CN114830295B 基板处理方法和基板处理装置 （东京毅力科创株式会社）

2022.06.16PCT/JP2020/0458842020.12.09WO2021/131711JA2021.07.01JP2015144192A,2015.08.06JP2006135251A,2006.05.25JP2017084910A,2017.05.18JPH10125929A,1998.05.15合而成的重合基板中将形成于所述第二基板的板与所述器件层之间的激光吸收层脉冲状地照2述第二基板的表面的器件层转印于所述第一基板的基板处理方法，在所述基板处理方法从所述第二基板的背面侧对形成于所述第二基板与所述器件层之间的激光吸收层脉在处于所述外周部的径向内侧的中央部，在使所述重合在向所述激光吸收层照射所述激光时，从激光振荡器朝向光来自所述激光振荡器的激光的脉冲波形与照射于所述激光吸收层的激光的脉冲波形来自所述激光振荡器的激光的频率是所述光学元件能够控在向所述激光吸收层照射所述激光时，在衰减器中使来自所述激光振荡器的激光衰照射于所述激光吸收层的所述激光中的未被该激光吸收层吸收的所述激光被所述反被所述反射膜反射后的所述激光被所述激光8.一种基板处理装置，是在将第一基板与第二基板述第二基板的表面的器件层转印于所述第一基板的基板处理装置，所述基板处理装置具激光照射部，在所述保持部保持着所述第一基板的状态下二基板的背面侧对形成于所述第二基板与所述器件层之间的激光吸收层脉冲状地照射激3在处于所述外周部的径向内侧的中央部，在使所述重合来自所述激光振荡器的激光的脉冲波形与照射于所述激光吸收层的激光的脉冲波形来自所述激光振荡器的激光的频率是所述光学元件能够控所述激光照射部具有使来自所述激光振荡器的激光衰4[0002]在专利文献1中公开了一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法包[0007]本公开所涉及的技术在将第一基板与第二基板接合而成的重合基板中将形成于[0009]本公开的一个方式是一种在将第一基板与第二基板接合而成的重合基板中将形二基板的背面侧对形成于所述第二基板与所述器件层之间的激光吸收层脉冲状地照射激5[0022]图11是表示在其它实施方式中通过声光调制器来变更激光的频率的情形的说明[0023]图12是表示在其它实施方式中通过声光调制器来变更激光的频率的情形的说明[0035]图24是表示在其它实施方式中将形成于第二晶圆的表面的器件层转印于第一晶[0036]图25是表示在其它实施方式中将形成于第二晶圆的表面的器件层转印于第一晶[0037]图26是表示在其它实施方式中将形成于第二晶圆的表面的器件层转印于第一晶[0038]图27是表示在其它实施方式中将形成于第二晶圆的表面的器件层转印于第一晶[0039]图28是表示在其它实施方式中将形成于第二晶圆的表面的器件层转印于第一晶记载的方法中，通过向剥离氧化膜照射CO2激光来在剥离氧化膜与基板之间的边界产生剥62激光[0047]本公开所涉及的技术在将第一基板与第二基板接合而成的重合基板中将形成于的第一晶圆W1与作为第二基板的第二晶圆W2接合而成的作为重合基板的重合晶圆T进行处W1a上未形成器件层D1和表面膜F1的[0050]第二晶圆W2例如也是硅基板等半导体晶圆。在第二晶圆W2的表面W2a上，从表面7[0053]在搬送块20设置有晶圆搬送装置22，所述晶圆搬送装置22构成为在沿X轴方向延[0055]清洗装置32对在通过激光照射装置31分离出的第一晶圆W1的表面W1a上形成的激光吸收层P的表面进行清洗。例如使刷子与激光吸收层P的表面抵接来对该表面进行刷洗。W1b与第一晶圆W1的表面W1a侧一同进行清洗的结构。[0056]在以上的晶圆处理系统1设置有作为控制部的控制装置40。控制装置40例如是计可以是记录于计算机可读存储介质H中并从该存储介质H安装于控制装置[0058]如图4和图5所示，激光照射装置31具有通过上表面来保持重合晶圆T的作为保持保持背面W1b的一部分。在吸盘100设置有用于从下方支承重合晶圆T并使其进行升降的升8激光照射部110向重合晶圆T(激光吸收层P)照[0069]激光L的照射开始位置优选为处于第二晶圆W2的外周端Ea与重合晶圆T中的第一9不用施加大的负荷就能够从激光吸收层P剥离第二晶圆[0075]将剥离后的第二晶圆W2从搬送垫120交接到晶圆搬送装置22的搬送臂23，并搬送以通过搬送垫120使第二晶圆W2的正反面翻转并将其[0087]光学系统112具有使来自激光振荡器130的激光变向为不同的方向的声光调制器(AOM)131、以及使来自激光振荡器130的激光衰减来调整激光的输出的作为衰减器的衰减将激光吸收层P的径向外侧的激光L2的所需频率设为100kHz，将内侧的激光的所需频率设设为与激光L1的频率相同的100kHz。另外，激光L2的输出也成为与激光L1的输出相同的衰减器132中使激光L1的输出衰减20％来调整[0099]在以上的实施方式的激光照射部110中，声光调制器131设置于光学系统112的内以如图14所示那样将声光调制器131设置于激光头111的内部的激光振荡器130的下游侧的[0103]图15和图16所示的激光照射装置200是使吸盘100沿两个轴(X轴和Y轴)移动的装吸附并保持第一晶圆W1的背面W1b。在吸盘210设置有用于从下方支承重合晶圆T并使该重合晶圆T进行升降的升降销(未图示)。升降销穿过以贯通吸盘210的方式形成的贯通孔(未转机构213。旋转机构213例如内置有马达来作为驱动源。吸盘210构成为：通过旋转机构[0107]激光头221例如使用检流计。在激光头221的内部配置有多个检流计镜(未图示该处理位置是能够从激光照射部220向重合晶圆T(激光吸收层P着，使吸盘210以在Y轴方向上错开的方式移动，与上述同样地重复进行激光L的照射及扫脉冲状地照射激光L，因此能够在激光吸收层P与第二晶圆W2之间的边界适当地产生剥离。[0118]可以将以上的实施方式的螺旋状(或同心圆状)的激光L的照射与激光L的照射及[0123]在以上的实施方式的激光照射装置31中，也可以如图20所示那样在吸盘100的上100向铅垂上方延伸地设置的垂直部241、以及以直径随着从垂直部241去向上方而扩大的第二晶圆W2的侧面。在吸盘100的同心圆上的多个位置、例如三个位置处配置有保持构件[0130]此外，保持第二晶圆W2的保持构件的结构不限定于上述保持构件250的结构。例[0132]另外，以上的实施方式的晶圆处理系统1可以具有CMP设备(未图示)。在CMP装置面进行刷洗之后，对激光吸收层P的表面进行CMP处理来使激光吸收层P的表面平坦化。此二晶圆W2从激光吸收层P剥离，但例如可以如图24所示那样以在第二晶圆W2残留激光吸收所示那样使搬送垫120上升来从器件层D2剥离激光吸收器件层D2之间的边界适当地产生剥离。而且，残留于第二晶圆W2的激光吸收层P为氧化膜(SiO2膜)，例如在之后的半导体制造工艺中能够将该激光吸收层P用作在第二晶圆W2上制圆W2与器件层D2之间的激光吸收层P1形成于第二晶圆W2的内部。第二晶圆W2例如为SOI基所示那样使搬送垫120上升来从Si膜S剥离激P2的剥离位置来在第二晶圆W2与激光吸收层P2之间的[0156]对处理图28所示的重合晶圆T的情况进行说明。重合晶圆T是在Si-nMOS上层叠有二晶圆W2的表面W2a上，从第二晶圆W2侧起依序层叠地形成有由氧化膜(SiO2膜)形成的激[0162]在通过以上的实施方式进行处理的重合晶圆T中，也可以如图29所示那样在激光