CN114945648B 抛光组合物及其使用方法 （富士胶片电子材料美国有限公司）

2022.07.14PCT/US2021/0170492021.02.08WO2021/162978EN2021.08.19US2010096584A1,2010.04.22US2016107286A1,2016.04.212阻挡膜移除速率增强剂，其中，所述阻挡膜移除速率增强剂的含量为所述组合物的5.如权利要求1所述的抛光组合物，其中，3含量为所述组合物的1重量%至40重量%含量为所述组合物的0.1重量%至8重量%的所述pH含量为所述组合物的0.001重量%至3重量%的所述阻挡膜移除速率含量为所述组合物的0.005重量%至4重量%的所述低k移除速率含量为所述组合物的0.005重量%至0.6重量%的所述施加如权利要求1至14中任一项所述的抛光组合物至基材的表面，其中所述表面包含4[0002]本申请主张2020年2月13日申请的美国临时申请第62/975,829号的优先权，其内层以将非传导/绝缘体介电材料与该铜传导材料隔离的钽(Ta)/氮化钽(TaN)的使用。铜率会持续呈指数级恶化，而且晶体管电路速度(于前段制程(FEOL))的改善会被来自传导5及AlMgB14[0012]许多目前可用的CMP浆料经特定设计来移除较普遍在旧型芯片中的材料，诸如前的效能有负面影响。旧型CMP浆料可能无法在未对铜造成危害性及不可接受的缺陷下有效[0013]随着在半导体制造中多组分整合方案的用途增加及尺寸缩小，存在对CMP浆料的括约0.001重量％至约1重量％的螯合剂及/或约0.001重量％至约5重量％的氧本发明内容提供一种用于含钌基材的使用点(POU)抛光组合物，其包含上述抛光组合物、0.001重量％至约5重量％的氧化剂、以及约80重量％至约99重量％的溶剂(例如，去离子6[0017]在一个或更多个实施例中，浓缩抛光组合物可包括约1重量％至约50重量％的磨该抛光组合物可进一步包括约0.01重量％至约1重量％的螯合剂及/或约0.01重量％至约5[0018]在一个或更多个实施例中，本文所述的抛光组合物可包括至少一种(例如两种或[0019]在一些实施例中，该至少一种磨料的[0020]在一个或更多个实施例中，本文所述的抛光组合物可包括至少一种(例如两种或[0021]在一些实施例中，该至少一种pH调整剂的含量为本文所述抛光组合物的至少约7[0023]在一个或更多个实施例，本文所述的抛光组合物可包括至少一种(例如两种或三物中被用来作为有效的阻挡膜移除速率增强剂以在半导体基材中改良阻挡膜(例如Ta或[0025]在一个或更多个实施例中，本文所述的抛光组合物可包括至少一种(例如两种或中被用来作为低k移除速率抑制剂，以在半导体基材中降低或最小化低k膜(例如掺碳硅氧[0026]在一些实施例中，该低k速率抑制剂的含量为本文所述抛光组合物的至少约[0027]在一个或更多个实施例中，本文所述的抛光组合物可包括至少一种(例如两种或8腐蚀抑制剂(诸如以上所述者)可显著地减少或最小化半导体基材中的[0028]在一些实施例中，该含唑腐蚀抑制剂的含量为本文所述抛光组合物的至少约[0029]在一个或更多个实施例中，本文所述的抛光组合物可包括至少一种(例如两种或[0031]在一个或更多个实施例中，本文所述的抛光组合物可任选地包括至少一种(例如[0032]在一些实施例中，该螯合9[0037]在一些实施例中，该辅助溶剂的含量为本文所述抛光组合物的至少约0.0025重本文所述的抛光组合物可完全不含一种或更多种以上[0039]本发明内容还预期一种使用任何上述抛光组合物(例如浓缩物或POU浆料)的方本发明内容的抛光组合物施加至基材的表面上具有至少钌及/或硬掩膜材料的基材(例如300A/min、或小于约200A/min.或小于约150A/min、或小于约125AImin.或小于约100A/min.或小于约90AImin.或小于约或小于约在一个或更多蚀刻速率(SER)小于约10AImin或小于约8A/min、或小于约6A/min或小于约5A/min或小于约4A/min或小于约3.5A/min、或小于约2A/min.或小于约2.5A/min。在一个或更多个实施例中，钌移除速率为至少约3A/min.或至少约5A/min或至少约15A/min、或至少约25A/min、或至少约35A/min、或至少约以及100至400mL/min的浆料流动速率在200mm晶圆上执行[0046