CN114816330B 乘加运算装置及其乘加运算的控制方法 （旺宏电子股份有限公司）

2022.07.29号本发明公开了一种乘加运算装置以及其控特征信息与输入信息进行乘加运算来产生运算2一特征信息筛选器，记录多个特征信息的多个指定位，使所接个设定位与这些指定位进行比较以产生一比较结果，并依据该比较结果以产生一筛选地一存储器内运算器，耦接该特征信息筛选器，该存储器内其中，该特征信息筛选器判断该输入信息中的多个设一预充电电路，耦接至该匹配线，依据一启动信号以将该匹配一感测放大器及编码器，耦接该匹配线，在一感测期间使该一特征撷取器，针对一样本信息执行一数据撷取动作以获得这些3提供一特征信息筛选器以记录多个特征信息的多提供该特征信息筛选器以比较一输入信息中的多个设定位与这些指定位来产生一比其中，提供该特征信息筛选器以比较一输入信息中针对一样本信息执行一数据撷取动作以获得这些特征信息，并使指定位被写入至该特征信息筛选器，使这些特征信息的所有位被写入至该存储器内运算456包括特征信息筛选器110以及存储器内运算器120。特征信息筛选器110记录多个特征信息息的设定位DIN1与所存储的特征信息的指定位进行比较以产生比较结果，并依据比较结特征信息与输入信息的全部位DIN2进行乘加运算来产征信息筛选器110可使输入信息的设定位DIN1与特征信息的指定位先进行比较，以针对输产生筛选地址SADD，其中筛选地址为存储器内运算器120中存储与输入信息相关的特征信[0064]由上述说明不难得知，本发明实施例的乘加运算装置100可利用特征信息筛选器储器内运算器120提供部分的(与输入信息同源(homologous)的)特征信息以与输入信息的装置200包括特征信息筛选器210以及存储器内运算器220。在本实施例中特征信息筛选器210为一多态内容可寻址存储器(例如为双态内容可寻址存储器(BinaryContentAddress7Memory，简称BCAM)或三态内容可寻址存储器(TernaryContentAddressMemory，简称DIN1来提供搜寻信号至存储器阵列211。存储器阵列211用以存储多个特征信息的多个指存储器阵列211可以由快闪存储(Flashmemory)单元、电阻式存储(Resistiverandom-随机存取存储(MagneticRandomAccessMemory，简称MRAM)单元或铁电场效[0067]感测放大器及编码器214用以感测比较结果，并针对感测出的比较结果执行编码域技术人员所熟知的多态内容可寻址存储器的匹配线感测放大器(matchlinesense存储元件215可针对感测放大器及编码器214所产生的编码信息进行译码来获得筛选地址并通过闩锁器2241来暂存输入信息的全部位并使输入信息的全部位DIN2可以与被启动的字线对应的存储单元中所存储的数据来执行译码器以及存储元件215提供筛选地址SA家标准与技术机构(MixedNationalInstituteofStandardsandTechnology，简称8[0074]特征撷取器310并可使输出层311的节点所产生的特征信息中的最大有效位MSB被写入至特征信息筛选器320中，另使特征信息的最大有效位MSB至最小有效位(Least[0075]接着请参照图4，图4绘示本发明实施例的特征信息筛选器的实施方式的示意管FG2的控制端则接收搜寻信号SEL。其中，反向搜寻信号SELB与搜寻信号SEL互为反向信[0080]在感测期间中，当所要搜寻的数据为逻辑0时，可使搜寻信号SEL等于搜寻电压时晶体管FG1、FG2均不被导通。匹配线ML上的匹配电压可维持等于预充电压VM(如曲线逻辑0时，此时晶体管FG1可被导通，并使匹配线ML上的匹配电压被拉低为0电压(如曲线为逻辑1，此时晶体管FG1、FG2被不被导通，并使匹配线ML维持等于预充电压VM(如曲线[0082]值得注意的，感测放大器及编码器430可使匹配线ML上的匹配电压与参考电压9502则表示晶体管被写入数据1时的特性曲线。若针对晶体管的栅极施加等于电压V1(例如对晶体管的栅极施加等于电压V2(例如为1.5伏特)的搜寻电压VSR时，被导通的晶体管与[0084]以下请参照图4以及图5C，其中图5C绘示本发明实施例的特征信息筛选器的匹配通。匹配线ML上的匹配电压可被拉低至0电压(如曲线540)，并表示比较结果为相符合[0089]综上所述，本发明乘加运算装置可先特征信息筛选器先对输入信息进行筛选动