091]另外，如图5所示，在对功率引线端子5施加比较低的电压的半导体装置1的情况树脂痕迹34，残留有树脂注入痕迹34a。作为由浇道引起的树脂痕迹34，残留有浇道痕迹型腔52a的模塑树脂经由浇道61向第二型腔流动树脂的一部分流入的树脂积存部63。在模塑模具51形成有将第二型腔52b与树脂积存[0099]树脂积存部63配置于隔着型腔52与配置有树脂注入浇口部59的一方侧在X轴方向[0100]如图9及图10所示，作为树脂积存浇口部65中的倾斜部67所处的部分的第二开口以从顶部67a朝向树脂积存部63下降的方式倾斜。作为树脂积存浇口部65中的即将流入树优选为300~500μm左右。模塑树脂即将流入树脂积存部63之前的树脂积存浇口部65的部分直径D比树脂积存浇口部65的Y方向的宽度W小例如30μm左右，以便在可动销69突出到即将与框架抵接之前的高度时使模塑树脂流动的情况成为最[0107]树脂积存浇口部65中的从倾斜部67的顶部67a到可动销69的中心的距离L18优先在可动销69不与倾斜部67重叠的距离内尽可能短。可动销69与专利文献1所记载的顶阀相[0109]与同树脂积存浇口部对应的宽度与半导体装置的宽度相[0113]在大芯片焊盘9及小芯片焊盘15的每一个上通过导电性粘接剂接合有功率半导体流入树脂积存部63并固化的模塑树脂99不[0129]从树脂注入浇口部59注入到第一型腔52a的流动树脂83经由浇道61向第二型腔流动的流动树脂83与在区域RC2中流动的流动树脂83合流。此时，空气容易卷入流动树脂[0131]相对于比较例的半导体装置的制造方法，在实施方式1的半导体装置的制造方法将从下模具53取下后的模塑树脂99从框架37和成为半导体装置的模塑树脂33取下的情况[0139]如图26所示，也可以应用树脂积存浇口部65例如配置于从浇道61的位置（Y轴方入的流动树脂83到达树脂积存浇口部65为止的时间变[0144]另一方面，也设想树脂积存部63的X轴方向的长度L11超过框架37的宽度的情的期间从区域85可靠地排除空隙。口部65设置有控制流动树脂流入树脂积存部6352a内的流动树脂83在浇道61中流动并向第二型腔52b内注入。为了使第一型腔52a中的流动树脂83的流动和第二型腔52b中的流动树脂83的流动成为大致相同的流动，优选树脂注在第二型腔52b中被密封的半导体装置1的表面的树脂积存痕迹34b的面积小于浇道痕迹[0160]为了确保利用上模具55和下模具53夹入引线框架45的区域（面积优选排气孔[0162]实施方式2.个树脂积存部的模塑模具的半导体制造装置等53例如形成有树脂积存部63a和树脂积存部63b作为树脂积存部63。形成有将第二型腔52b与树脂积存部63a连通的树脂积存浇口部65a。形成有将第二型腔52b与树脂积存部63b逐渐被填充到第二型腔52b。合流时，空气容易卷入流动树脂83，卷入的空气在不被压溃的情况下有时会在流动树脂83积存部63a流入或者欲经由树脂积存浇口部65b向树脂积存部的Y方向的长度受到限制而无法充分确保树脂积[0181]实施方式3.通的树脂积存浇口部65a。形成有将第二型腔52b与树脂积存部63b连通的树脂积存浇口部[0186]在树脂积存部63a中，将在X轴方向上配置突出部93a的树脂积存部63a的部分的Y[0187]在树脂积存部63b中，将在X轴方向上配置突出部93b的树脂积存部63b的部分的Y[0191]优选的是，树脂积存浇口部65a配置于从第二型腔52b中的沿X轴方向延伸的部分容易从下模具53脱落。将树脂积存浇口部65a及树脂积存浇口部65b各自的X轴方向的长度逐渐被填充到第二型腔52b。脂积存浇口部65a向树脂积存部63a流入或者欲经由树脂积存浇口部65b向树脂积存部63b树脂积存浇口部65的树脂积存部63的部分的[0217]在完成的半导体装置1中的、在第一型腔52a中被密封的半导体装置1的表面残留[0218]实施方式4.63并固化的模塑树脂用于安装的模塑模具的半中说明的半导体装置的制造方法同样地，形成搭载有功率半导体元件21等的引线框架45[0227]搭载有功率半导体元件等的半导体装置1的重量比安装于电子电路基板的以往的基板101形成有供模塑树脂99嵌入的开口部101a。在将半导体装置1配置于电子电路基板[0231]实施方式5.中说明的半导体装置的制造方法同样地，形成搭载有功率半导体元件21等的引线框架45计的容积相同的容积的1个树脂积存部的模塑模具的情况相比，依次填充于树脂积存部