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文档简介

半导体层的部分在基板上的正投影落入沟道区2S4，在所述层间绝缘层上制作源漏极金属层其中，所述栅极绝缘层的边缘分别与所述沟道区两侧的栅极对应所述氧化物半导体层的部分在所述基板上的正投影落入所述沟道区在所述基板半导体层未被所述栅极绝缘层覆盖的部分形成S212，对所述栅极绝缘膜和所述栅极金属膜进S213，对所述氧化物半导体层未被所述栅极绝缘层在所述氧化物半导体层和所述光刻胶的保留区上进行第一次层将所述光刻胶的保留区以及所述层间绝缘层覆盖所述保34区域的载流子受后续热制程影响容易向未导体化区域扩散，并扩散至栅极绝缘层的下方，的下方形成载流子扩散区域L1，导致载流子扩散区域L1与上方的栅极金属层106会形成寄所述栅极对应所述氧化物半导体层的部分在所述基板上的正投影落入所述沟道区在所述所述基板上的正投影与所述沟道区在所述基板上的正5有金属遮光层和缓冲层，所述金属遮光层位于所述缓冲层远离所述氧化物半导体层的一氧化物半导体层的沟道区和位于所述沟道区两侧的所述栅极对应所述氧化物半导体层的部分在所述基板上的正投影落入所述沟道区在所述6[0036]在所述氧化物半导体层和所述光刻胶的保留区上进行第728设置于所述源漏极金属层27远离所述基板2第一导体区2311的载流子受热向靠近所述沟道区232的方向扩散后形成的。由于所述栅极25在垂直所述基板20的方向上不与所述导体区231存在交叠，因此所述第一导体区2311的所述导体区231未被所述栅极绝缘层24覆盖的部分，且所述源漏极金属层27通过贯穿所述第一层间绝缘层261以及所述第二层间绝缘层262的过孔与所述导体区23823的部分与载流子扩散后形成的沟道区232相对应，从而使热制程中载流子的扩散不会影[0060]请参阅图3-图5以及图6A-图6M，本发明实施例还提供一[0063]其中，所述金属遮光层21的厚度为500A-2000A,所述金属遮光层21的材料可以1000A-5000A,且所述缓冲层22的材料可以是氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)中的至少一种。中，所述氧化物半导体层23的厚度为100A-1000,所述氧化物半导体层23的材料可以氧化物半导体层的沟道区和位于所述沟道区两侧的9上的正投影位于所述栅极绝缘层24在所述基板20上的正子向所述氧化物半导体层23对应所述栅极绝缘层24的部分23a扩散，形成与所述第一导体[0081]其中，所述第一层间绝缘层261的厚度为500A-1000A,且所述第一层间绝缘层以及所述第二导体区2312的载流子向靠近所述氧化物半导体层23对应所述栅极25的部分[0088]其中，所述第二层间绝缘层262的厚度为2000A-10000A,且所述第二层间绝缘属层27包括源极271和漏极272，所述源极271和所述漏极272分别通过对应的所述过孔1与与栅极相对应的沟道区。相较于传统结构中氧化物半导体层的载流子扩散至栅极的下方，实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；

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