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文档简介

缺的细分龙头,技术卡位与业绩增长确定性突出,我们给予其202622PS45.73-A"评级。风险提示:行业周期波动;下游扩产不及预期;技术迭代风险;地缘政治风险;测算及假设不及预期风险。(百万元)2024A2025A2026E2027E2028E主营收入4,6335,0766,1447,5309,320净利润5416718391,1431,535每股收益(元)0.180.230.280.390.52市盈率(倍)205.3165.5132.497.272.3市净率(倍)18.812.511.710.48.8净利润率11.713.213.715.216.5净资产收益率9.17.58.910.712.1资讯,国投证券证券研究所预测内容目录公司:国产半导体前道设备领军企业 5屹唐股份:并购筑基+国产替代,成就前道设备细分领域龙头 5业务结构:聚焦三大专用设备,国内外协同发展 6国资赋能+子公司助力,募资重点投向扩产与研发 8干法去胶设备:25年市占率33.7,供应链本土化驱动盈利增长 11快速热处理设备:全球第二,高端市场进口替代先锋 15干法刻蚀设备:量价齐升,成长动能强劲 19备品备件:高毛利配套服务,增强客户粘性 22利预测及投资建议 23盈利预测 23投资建议 24风险提示 24图表目录图1.公司营业收入及增速 5图2.公司归母净利润及增速 5图3.公司发展大事记 5图4.公司分类型产品收入占比 6图5.公司分类型产品毛利率 6图6.集成电路前道工艺流程及公司主要设备 7图7.逻辑、闪存、DRAM为专用设备主要销售领域 7图8.19-24年公司各产品产品收入及增速 7图9.公司专用设备产品收入占比 7图10.公司专用设备产品毛利率 7图11.公司分地区收入占比 8图12.境内专用设备生产能力显著提升 8图13.公司分渠道收入占比 8图14.公司分渠道营业收入及增速 8图15.公司股权结构(截至2026年一季报) 9图16.公司子公司、分公司和参股公司情况 10图17.2018-2024年全资子公司MTI合并净利润 10图18.北京屹唐半导体总部园区 10图19.集成电路前导芯片制造工艺去胶流程示意图 11图20.干法去胶vs湿法去胶工艺 11图21.公司干法去胶设备营业收入及增速 12图22.公司干法去胶设备产销量 12图23.公司干法去胶设备单位售价 12图24.公司干法去胶设备毛利率 12图25.公司部分干法去胶设备零部件供应链情况 12图26.公司原材料采购自境外供应商比重 12图27.全球干法去胶设备市场规模 14图28.公司干法去胶设备全球市占率 14图29.2023年全球干法去胶设备市场竞争格局 15图30.集成电路前道芯片制造工艺热处理流程示意图 16图31.热处理设备分类 16图32.公司快速热处理设备营业收入及增速 16图33.公司快速热处理设备产销量 16图34.公司快速热处理设备单位售价 17图35.公司快速热处理设备毛利率 17图36.2019-2028E全球热处理设备市场规模 18图37.全球热处理市场按工艺功能分类 18图38.2025年全球快速热处理设备竞争格局 18图39.公司快速热处理设备全球市占率 18图40.刻蚀工艺饼干刨面图 19图41.湿法刻蚀vs干法刻蚀工艺 19图42.公司干法刻蚀设备营业收入及增速 19图43.公司干法刻蚀设备产量及增速 19图44.公司干法刻蚀设备销量及售价 19图45.公司干法刻蚀设备毛利率 19图46.公司paradigmE®系列等离子体刻蚀设备 20图47.公司Hydrilis®XT高产能等离子体干法刻蚀设备 20图48.2019-2028E全球干法刻蚀设备市场规模 21图49.公司干法刻蚀设备全球市占率 21图50.2023年全球干法刻蚀设备竞争格局 22图51.公司备品备件业务收入及增速 23图52.公司备品备件业务毛利率 23表1:公司主要产品分类 6表2:员工持股平台及股权激励实施情况 9表3:公司募集资金运用与未来发展规划 11表4:自主研发的干法去胶设备技术及应用情况 13表5:干法去胶设备在研核心项目(截至24年12月31日) 13表6:部分海内外半导体干法去胶设备企业及技术对比 14表7:24年去胶设备国产化率超过80 15表8:自主研发的热处理技术及应用情况 17表9:快速热处理设备在研项目(截至24年12月31日) 17表10:自主研发的干法刻蚀设备技术及应用情况 20表11:干法刻蚀设备在研项目(截至24年12月31日) 21表12:公司备品备件业务产品类别 22表13:专用设备客户有采购备品需求(单位:万元) 23表14:公司收入拆分及预测 24表15:可比公司估值表(数据截至2026/07/09) 24公司:国产半导体前道设备领军企业屹唐股份:并购筑基+国产替代,成就前道设备细分领域龙头DRAM、3DCIS导体市场。2021-2025年公司营业收入CAGR4约11.9归母净利润CAGR4约38.7其中年受全球半导体行业周期性调整影响,境外晶圆厂资本开支缩减及部分国内客户扩产计划延迟,致公司收入、利润同比-17.5、-19.1。图1.公司营业收入及增速 图2.公司归母净利润及增速营业收入(亿元) YOY(右轴)60504030201002021 2022 2023 2024 2025

503010-10-30

归母净利润(亿元) 扣非净利润(亿元)8 净利同比(右轴) 扣非同比(右轴)76 3005 20043 1002 010 -1002021 2022 2023 2024 20252026Q1国投证券证券研究所 国投证券证券研究所屹唐股份的发展历程可划分为三个阶段:(2015-2016年20152016530去胶、快速热处理等核心技术,形成"本土运营+国际技术"双轮驱动模式。(2017-2020年20182020创板上市,迈入新发展阶段。市场突破(2021年至今:2021IPO202330.9+73.0未来将持续受益于集成电路第三次产业转移、中国半导体国产替代机遇。图3.公司发展大事记股说明书,国投证券证券研究所(的持续服务,有效拉动备品备件需求。表1:公司主要产品分类业务 2025收入(亿元)

25收入占比 说明专用设备及备品备件 49.64 97.79 集成电路制造前道工序设备干法去胶设备 收入基本保持稳定,市场占有率位居全球第二;24收入18.68亿元

主要用于去除半导体晶圆表面光刻胶/有机残留物快速热处理设备 14.81 主要用于对晶圆进行快速、精确的高温处理干法刻蚀设备 7.54 14.85 主要用于通过物理或化学方法精确去除特定材料,以形成集成电路所需的微观结构招股说明书,屹唐股份25年年报,国投证券证券研究所2025他收入占比分别为97.79。其中,专用设备及备品备件为核心业务,2020-2025年收入从22.46亿元增长至49.64亿元,CAGR5约17.2;受益于供应链本土化和高毛利产品占比增加,2020-2025年毛利率从32.09提升至37.97。图4.公司分类型产品收入占比 图5.公司分类型产品毛利率专用设及备备件 服务收入 专用设及备备件 服务收入

2020 2021 2022 2023 2024 2025

02020 2021 2022 2023 2024 2025招股说明书,国投证券证券研究所 招股说明书,国投证券证券研究所业务结构:聚焦三大专用设备,国内外协同发展公司构建"三大主力产品+全球化布局+直销主导"的业务体系,通过聚焦核心产品与"大陆扩张+海外深耕"的战略协同,形成产品、区域及渠道的多维竞争优势,夯实长期发展基础。◼分专用设备品类看:包括干法刻蚀设备、干法去胶设备及快速热处理设备(芯片制造(封装测试涉及快速热处理、光刻机、刻蚀机、离子注入机、薄膜沉积设备、CMP(RTP/退火)设备、干法刻蚀设备三大核心领域。图6.集成电路前道工艺流程及公司主要设备股说明书,国投证券证券研究所(注:红色部分为公司三类专用设备所属应用环节)下游主要应用于逻辑芯片、闪存芯片和DRAM芯片三大主流市场。受益于客户产能扩张及大陆市场布局,2021年起去胶和热处理设备收入快速增长。图7.逻辑、闪存、DRAM为专用设备主要销售领域 图8.19-24年公司各产品产品收入及增速400

三大领域销售数量(台)占专用设备总销量(右轴

干法刻蚀(亿元) 热处理(亿元)干法去胶(亿元) 100 热处理YOY(右轴) 去胶YOY(右轴)3002001000

20182019202020212022

806040200

25201510502019 2020 2021 2022 2023

500-100股说明书,国投证券证券研究所 招股说明书,国投证券证券研究所202416.2、31.3;2019-2024年毛利率中枢为12.9、17.8、41.4。图9.公司专用设备产品收入占比 图10.公司专用设备产品毛利率10060

干法刻蚀设备 干法去胶设备 快速热处理设备

504030

干法刻蚀设备 干法去胶设备 快速热处理设备40

2020 1002019 2020 2021 2022 2023 2024

02019 2020 2021 2022 2023 2024招股说明书,国投证券证券研究所 招股说明书,国投证券证券研究所◼ 9020182016MTI2018北京基地投产后,公司把握国内半导体市场机遇,加速本土化布局。2019-2024地化生产能力大幅增强境内生产专用设备生产数量从3台增至215台占比从7.5提升至90.7。同期,公司境内业务收入实现CAGR5约44.3,收入占比从31.4提升至土化战略成效显著。图11.公司分地区收入占比 图12.境内专用设备生产能力显著提升中国大陆韩国中国台湾日本欧洲美国新加坡其他100

250

境内专用设备生产数量(台) 占比(右轴)10080

200

8060

150

6040

100

4020 50 2002019 2020 2021 2022 2023 2024

0 02019 2020 2021 2022 2023 2024招股说明书,国投证券证券研究所 招股说明书,国投证券证券研究所90,日本市场依托独家经销商。公司以直销为主,201990(原东芝存储路制造厂商供货。图13.公司分渠道收入占比 图14.公司分渠道营业收入及增速989694928886

直销经销2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025

直销(亿元) 经销(亿元)直销YOY(右轴) 经销YOY(右轴60402002019202020212022202320242025

100500-50招股说明书,国投证券证券研究所 招股说明书,国投证券证券研究所国资赋能+子公司助力,募资重点投向扩产与研发股权结构:国资控股+员工持股,治理结构优异截至2026年一季报,屹唐盛龙作为公司直接控股股东持有股份40.55,亦庄产投、亦庄国投为公司间接控股股东,实际控制人为北京经济技术开发区财政国资局。图15.公司股权结构(截至2026年一季报)员工持股平台亦庄国投100.00通明湖信息城99.001.00战新基金亦庄产投战新基金亦庄产投屹海环南鸿唐松旭京道盛非创招致龙凡芯银鑫8.882.822.372.251.801.76宁波义方BH2BH1屹唐半导体其他红杉鹏辰和谐海河共青城渐升40.55 6.49 4.48 3.428.882.822.372.251.801.76宁波义方BH2BH1屹唐半导体其他红杉鹏辰和谐海河共青城渐升6年一季报,国投证券证券研究所BH1BH23实现了核心人才团队的长期绑定,增强企业凝聚力和创新动力。2022-20242044.081326.95715.85表2:员工持股平台及股权激励实施情况BH1BH2宁波义方成立时间2018年9月19日2018年9月19日2018年9月25日占股份比重8.881.76/激励对象 171人,包括核心技术才、管理骨干

73才、管理骨干

49人,以及益兴企业成员分类

成员包括A类成员与B类成员,A类成员组成BH1的管理委员会,A类成员份额对应BH1的全部表决权;B类成员 -无表决权,B类成员份额仅对应收益权主营业务及其与发行人主营业务的关系

发行人员工持股平台,除持有发行人股份外无实际业务经营股说明书,26年一季报,国投证券证券研究所◼ 业务布局:全球化运营体系,多国子公司协同发展25735151和供应链体系,提升整体运营韧性。图16.公司子公司、分公司和参股公司情况股说明书,国投证券证券研究所美国德国注于干法去胶/刻蚀设备和快速热处理设备的全球销售,凭借本地化工程团队和供应链优势开展业务。2018-2021MTI其贡献度逐步下降,2022-2024MTI0.37、0.25、-1.12的完整能力。图17.2018-2024年全资子公司MTI合并净利润 图18.北京屹唐半导体总部园区净利润(亿元) MTI合并净利润(亿元)6543210-1-22018201920202021202220232024公司公告,招股说明书,国投证券证券研究所 狐新闻,国投证券证券研究所◼募投项目:25亿加码产能及研发,夯实长期发展基础IPO25:1)8去胶设备、快速热处理设备及干法刻蚀设备生产能力提升;2)10道设备领域的产能保障+技术壁垒,充分受益国产替代加速机遇。表3项目名称 投资总额(亿元)

(亿元)

资金用途屹唐半导体集成电路装备研发制造服务中心项目屹唐半导体高端集成电路

9.63 8 1干法去胶、快速热处理、干法刻蚀设备生产能力的大幅提升强化自主研发能力,方向包括原子层级表面处理及超高选择比刻蚀设备、装备研发项目 10 10

先进干法去胶设备、基于Hydrilis®平台的新一代超高产能去胶设备和刻蚀设备等发展和科技储备资金 7 7 4亿元用于中长期研发储备(包括新型热处理设备、刻蚀设备)+3亿元补充流动资金合计 26.63 25 -股说明书,国投证券证券研究所干法去胶设备:2533.7去胶设备研发,不涉及湿法去胶产品。图19.集成电路前导芯片制造工艺去胶流程示意图 图20.干法去胶vs湿法去胶工艺瀚产业研究院,《半导体制造技术导论》,国投证券证券研究所

微网,国投证券证券研究所◼ 业务情况:收入保持高速增长,供应链本土化带动毛利率提升公司干法去胶设备业务近年来保持快速增长态势20192024年收入复年增长率达258。2023年受全球半导体设备市场增速下行压力,公司收入阶段性回落至15.41亿元,同比-27.3。202418.7+21.2,展现出较强的市场韧性。2442472019-2024680-770/图21.公司干法去胶设备营业收入及增速 图22.公司干法去胶设备产销量干法去胶营业收入(亿元) YOY(右轴)25 9020 705015 3010 10-105 -300 -502018201920202021202220232024

350300250200150100500

销量(台) 产量(台)销量YOY(右轴) 产量YOY(右轴)806040200-20-402018201920202021202220232024招股说明书,国投证券证券研究所 招股说明书,国投证券证券研究所图23.公司干法去胶设备单位售价 图24.公司干法去胶设备毛利率10008006004002000

售价(万元/台) YOY(右轴)2018201920202021202220232024

840-4-8

302520151050

毛利率2018201920202021202220232024招股说明书,国投证券证券研究所 招股说明书,国投证券证券研究所2021H22022-202415.012.4图25.公司部分干法去胶设备零部件供应链情况 图26.公司原材料采购自境外供应商比重零部件名称 功能说明 供应地区 占比国产硅片传输系统 自动化传送硅片,确保晶圆在国产工艺设备间高效、无污染转移国产硅片传输机械手 精准抓取/放置硅片,实现腔室国产内外或设备间的快速定位国产气体控制柜 精确调控工艺气体流量与混合国产比例国产反应腔(腔室) 进行等离子反应、去除光刻的核心区域国产

120100806040射频电源 提供高频电能,激发等离子体 日本集中分配电力,确保各子系统

200电力分配箱

稳定供电,具备过载保护功能 -

2018201920202021202220232024股说明书,国投证券证券研究所 股说明书,国投证券证券研究所◼ 技术突破:多项国际领先专利技术赋能,推动产品持续升级30AspenSupremaHydrilisHMR公司自主研发的双晶圆真空反应腔、电感耦合等离子体源及精确温控技术,已成功应用于Aspen、SupremaHydrilisHMR表4:自主研发的干法去胶设备技术及应用情况名称专利技术水平成熟度对应产品系列具体表征已在Aspen®系列产品、每个反应腔可以同时处理两片晶圆,实现等离子双晶圆真空反应腔设计双晶圆反应腔真空整合

国际领先 批量生

Suprema®系列产品和Hydrilis®HMR量产已在Aspen®系列产品、

体等关键组件独立控制,气体导入真空泵共享。本设计工艺性能可以和单晶圆反应腔设计比肩,并具有产能高,成本低,占地小的优势。该设计兼容双晶圆真空反应腔,配备可同步传输双晶圆的真空机械手,使真空传输腔体支持挂载传输设备平台设计 国际领先 批量生各双晶圆反应腔配备独

Hydrilis®HMR产品应用并量产

多个双晶圆反应腔,实现平行生产或串行工艺集成。该设计采用并排双反应腔结构,每个双晶圆反应立真空传送模块设备平台设计双晶圆反应腔线型真空

国际领先 批量生产 已在Suprema®系列产品应用并量产已在Hydrilis®HMR产品应

腔配置独立真空传送模块,通过四臂机械手实现持独立运行和维护,确保设备持续稳定工作。传输设备平台设计源设计

拥有多项发明专利

国际领先 批量生国际领先 批量生

用并量产已在Aspen®系列产品,Suprema®系列产品,Hydrilis®HMR产品应用并量产已在Suprema®系列产品、

时挂载四个反应腔(八晶圆位)。设备平台兼容单/双晶圆反应腔混搭配置,提供串联工艺整合的灵活解决方案。离子体浓度高,还原性工艺性能优异,并具备颗粒污染低,连续生产时间长,损耗品消耗低的优势。过滤系统完全阻隔离子/电子/滤装置 国际领先 批量生精确晶圆温度控制 国际领先 批量生股说明书,国投证券证券研究所

Hydrilis®HMR产品应用并量产已在Suprema®系列、Hydrilis®HMR量产

保护晶圆表面及基底结构。系统维持高自由基浓度,兼具工艺效率高、设备产能大和综合成本低的优势。该技术采用接触式恒温加热器,在初始接触阶段会出现短暂温降影响晶圆升温稳定性;而在等离子体去胶及硬掩模去除工艺中,等离子体产生的活性自由基通过表面化学反应可提升晶圆温度并增强热稳定性。3D/先。同时,Suprema于先进逻辑和存储芯片制造,并保持国际领先的技术竞争力。表5:干法去胶设备在研核心项目(241231)项目名称 研究内容 项目阶段及进情况

项目应用 与行业技术水平比较高产能干法去胶设备

去胶及先进光刻薄膜去除 在工艺、产能提升

先进3D闪存集成电路制造,其他先进逻辑/存储集成电路制造

国际领先水平Suprema®系列去胶产品持续改进

在Suprema®系列去胶产品现有应用基础上扩展应用

产品持续改进 先进逻辑存储集成电路造

国际领先水平股说明书,国投证券证券研究所◼ 80QYResearchGartner4.5(约合人民币32.0亿提升至8.0亿美(约合人民币57.1亿元CAGR5约12.031年有望达到117亿美元约合人民币82.9亿元205231年CAGR6约6.。图27.全球干法去胶设备市场规模 图28.公司干法去胶设备全球市占率14.012.010.08.06.04.02.00.0

全球干法去胶市场规模(亿美元) YOY(右轴)403020100-10-20-30

25.010.05.00.0

屹唐干法去胶收入(亿元) 市占率(右轴)40353025201510502019 2020 2021 2022 2023 2024artner,QYResearch,招股说明书,国投证券证券研究所 Gartner,招股说明书,国投证券证券研究所爱发科、北方华创等。表6:部分海内外半导体干法去胶设备企业及技术对比公司名称 23年市占率 去胶方式 技术路径 工艺节点支持 核心技术亮点 优势对比比思科 40.15第一

干法 与屹唐相同:远程ICP+原子层清除

同屹唐 与屹唐基本一致 与屹唐基本一致同时满足高精度、低屹唐半导体(中国)泛林半导体

34.60 干法第二8.97 干法第三

远程电感耦合等离子体(ICP)等离子体干法,材料选择性剥离+高均匀性处理

3nm、5nm128层3DNANDFinFET、GAA等先进节点

性配

损伤、工艺稳定、低成本,多种光刻胶适配能力强,与高端节点匹配度高结构选择性强、工艺精度高,适合敏感材料北方华创(中国)

4.72第五3.15

干法 高密度低损伤等离体高速去胶+多材料适

先进制程 高速率+平台扩展强高速+小体积+易

平台化、适合整线集成良率控制、维护简第六东京电子第六东京电子-湿法中微公司-干法晟鼎科技-干法盛美上海-湿法

干法 配+小型化设备 先进制程

维护+多场景

便、产能高,偏向量产型场景高温剥胶(ViPR™)+喷淋清洗+刷洗物理

精细图形、硅化物残留去除等后段清洗工

高温剥胶+物理刷洗辅助艺远程等离子体+离子辅助艺远程等离子体+离子先进制程(含刻蚀整离子隔滤保护+刻蚀成本节省(系统整隔滤技术合)除胶一体化合)微波等离子体技术多类敏感器件,强调微波等离子高效率+针对敏感器件的无偏(国内首创)低温兼容低温压去胶

单位成本低+安全环保+图形保护能力强多腔体+药液多通道配置司官网,Gartner,招股说明书,国投证券证券研究所

8/12英寸(多场景) 多药液+兆声波+滤,工艺灵活

灵活清洗+安全性+药液管理CR533.7Gartner25露的统计数据,202590从2019年的18.6提升至2025年的33.7,25年市场占有率已位居全球第二。图29.2023年全球干法去胶设备市场竞争格局比思科 屹唐半导体泛林半导体 爱发科北方华创 泰仕半导体日立高新 国际电气artner,招股说明书,国投证券证券研究所80-90272488.9;111090.9方华创、中微公司、盛美上海等国内厂商亦有参与干法去胶设备布局。表7:24年去胶设备国产化率超过80类别价值量占比外资品牌国产品牌国产化率光刻设备22ASML、Nikon、Canon上海微电子等<1刻蚀设备21LAM、TEL、AMAT屹唐半导体、北方华创、中微公司、新凯来等薄膜沉积设备 21 AMAT、LAM、TEL 北方华创、拓荆科技、中微公司、微导纳米、盛美上海、新凯来 10-30等检测测量设备11KLA、AMAT、日立高新精测电子、上海睿励、中科飞测、新凯来等<5清洗设备5DNS、TEL、KLA、LAM盛美上海、北方华创、至纯科技、芯源微等CMP抛光设备4AMAT、Revasum、Ebara华海清科等涂胶显影3TEL、DNS芯源微等<5离子注入设备3AMAT、Axcelis、Nissin烁科中科信、凯世通<5热处理设备-AMAT、TEL屹唐半导体、北方华创、华卓精科、盛美上海、万业企业等去胶机-PSK、Hitachi、LAM屹唐半导体、北方华创、中微公司、盛美上海、芯源微等豹研究院,国投证券证券研究所快速热处理设备:全球第二,高端市场进口替代先锋是指通过对半导体材料的温度进行保温、加热及冷却,从而改变其性质和特性的工艺设备。((退火设备为主。图30.集成电路前道芯片制造工艺热处理流程示意图 图31.热处理设备分类瀚产业研究院,《半导体制造技术导论》,国投证券证券研究所

投证券证券研究所业务情况:核心业务稳健增长,毛利率稳居40以上90nm5nm1y2xnmDRAM321283D2018-2025长收入规模从5.1亿元提升至14.8亿元约16.4占公司总营收比重的20-30202114501600AOVEFF图32.公司快速热处理设备营业收入及增速 图33.公司快速热处理设备产销量销量(台) 产量(台)营业收入 YOY(右轴) 销量YOY(右轴) 产量YOY(右轴)161412108642020182019202020212022202320242025

806040200-20

100806040200

2018201920202021202220232024

806040200-20-40招股说明书,国投证券证券研究所 招股说明书,国投证券证券研究所毛利率维持较高水平,供应链本土化进展顺利。快速热处理设备作为公司核心高盈利产品,2018-202440.32021H2图34.公司快速热处理设备单位售价 图35.公司快速热处理设备毛利率200015001000500

售价(万元) YOY(右轴

840-4

5040302010

毛利率02018201920202021202220232024

-8

02018201920202021202220232024招股说明书,国投证券证券研究所 招股说明书,国投证券证券研究所◼ 技术优势:核心指标比肩国际,持续拓展产品应用HeliosMillios其独特的非对称加热功能可精准控制图形效应,满足先进逻辑、DRAM表8:自主研发的热处理技术及应用情况名称 技术水平 成熟度 对应产品系列 具体表征常压快速热退火设备 国际领先 批量生设计

已在Helios®系列产品、Millios®系列产品应用并量产

使晶圆传输系统直连反应腔,大气压下传送、置换氛围,实现快速热退火后高温传送冷却,相比真空设备占地小、成本低、产能高。晶圆双面辐射加热快速热退火技术同面辐射加热快速热

国际领先 批量生产 已在Helios®系列产品、系列产品应用并量产已在Helios®系列产品、Millios®

通过正反面大功率线性灯管辐射加热,提升晶圆正反面及中心到边缘分区调节能力,优化温度均匀性、热应力等,并提高了产能。实现硅晶圆中温测量及控温,拓宽温度控制范退火+晶圆辐射温度测量技术

国际领先 批量生产

系列产品应用并量产

围、降低热预算,提升器件性能与产能。晶圆表面局部温度均匀度调节技术

国际领先 批量生产 已在最新Helios®系列产品应用量产

借脉冲激光系统及既有反应腔对准,补偿晶圆局部温度,含激光能量检测技术,工艺稳定性、可靠性高。水壁惰气电弧闪光灯技术闪光毫秒退火工艺交错点灯技术

国际领先 批量生产 已在Millios®系列产品应用并量产 大功率电弧闪光灯技术,独特液气混合流体设计,人工脉冲光源加大晶圆加热温差、提升升温速率、减小热预算。国际领先 批量生产 已在Millios®系列产品应用并量产 大功率电弧闪光灯技术,液气混合流体设计,人工脉冲光源加大晶圆加热温差、提升升温速率、减小热预算。股说明书,国投证券证券研究所此外,公司在研自由基设备优化晶圆表面工艺,尖峰退火设备提升制程性能;同时持续升级Helios、Millios系列产品应用。所有技术均达国际领先水平。表9:快速热处理设备在研项目(截至24年12月31日)项目名称 研究内容 项目阶段 项目应用 技术水平自由基快速热退火表面处理设备新一代快速热退火尖峰

工艺,提高产能、性能全面提高尖峰退火制程性能,研发氧

在研 先进3D闪存集成电路制造,先进动态记忆集成电路制造,先进逻辑集成电路制造

国际领先水平退火设备

化氮化工艺提高工艺性能产品竞 在研争力

制造 国际领先水平Helios®系列快速热退火产品持续改进

在Helios®系列快速热退火产品现有应用基础上扩展应用

产品持续改进 先进逻辑、存储集成电路制造 国际领先水平Millios®系列毫秒退火产品持续改进

Millios®础上扩展应用

产品持续改进 先进逻辑存储集成电路制造特别是DRAM态记忆体集成电路制造

国际领先水平股说明书,国投证券证券研究所◼Gartner,2019-202321.3,202330.3(215.3/10.713.46.2(76.095.2、44.135.3、44.2、2.5。202835.6(252.8,20232028CAGR5约3.其中快速热处理设备有望达到15.8亿美(合人民币111.9亿比44.3,2023-2028年CAGR5约3.3。图36.2019-2028E全球热处理设备市场规模 图37.全球热处理市场按工艺功能分类热处理设备(亿美元) YOY(右轴) 氧化/扩散炉 快速热处理设备 栅极堆叠设备40 80 4035 70 3530 60 3025 50 2520 40 203015 20 1510 10 105 0 50 -10- artner,招股说明书,国投证券证券研究所 artner,招股说明书,国投证券证券研究所v年应材57市占率处主导地位,屹唐份额13.8稳居市场第二。全球快速热处理设备市场Gartner(提供单晶圆表面处理快速热退火设备(提供激光毫秒退火设备)等。图38.2025年全球快速热处理设备竞争格局 图39.公司快速热处理设备全球市占率应用材料 屹唐半导体 其他

141286420

屹唐热处理市占率 屹唐快速热处理市占率2019 2020 2021 2022 2023 2024Eartner,招股说明书,国投证券证券研究所 Gartner,招股说明书,国投证券证券研究所进口替代进程加速,公司有望引领国产设备高端化突破。40200mmIC200mmIC优势和持续提升的国产化率,有望在高端热处理设备市场实现更大突破。干法刻蚀设备:量价齐升,成长动能强劲(干法刻蚀凭借纳米级精度和洁净度优势,已成为先进制程核心工艺。图40.刻蚀工艺饼干刨面图 图41.湿法刻蚀vs干法刻蚀工艺通过刻蚀移除饼干中间部分 通过刻蚀移除饼干中间部分芯闻,国投证券证券研究所

导体行业前沿,上海隐冠半导体技术有限公司,国投证券证◼业务情况:开启市场化转型,产品实现量价齐升65nm5nm1y2xnmDRAM323D2019-2025势,6年复合增长率约58.7。2023年受行业周期性调整影响,订单量出现短期波动;2024全年营业收入7.5亿元,同比+30.8,占公司总收入比重的14.9。图42.公司干法刻蚀设备营业收入及增速 图43.公司干法刻蚀设备产量及增速干法刻蚀营业收入(亿元)YOY(右轴)8642020182019202020212022202320242025

200150100500-50

产量(台) YOY(右轴)353025201510502018201920202021202220232024

4003002001000-100招股说明书,国投证券证券研究所 招股说明书,国投证券证券研究所尚处于市场开拓阶段,总体销量呈增长趋势。2019-20244241181240220239.32024+10.8pctsBAVEHHFF望未来,随着技术突破和市场认可度提升,干法刻蚀设备有望成为公司新的利润增长点。图44.公司干法刻蚀设备销量及售价 图45.公司干法刻蚀设备毛利率销量(台) 售价(万元,右轴)30 3,00025 2,50020 2,00015 1,50010 1,0005 5000 02018201920202021202220232024

353025201050

毛利率2018201920202021202220232024招股说明书,国投证券证券研究所 招股说明书,国投证券证券研究所◼产品矩阵:基础+高精度+高产能,三大系列满足不同工艺需求公司干法刻蚀设备主要覆盖三大系列产品:基础型ParadigmE等离子体刻蚀设备;新产品NovykaHydrilisXT备,形成完整技术梯队。ParadigmE衡性能与成本,优势在于高速生产和较低损耗,适用于集成电路制造中大规模量产。Novyka子层处理等先进制程领域。HydrilisXT采用双传输模块+4ICP偏置功率,实现高均匀性、低温精密刻蚀,主要应用由于新进制程领域。图46.公司paradigmE®系列等离子体刻蚀设备 图47.公司Hydrilis®XT高产能等离子体干法刻蚀设备 股说明书,国投证券证券研究所 股说明书,国投证券证券研究所◼技术突破:自主研发+批量应用,五大核心创新支撑产品矩阵ParadigmE体源具有高浓度等离子体和低污染特性;5)多区温控静电吸附卡盘通过独立温控和偏压系统,为刻蚀工艺提供关键的温度均匀性保障。表10:自主研发的干法刻蚀设备技术及应用情况名称 专利 技术水平 成熟度 对应产品系列 具体表征双晶圆真空反应腔设计各双晶圆反应腔配

国际先进 批量生产 已在paradigmE系列Novyka已在paradigmE

可同时处理两片晶圆,关键组件独立控制且共享气体导入系统,工艺性能媲美单晶圆设计,并具备高产能、低成本和小占地优势采用双反应腔配置,每个反应腔配备独立真空传送模块,通过四备独立真空传送模块设备平台设计扁平型电感耦合等离子体源设计

拥有多项发明专利

国际先进 批量生国际先进 批量生

NovykaparadigmE应用并量产

臂机械手实现双晶圆快速置换。各模块可共享前端传输系统,支持独立运行和维护,确保设备持续工作采用专利保护的接地法拉第屏蔽和双频双驱设计,具有宽范围离子调节能力,刻蚀速度快,产能高,同时具备损耗品寿命长、使用成本低、颗粒污染少的优势电感耦合远程等离子体源设计多区温控静电吸附

国际先进 批量生产 已在Novyka系列应用并量产已在paradigmE

异,具备颗粒污染少、连续生产时间长、损耗品消耗低等特点卡盘设计 国内领先 批量生股说明书,国投证券证券研究所

Novyka

独立的交流偏压控制、加热和测温功能,产品性能和稳定性已通过量产验证ParadigmE追赶国际领先水平,以满足先进制程的量产需求。表11:干法刻蚀设备在研项目(截至24年12月31日)项目名称 研究内容 项目阶段 项目应用 技术水平比较高性能超高选择比材料清除设备

高性能超高选择比材料清除和关键刻蚀应用

在研 先进逻辑、存储成电路制造

国际先进水平高产能刻蚀设备 高产能刻蚀,提高产能,大工艺范围及稳定性

在研 先进逻辑、存储成电路制造

追赶国际先进水平paradigmE®系列刻蚀产品持续改进

在paradigmE®系列刻蚀产品现有应用基础上不断扩展

产品持续改进 针对集成电路制中半关键工艺

追赶国际先进水平股说明书,国投证券证券研究所竞争格局:跻身全球第九,份额持续突破Gartner,2019-2023109.2(775.3153.3(1111.4CAGR48.92028173.7(1233.020232028CAGR52.5。图48.2019-2028E全球干法刻蚀设备市场规模 图49.公司干法刻蚀设备全球市占率250200150100500

全球干法刻蚀市场规模(亿美元) YOY(右轴)6040200-20-40

7.06.05.04.02.01.00.0

屹唐干法刻蚀收入(亿元) 市占率(右轴)0.600.500.400.300.200.100.002019 2020 2021 2022 20232024EGartner,招股说明书,国投证券证券研究所 Gartner,招股说明书,国投证券证券研究所技术达国际先进水平,250.5。公司干法刻蚀设备技术处于国内领先已成功导入三星电子、长江存储等国际领先存储器厂商,进入快速放量阶段。Gartner82.2Gartner据,2019-2025年,公司干法刻蚀设备全球市占率从0.06提升至0.5,位居全球第九,中微公司、北方华创共同构成国内刻蚀设备制造第一梯队。图50.2023年全球干法刻蚀设备竞争格局泛林半导体 东京电子应用材料 北方华创中微公司 日立高新细美事 科磊半导体屹唐半导体 爱发科artner,招股说明书,国投证券证券研究所备品备件:高毛利配套服务,增强客户粘性卡位专用设备后市场服务,构建全生命周期服务壁垒。公司备品备件销售主要为专用设备的替换备件及配套材料,贯穿设备全生命周期管理,可分为耗材类及非耗材类:(高频更换O61(高价值非标1公司采用外购模式供应备品备件,依托专业的技术匹配和快速响应能力,为客户提供"设备+服务"整体解决方案。表12类别 是否由公自行生产

特征 主要备品备件类别通用型备品备件 否 通用型备品备件,公司直接向供商进行采购,通常单位价值较低供应商基于公司设计图纸、技术参

传感器类、气动系统类、仪器仪表类等零部件机械类、电气类、机电一体类、气定制化备品备件

数等要求等进行定制化生产,通常单位价值较高,为公司备品备件的主要构成

体输送系统类、真空系统类等零部件股说明书,国投证券证券研究所50。公司备品备件业务保持强劲增长,2019-202417.6,20249.719.2,202461.6。图51.公司备品备件业务收入及增速 图52.公司备品备件业务毛利率营业收入(亿元) YOY(右轴) 毛利率12.010.08.06.04.02.00.0

201920202021202220232024

403020100-10

706050403020100

2019 2020 2021 2022 2023 2024招股说明书,国投证券证券研究所 招股说明书,国投证券证券研究所从设备销售到服务延伸,打造高粘性盈利模式。20244800DDEEMM(012全生命周期服务;3)专业运维支持,有效增强客户黏性,巩固市场领先优势。表13:专用设备客户有采购备品需求(单位:万元)客户采购产品2022年2023年2024年客户DD销售专用设备及备品备件2009531171客户EE销售专用设备及备品备件15793401754920客户II销售专用设备及备品备件-693810760股说明书,国投证券证券研究所利预测及投资建议盈利预测公司主要业务预测如下:(全球第二(全球第二(全球第九2026-2028收入增速分别为21.723.024.1在持续优化产品结构及规模效应逐步释放的推动下,预计同期毛利率将稳步提升,分别为38.7、39.7。2026-20281/30049.0。势预计2026-2028年公司销售费用率分别为6.0管理费用率分别为4.8、4.5,研发费用率分别为14.0、13.5、13.1。表14:公司收入拆分及预测(单位:百万元)20252026E2027E2028E营业总收入5076.36143.87530.29320.5YOY10212324营业成本3134.53761.04578.35611.5毛利率38.338.839.239.8一、专用设备及备品备件营业收入4964.26040.87427.29217.5YOY10222324营业成本3079.23706.04523.35556.5毛利率38.038.739.139.7二、服务营业收入109.3100.0100.0100.0YOY11-900营业成本55.355.055.055.0毛利率49.449.049.049.0三、其他业务营业收入2.83.03.03.0YOY-49800股说明书,国投证券证券研究所投资建议我们预计公司2026-2028年收入分别为61.4、75.3、93.2亿元,同比增长21;8.4、11.4、15.425、36、34。PS29202622PS45.73A"投资评级。表15:可比公司估值表(数据截至2026/07/09)688012.SH中微公司(亿元)688012.SH中微公司(亿元)451725A123.826E165.627E217.028E277.825A3626E2727E2128E16688082.SH盛美上海208867.984.3102.9123.031252017688037.SH芯源微87019.525.234.145.645352619688120.SH华海清科170246.559.877.097.237282218平均值37292217688729.SH屹唐股份111050.861.475.393.222181512

收入(亿元) PS公司公告,国投证券证券研究所(注:可比公司收入为 一致预测)风险提示行业周期波动:半导体设备需求受全球半导体行业景气度影响,若行业进入下行周期,可能导致公司订单及业绩不及预期;下游扩产不及预期:公司主要下游为晶圆厂商,若大客户扩产进度放缓或削减资本开支,将直接影响公司收入;技术迭代风险:半导体设备技术更新快,若公司研发进度不及预期,可能面临市场份额流失风险;测算及假设不及预期风险:盈利预测基于测算或假设,存在不及预期风险。财务报表预测和估值数据汇总利润表 财务指标(百万元)2024A2025A2026E2027E2028E2024A2025A2026E2027E2028E营业收入4,6335,0766,1447,5309,320成长性减:营业成本2,9013,1353,7614,5785,611营业收入增长率17.89.621.022.623.8营业税费767911营业利润增长率97.030.625.036.234.3销售费用278322369429503净利润增长率74.824.025.136.234.3管理费用236259295346419EBITDA增长率78.020.530.832.430.9研发费用7177398601,0171,221EBIT增长率99.819.936.437.736.9财务费用-1915-57-66-61NOPLAT增长率79.129.614.137.736.9加:资产/信用减值损失-46-58-58-58-58投资资本增长率4.831.65.713.124.1公允价值变动收益3725000净资产增长率10.750

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