CN114975318B 一种内嵌微流道的三维集成硅基惯性微系统及其制造方法 （北京航天控制仪器研究所）

一种内嵌微流道的三维集成硅基惯性微系本申请涉及一种内嵌微流道的三维集成硅向第三无源转接板的表面电连接有第一有源芯散热系统包括开设于第一无源转接板表面的两2第二无源转接板(20)朝向第三无源转接板(30)的表面电三无源转接板(30)朝向第二无源转接板(20)的表面开设有用于容置第一有源芯片(40)的第一无源转接板(10)设置有第一散热系统(12)，第二无源第一散热系统(12)包括开设于第一无源转接板(10)朝向第二无源转接板(20)表面的述第一无源转接板(10)正对第二无源转接板(20)的表面开设有第一凹槽结构(121)，第一一凹槽结构(121)和第二凹槽结构(221)形成连通第一底部凹槽(122)和第二底部凹槽4.根据权利要求3任一所述的一种内嵌微流道的三维集成硅基惯性微系统，其特征在述第二散热系统(22)还包括开设于第二无源转接板(20)上的第二入口(222)和第二出口第三散热系统(32)包括开设于第三无源转接板(30)的第三入口(321)和第三出口第四散热系统(52)包括开设于第四无源转接板(50)的第四入口(521)和第四出口述第二无源转接板(20)朝向第一转接板的表面开设有两个与第一底部凹槽(122)和第二底3层开设有与第二散热系统(22)和第三散热系统(或者无源转接隔层包括从下向上依次设置且电S1:在第一无源转接板(10)上形成第一互连系统(11)和第一散热系统(12)，第二无源S2：将第一无源转接板(10)、第二无源转接板(20)4[0003]本发明的目的在于提供一种内嵌微流道的三维集成硅基惯性微系统及其制造方[0005]一种内嵌微流道的三维集成硅基惯性微系统，包括依次电连接的第一无源转接5[0014]所述第二无源转接板朝向第一转接板的表面开设有两个与底部凹槽一一正对的间无源转接层包括第二无源转接板指向第三无源转接板方向上依次设置且电连接的无源[0017]所述第一无源转接板设置有第一互连系统，第二无源转接板设置有第二互连系6[0023]所述第四互连系统包括设置于第一有源芯片上的第四凸点结构、第四底填材两侧均设置第五键合焊盘。第五重布线层位于第四无源转接板背离第三无源转接板的一[0028]所述第六互连系统包括设置于第二有源芯片上的第六凸点结构、第六底填材[0036]所述第四凸点结构和第六凸点结构可选的凸点材料包括SnBi、SnPb中的至少一[0037]第二方面，本申请提供一种内嵌微流道的三维集成硅基[0039]S1:在第一无源转接板上形成第一互连系统和第一散热系统，第二无源转接板上形成第二互连系统和第二散热系统，第三无源转接板上形成第三互连系统和第三散热系7[0042](1)该内嵌微流道的三维集成硅基惯性微系统实现了有源芯片下的无源转接板同[0043](2)该内嵌微流道的三维集成硅基惯性微系统将有源芯片的热量通过无源转接板[0044](3)该微流道散热系统工艺与硅基惯性微系统三维集成工艺适配，无需引入新设8[0064]本发明的核心思想在于提供一种内嵌微流道的三维集成硅基惯性微系统及其制选择的且位于底无源转接层和顶无源转接层之间的中间无源转接层。在第一无源转接板[0067]如图2-8所示，第二无源转接板20朝向第三无源转接板30的表面电连接有第一有[0069]如图2所示，第一散热系统12包括开设于第一无源转接板10朝向第二无源转接板20表面的两个互不不连通的第一底部凹槽122和第二底部凹槽123，第一底部凹槽122和第二底部凹槽123之间设置有连通第一底部凹槽122和第二底部凹槽123的第一凹槽结构121，第一凹槽结构121开设于第一无源转接板10正对第二无源转接板20的表面，第一凹槽结构[0070]如图3和图4所示，第二散热系统22包括开设于第二无源转接板20上的第二入口9[0076]如图3和图4所示，第二互连系统包括设置于第二无源转接板20上的第二TSV结构板10的两侧均设置第二键合焊盘213。第二无源转接板20背离第一无源转接板10的一侧设[0078]如图6所示，第四互连系统41包括设置于第一有源芯片40上的第四凸点结构411、第四底填材料412。第四凸点结构411位于第一有源芯片40朝向第二无源转接板20的一侧，第一有源芯片40与第二重布线层214电连接。第四凸点结构411与第二重布线层214之间填第五键合焊盘513。第五重布线层514位于第四无源转接板50背离第三无源转接板30的一[0080]如图8所示，第六互连系统61包括设置于第二有源芯片60上的第六凸点结构611、[0084]S1:在第一无源转接板10上形成第一互连系统11和第一散热系统12，第二无源转接，将第三无源转接板30与第四无源转接板50通过第三互连系统与第五互连系统电连接，的两面覆盖第三绝缘层312后，在第三无源转接板30的第一面与第二面制备第三键合焊盘焊盘313与第二键合焊盘213电连接，使第三无源转接板30的散热流体通路入口321与第二50上制备第五TSV结构511并填充导电材料，在第四无源转接板50的两面覆盖第五绝缘层转接板50的第一面与第三无源转接板30的第二面相对键合，使第五键合焊盘513与第三键合焊盘313电连接，使第四入口521与第三无源转接板30的第三入口321连接，使第四出口施例中有缘芯片采用MEMS加速度计芯片，将第二有源芯片60放置于第四无源转接板50上，[0090]上述实施例对内嵌微流道的三维集成硅基