CN114696768B 体声波共振器及其形成方法 （稳懋半导体股份有限公司）

US2006270090A1,2006.US2014225683A1,2014本发明实施例提供一种体声波共振器及其善体声波共振器的品质因数及/或机电耦合系2形成一开口在该晶种层中，且该开口暴露该底电极的刻蚀该压电层以形成一凹部，且该凹部在该3其中该基板具有在该基板上的一空腔，且该晶种层具有一开15.如权利要求14所述的体声波共振器，其特征在于，该开口介于该底电极的侧壁之4[0002]基于无线通信技术的最新发展，为了满足使用者对高频选择性(high-frequencywaveresonators，BAWR)。在体声波共振器中，由于薄膜体声波共振器(thinfilmbulk于各种应用中。器结构仍不是在所有方面都令人完全满意(例如，需要改善品质因数(qualityfactor))。5[0010]图1至图9为根据本发明实施例的体声波共振器在制造的各个阶段的例示性剖面6[0041]图1至图9为根据本发明实施例的体声波共振器在制造的各个阶段的例示性剖面[0044]在一些实施例中，第一牺牲层210及/或第二牺牲层220为(或包括)在后续工艺中arsenide，InGaAs)；四元化合物半导体，诸如磷化镓铟铝(aluminiumgalliumindium7动区域中用来封困(trapping)能量的框架由沉积工艺，支撑层230可顺应性地(conformally)形成在第一牺牲层210及牺牲结构221且保留支撑层230的另一部分在沟槽223中。前述支撑层230的另一部分可称为框架元件8上的层之间的失配(mismatch)被降低。在一些实施例中，晶种层300为(或包括)氮化铝2实施例中，底电极400为(或包括)诸如金属的导电材料。在一些实施例中，金属包括钛有垂直侧壁或渐缩侧壁的底电极400。在一些实施例中，底电极400直接在牺牲结构221上些实施例中，掺杂压电层500以提升压电层500的机电耦合系数(electromechanicalcouplingcoefficient)。用于晶种层300中的掺质可与用于压电层500中的掺质相同或不夹设(sandwiched)在顶电极600与底9称为由上至下(top-down)的刻蚀工艺。在一些实施例中，在移除牺牲结构221以形成空腔[0063]在一些实施例中，为了提升底电极400及顶电极600的导电性，导孔800绕过言，酸性刻蚀剂包括酸性化合物(acidiccompounds)的溶液，诸如氢氟酸(hydrofluoric酸(propionicacid)、丁酸(butanoicacid)、三氟乙酸(trifluoroaceticacid)、草酸(oxalicacid)、乳酸(lacticacid)、甲磺酸(methanesulfonicacid)、对甲苯磺酸(p-toluenesulfonicacid)、三氟甲磺酸(trifluoromethanesulfonicacid)、氟磺酸工艺为相同或不同。在一些实施例中，用于刻蚀晶种层300的刻蚀工艺为非等向性刻蚀工由空腔240刻蚀晶种层300以及经由导孔800刻蚀牺牲结构221以形成空腔240系在相同工艺底电极400投影到基板100的区域中。在一些实施例中，由框架元件311围绕并投影到基板架元件311围绕并投影到基板100上的区域是在投影至基板100上的体声波共振器10的主动为框架元件311及框架元件231由不同材料制成，所以包括在框架330中的第一部分及第二种层中的开口的体声波共振器作为在梯型滤波器中的串联共振器(seriesresonator)或分路共振器(shuntresonator)。借由使用具有在晶种层中的开口的体声波共振器作为在之外的延伸部，且导孔800设置于在底电极400及顶电极600之外的牺牲结构221的区域上。因此，经过导孔800的刻蚀剂不会损坏在主动区域中的底电极400及顶电极600。牺牲结构[0076]参照图11至图14，其为根据本发明的一些其他实施例的体声波共振器的剖面工艺可与用于刻蚀晶种层300的工艺及/或用于刻蚀牺牲结构221的工艺相同或不同。在一[0081]据此，前述凹部510及520可围绕体声波共振器的主动区域，且可用作空气边缘方的压电层500的一部分留在顶电极600的底表面下方，且压电层500的前述部分具有第三共振器的主动区域中的晶种层300。因此，可以在不让底电极与压电层的品质劣化的情况