CN115132775B 半导体结构及其制造方法 （芯合半导体有限公司）

US2021118888A1,2021.04.22US2013134506A1,2013.电层穿透所述掩埋氧化物层并延伸到所述掺杂靠近所述沟槽电容器。所述硅器件层形成硅鳍所述选择晶体管的掺杂区电耦合所述沟槽电容2沟槽电容器，包含内电极和位于所述衬底的沟槽所述节点介电层穿透所述掩埋氧化物层并延伸到所述掺杂硅选择晶体管，位于所述硅器件层中并且靠近所述沟槽电容器，其中所述嵌入式接点，位于所述沟槽电容器的顶部，使所述选择晶体管的及存储器迭层，电连接到所述接触插塞，其中所述其中，所述嵌入式接点包含鳍状接触部，并且所述鳍状接触在所述存储器迭层上方形成有通孔，所述顶部电极的一部分2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述节点介电层覆盖于所述沟槽的侧壁34[0002]磁阻随机存取存储器(MRAM)是基于硅CMOS与磁穿隧结(MTJ)技术的集成，是与现列下方以选择MRAM阵列内的某些MRAM单元[0004]如本领域所知，目前已经开发出具有三晶体管和单MTJ(3T_1MTJ)配置的DRAM/[0006]本公开的目的之一是提供一种改进的具有3T_1MTJ配置的D_MRAM器件，以解决上5所述硅化金属层的一部分介于所述金属层与所述[0027]所附图式系提供用以方便对本发明更进一步的了解，其构成本说明书的一部[0028]图1是根据本发明实施例所绘示的形成有深沟槽电容器和金属接触的衬底的俯视[0030]图2是根据本发明一实施例所绘示的已形成深沟槽电容器和金属接触的衬底的俯[0032]图3是根据本发明实施例所绘示的已形成深沟槽电容器和金属接触的衬底的俯视6[0037]图7A和图7B分别是沿图3中的切线I_I'和II_II'截取的截面图，其示出了完成硅去除(DPR)工艺完成后的半导体结构；78图示为矩形的注入区域通常将在其边缘处具有圆形或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不们的形状不旨在说明装置的区域的实际形状并且不旨在限制实[0099]本公开涉及一种改进的半导体结构，该结构特别适用于具有3T_1MTJ架构的D_[0100]图1是根据本发明实施例所绘示的形成有深沟槽电容器和金属接触的衬底的俯视掩埋氧化物层102可以具有大约100_500nm的厚度，并且掺杂硅衬底101可以是50_500微米模层110可以包含氮化硅并且可以通过已知的化学气相沉积(CV[0103]在衬底10中形成电容器TC。电容器TC可以穿透掩埋氧化物层102并且可以延伸到HfSiOx9点介电层201将内部电容器电极IE与用作电容器TC的另一个电容器电极或外电极的掺杂硅部分介于金属层210和内部电容器电极IE之间。根据一个实施例，嵌入式接点200的顶面200a与硅器件层103的顶面103a共面。根据一个实施例，嵌入式接点200被硬掩模层110覆层和掺杂多晶硅层203直接接触。随后，进行热处理或退火工艺，例如，执行快速热退火刻硬掩模，进行各向异性干法蚀刻工艺以蚀刻硅器件层103和未被图案化硬掩模层110p覆图。如图4A和图4B所示，在形成硅鳍片103f和鳍状接触部200f后，去除图案化硬掩模层110p。在移除图案化硬掩模层110p后，可以进行化学气相沉积(CVD)工艺，例如流动CVD化层150的上部。根据一个实施例，SiconiTM蚀刻工艺可以涉及使用氢源(hydrogen[0117]请参考图10A和图10B。图10A和图10B分别是沿图3在栅极沟槽GT中形成金属栅极MG。由于RMG工艺在本领域中是已知的，因此其细节不另赘[0119]请参考图11A和图11B。图11A和图11B分别是沿图3[0120]请参考图12A和图12B。图12A和图12B分别是沿图3[0124]根据一个实施例，MTJ元件320还可以包含置于顶部电极TE和自由层之间的覆盖[0125]请参考图13A和图13B。图13A和图13B分别是沿图3行光刻工艺和干法蚀刻工艺以于介电层420中并且直接在存储器迭层300上方形成通孔[0126]请参考图14A和图14B。图14A和图14B分别是沿图3