【答案】《模拟电子技术》(北京交通大学)章节期末中国大学慕课答案

第2章作业及测试第2章作业：题2-1，2-2，2-3，2-4，2-51.

答案：【】2.

答案：【】3.

答案：【】4.

答案：【】5.

答案：【】第2章测试1.单选题：PN结电容包括（）。

选项：

A、势垒电容和扩散电容

B、耦合电容和旁路电容

C、垒电容和耦合电容

D、散电容和旁路电容

答案：【势垒电容和扩散电容】2.单选题：N型半导体是在本征半导体中掺入（）

选项：

A、五价元素

B、四价元素

C、三价元素

D、二价元素

答案：【五价元素】3.单选题：P型半导体是在本征半导体中掺入（）

选项：

A、五价元素

B、四价元素

C、三价元素

D、二价元素

答案：【三价元素】4.单选题：当温度升高时，二极管的反向饱和电流会（）。

选项：

A、增大

B、减小

C、不变

D、随机态

答案：【增大】5.单选题：当温度升高时，二极管导通压降会（）。

选项：

A、增大

B、减小

C、不变

D、随机态

答案：【减小】6.单选题：本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】7.单选题：P型半导体带正电，N型半导体带负电。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】8.单选题：在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】9.单选题：PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】10.单选题：在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】第3章作业及测试第3章测试(题库中有55题，每次随机抽取15题）1.单选题：测得放大电路中处于放大的状态的晶体三极管的直流电位如下图所示。判断晶体三极管的是三个电极。

选项：

A、发射极、基极、集电极分别是P1、P3、P2

B、发射极、基极、集电极分别是P3、P2、P1

C、发射极、基极、集电极分别是P1、P2、P3

D、发射极、基极、集电极分别是P3、P1、P2

答案：【发射极、基极、集电极分别是P1、P3、P2】2.单选题：测得放大电路中处于放大的状态的晶体三极管的直流电位如下图所示。判断晶体三极管的是三个电极。

选项：

A、发射极、基极、集电极分别是P2、P3、P1

B、发射极、基极、集电极分别是P3、P2、P1

C、发射极、基极、集电极分别是P1、P3、P2

D、发射极、基极、集电极分别是P3、P1、P2

答案：【发射极、基极、集电极分别是P2、P3、P1】3.单选题：测得放大电路中处于放大的状态的晶体三极管的直流电位如图T3.2-44所示。判断晶体三极管的是三个电极。

选项：

A、发射极、基极、集电极分别是P2、P3、P1

B、发射极、基极、集电极分别是P3、P2、P1

C、发射极、基极、集电极分别是P1、P3、P2

D、发射极、基极、集电极分别是P3、P1、P2

答案：【发射极、基极、集电极分别是P1、P3、P2】4.单选题：测得放大电路中处于放大的状态的晶体三极管的直流电位如下图所示。判断晶体三极管的是三个电极。

选项：

A、发射极、基极、集电极分别是P3、P2、P1

B、发射极、基极、集电极分别是P2、P3、P1

C、发射极、基极、集电极分别是P1、P3、P2

D、发射极、基极、集电极分别是P3、P1、P2

答案：【发射极、基极、集电极分别是P3、P2、P1】5.单选题：测得放大电路中处于放大状态的晶体三极管的直流电位如下图所示。判断晶体三极管类型是NPN还是PNP型，判断其是硅管还是锗管。

选项：

A、NPN型，硅管

B、NPN型，锗管

C、PNP型，硅管

D、PNP型，锗管

答案：【NPN型，硅管】6.单选题：测得放大电路中处于放大的状态的晶体三极管的直流电位如下图所示。判断晶体三极管类型，判断其是硅管还是锗管。

选项：

A、NPN型，锗管

B、NPN型，硅管

C、PNP型，硅管

D、PNP型，锗管

答案：【NPN型，锗管】7.单选题：测得放大电路中处于放大的状态的晶体三极管的直流电位如下图所示。判断晶体三极管类型，判断其是硅管还是锗管。

选项：

A、NPN型，锗管

B、NPN型，硅管

C、PNP型，硅管

D、PNP型，锗管

答案：【PNP型，硅管】8.单选题：测得放大电路中处于放大的状态的晶体三极管的直流电位如下图所示。判断晶体三极管类型，判断其是硅管还是锗管。

选项：

A、NPN型，锗管

B、NPN型，硅管

C、PNP型，硅管

D、PNP型，锗管

答案：【PNP型，锗管】9.单选题：某晶体三极管的带宽增益积为1MHz。如果输入信号为单一频率的余弦波，电路能够进行信号放大的最高频率为_________。

选项：

A、1MHz

B、2MHz

C、500kHz

D、700kHz

答案：【1MHz】10.单选题：利用单一频率的余弦信号进行测试某放大电路，测试结果是：低频增益为AU，提高输入信号频率，频率f1时信号增益为0.707AU，继续提高输入信号频率，频率f2时信号增益为0.5AU，频率f3时信号增益为0.1AU。电路的通频带宽为__________。

选项：

A、f1

B、f2

C、f3

D、0.707f1

答案：【f1】11.单选题：为了简化分析过程，分析下图电路的低频特性时，可以忽略_________的影响。

选项：

A、Ci

B、Ci和Co

C、晶体三极管极间电容

D、Ci、Co和晶体三极管极间电容

答案：【晶体三极管极间电容】12.单选题：为了简化分析过程，分析下图电路的中频特性时，忽略_________的影响。

选项：

A、Co

B、Ci和Co

C、Ci、Co和晶体三极管极间电容

D、晶体三极管极间电容

答案：【Ci、Co和晶体三极管极间电容】13.单选题：能够进行功率放大的是___________组态放大电路。

选项：

A、CE

B、CC

C、CB

D、任意组态

答案：【任意组态】14.单选题：放大电路在低频信号作用下电压放大倍数下降的原因是存在__________电容。

选项：

A、耦合

B、旁路

C、耦合电容和旁路电容

D、晶体三极管极间

答案：【耦合电容和旁路电容】15.单选题：放大电路在高频信号作用下电压放大倍数下降的主要原因是存在_________电容。

选项：

A、耦合电容

B、旁路电容

C、耦合电容和旁路电容

D、晶体三极管极间

答案：【晶体三极管极间】16.单选题：晶体三极管的特征频率fT点对应的β为_______。

选项：

A、β=1

B、β=0.707

C、β=0.5

D、β=3

答案：【β=1】17.单选题：已经晶体三极管的电流大小和方向如下图所示，判断晶体管的类型和CE组态电流增益。

选项：

A、NPN型晶体三极管，β=150

B、PNP型晶体三极管，β=150

C、NPN型晶体三极管，β=151

D、PNP型晶体三极管，β=151

答案：【NPN型晶体三极管，β=150】18.单选题：已经晶体三极管的电流大小和方向如下图所示，判断晶体管的类型和CE组态电流增益。

选项：

A、PNP型晶体三极管，β=100

B、NPN型晶体三极管，β=100

C、NPN型晶体三极管，β=101

D、PNP型晶体三极管，β=101

答案：【PNP型晶体三极管，β=100】19.单选题：为了简化分析过程，分析下图电路的高频特性时，可忽略_________影响。

选项：

A、Ci

B、Ci和Co

C、晶体三极管极间电容

D、Ci、Co和发射结极间电容

答案：【Ci和Co】20.单选题：为了使一个低阻输出的放大电路（或内阻极小的电压源）转变为高阻输出的放大电路（或内阻尽可能大的电流源），可以在低阻输出的放大电路的后面接入_____________。

选项：

A、共射电路

B、共集电路

C、共基电路

D、任何一种组态的电路

答案：【共基电路】21.单选题：在单级放大电路中，若输入电压为余弦波形，用示波器同时观察输入ui和输出uo的波形。当为CE组态电路时，ui和uo的相位_________。

选项：

A、同相

B、反相

C、相差90º

D、不确定

答案：【反相】22.单选题：在单级放大电路中，若输入电压为余弦波形，用示波器同时观察输入ui和输出uo的波形。当CC电路时，，ui和uo的相位_________。

选项：

A、同相

B、反相

C、相差90º

D、不确定

答案：【同相】23.单选题：在单级放大电路中，若输入电压为余弦波形，用示波器同时观察输入ui和输出uo的波形。当CB电路时，，ui和uo的相位________。

选项：

A、同相

B、反相

C、相差90º

D、不确定

答案：【同相】24.单选题：当输入电压为余弦信号时，如果NPN管共射放大电路发生饱和失真，则基极电流iB的波形将___________。

选项：

A、正半波削波

B、负半波削波

C、双向削波

D、不削波

答案：【不削波】25.单选题：当输入电压为余弦信号时，如果NPN管共射放大电路发生饱和失真，则集电极电流iC的波形将__________。

选项：

A、正半波削波

B、负半波削波

C、双向削波

D、不削波

答案：【正半波削波】26.单选题：当输入电压为余弦信号时，如果NPN管共射放大电路发生饱和失真，则输出电压uo的波形将________。

选项：

A、正半波削波

B、负半波削波

C、双向削波

D、不削波

答案：【负半波削波】27.单选题：为了使高阻输出的放大电路（或高阻信号源）与低阻负载（或低输入电阻的放大电路）很好地配合，可以在高阻输出的放大电路与负载之间插入________。

选项：

A、共射电路

B、共集电路

C、共基电路

D、任何一种组态的电路

答案：【共集电路】28.单选题：在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中，输出电阻最小的是________组态。

选项：

A、共射

B、共集

C、共基

D、任意组态

答案：【共集】29.单选题：可以放大电压又能放大电流的是_________组态放大电路。

选项：

A、共射

B、共集

C、共基

D、任意组态

答案：【共射】30.单选题：可以放大电压但不能放大电流的是_________组态放大电路

选项：

A、CE

B、CC

C、CB

D、任意组态

答案：【CB】31.单选题：可以放大电流但不能放大电压的是_________组态放大电路。

选项：

A、CE

B、CC

C、CB

D、任意组态

答案：【CC】32.单选题：在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是_______组态。

选项：

A、共射

B、共集

C、共基

D、任意组态

答案：【共集】33.单选题：在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最大的是________组态。

选项：

A、共射

B、共集

C、共基

D、任意组态

答案：【共集】34.单选题：在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中，输出电阻最大的是________组态。

选项：

A、共射

B、共集

C、共基

D、任意组态

答案：【共基】35.单选题：在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中，输出电阻最大的是________组态。

选项：

A、共射

B、共集

C、共基

D、任意组态

答案：【共基】36.单选题：对于下图所示放大电路，当用直流电压表测得UCE≈VCC时，有可能是因为______。

选项：

A、RB开路

B、RC开路

C、RB短路

D、RB过小

答案：【RB开路】37.单选题：对于下图所示放大电路，当用直流电压表测得UCE≈0时，有可能是因为________。

选项：

A、RB开路

B、RC开路

C、RB短路

D、RB过小

答案：【RB过小】38.单选题：对于下图所示放大电路，当VCC=12V，RC=2kΩ，集电极电流IC计算值为1mA。用直流电压表测时UCE=8V，这说明______。

选项：

A、电路工作正常

B、三极管工作不正常

C、电容Ci短路

D、电容Co短路

答案：【电容Co短路】39.单选题：对于下图所示放大电路，若其他电路参数不变，仅当RB增大时，UCEQ将______。

选项：

A、增大

B、减小

C、不变

D、不确定

答案：【增大】40.单选题：晶体三极管工作在放大区时，具有如下特点

选项：

A、发射结正偏，集电结反偏。

B、发射结反偏，集电结正偏。

C、发射结正偏，集电结正偏。

D、发射结反偏，集电结反偏。

答案：【发射结正偏，集电结反偏。】41.单选题：晶体三极管工作在饱和区时，具有如下特点

选项：

A、发射结正偏，集电结反偏。

B、发射结反偏，集电结正偏。

C、发射结正偏，集电结正偏。

D、发射结反偏，集电结反偏。

答案：【发射结正偏，集电结正偏。】42.单选题：在共射、共集、共基三种基本组态放大电路中，电压放大倍数小于1的是______组态。

选项：

A、共射

B、共集

C、共基

D、不确定，取决于外围电路。

答案：【共集】43.单选题：对于NPN管组成的基本共射放大电路，若产生饱和失真，则输出电压_______失真。

选项：

A、顶部

B、低部

C、顶部和底部

D、不确定

答案：【低部】44.单选题：当输入电压为余弦信号时，如果PNP管共射放大电路发生饱和失真，则基极电流iB的波形将________。

选项：

A、正半波削波

B、负半波削波

C、双向削波

D、不削波

答案：【不削波】45.单选题：当输入电压为余弦信号时，如果PNP管共射放大电路发生饱和失真，则集电极电流iC的波形将_________。

选项：

A、正半波削波

B、负半波削波

C、双向削波

D、不削波

答案：【正半波削波】46.单选题：当输入电压为余弦信号时，如果PNP管共射放大电路发生饱和失真，则输出电压uo的波形将________。

选项：

A、正半波削波

B、负半波削波

C、双向削波

D、不削波

答案：【正半波削波】47.单选题：对于下图所示放大电路，若其他电路参数不变，若仅当RC减小时，UCEQ将______。

选项：

A、增大

B、减小

C、不变

D、不确定

答案：【增大】48.单选题：对于下图所示放大电路，若其他电路参数不变，若仅当RL增大时，UCEQ将______。

选项：

A、增大

B、减小

C、不变

D、不确定

答案：【不变】49.单选题：对于下图所示放大电路，若其它电路参数不变，若仅更换一个β较小的三极管时，UCEQ将______。

选项：

A、增大

B、减小

C、不变

D、不确定

答案：【增大】50.单选题：对于下图所示放大电路中，输入电压ui为余弦信号，若输入耦合电容Ci短路，则该电路______。

选项：

A、正常放大

B、出现饱和失真

C、出现截止失真

D、不确定

答案：【出现截止失真】51.单选题：所有组态晶体三极管单管放大电路都可以进行功率放大。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】52.单选题：放大电路的输入电阻与信号源内阻无关，输出电阻与负载电阻无关。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】53.单选题：晶体三极管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】54.单选题：晶体三极管在放大状态下，发射集电流主要是由扩散电流组成。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】55.单选题：晶体三极管是电流控制元件。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】第3章作业：题3-1，3-2，3-3，3-41.

答案：【】2.

答案：【】3.

答案：【】4.

答案：【】第3章作业：题3-9，3-10，3-111.

答案：【】2.

答案：【】3.题3-11有一定的难度，学生们可以作为任选题。

答案：【】第3章作业：题3-5，3-6，3-7，3-81.

答案：【】2.

答案：【】3.

答案：【】4.

答案：【】第4章作业及测试第4章作业：题4-4、4-5、4-61.

答案：【】2.

答案：【】3.

答案：【】第4章作业4-1，4-2，4.31.

答案：【】2.

答案：【】3.

答案：【】第4章测试1.单选题：N沟道结型场效应管漏源电流最大时，栅源两端加入的电压应该是（）。

选项：

A、0V

B、大于0V

C、小于0V

D、大于夹断电压

答案：【0V】2.单选题：增强型NMOS管的开启电压（）。

选项：

A、大于零

B、小于零

C、等于零

D、大于零或等于零

答案：【大于零】3.单选题：欲使N沟道增强型场效应管具有导电沟道，应使（）。

选项：

A、UGS＞UGS,off

B、UGS＞UGS,th

C、UGS＜UGS,off

D、UGS＜UGS,th

答案：【UGS＞UGS,th】4.单选题：场效应晶体管是用（）控制漏极电流的。

选项：

A、栅源电流

B、栅源电压

C、漏源电流

D、漏源电压

答案：【栅源电压】5.单选题：共漏极放大电路的电压增益不超过（）。

选项：

A、1.0

B、2.0

C、10

D、100

答案：【1.0】6.单选题：（）场效应管不能采用自偏压电路。

选项：

A、增强型

B、耗尽型

C、结型

D、增强型和耗尽型

答案：【增强型】7.单选题：增强型PMOS管的开启电压（）。

选项：

A、大于零

B、小于零

C、等于零

D、小于零或等于零

答案：【小于零】8.单选题：分压式电路中的栅极电阻RG一般阻值很大，目的是提高电路的输入电阻。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】9.单选题：场效应管靠电子和空穴两种载流子导电。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】10.单选题：结型场效应管发生预夹断后，管子关断，电流为零。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】11.单选题：场效应管的低频跨导gm是固定的常数。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】12.单选题：增强型PMOS管的开启电压大于零。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】13.单选题：结型场效应管具有很高输入电阻的原因是栅源之间的PN结反偏。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】第5章作业及测试第5章测试1.单选题：将多个单级放大电路级联起来构成多级放大电路，通常情况下多级放大电路的增益（）了，通频带（）了。

选项：

A、提高、变宽

B、提高、变窄

C、降低、变宽

D、降低、变窄

答案：【提高、变窄】2.单选题：共射-共基组合电路高频特性好于共射电路的原因是（）。

选项：

A、共射电路电压增益高

B、共射电路电流增益高

C、共基电路输入电阻小

D、共基电路输出电阻高

答案：【共基电路输入电阻小】3.单选题：在使用作图法描述放大电路的频率响应特性时，横坐标对频率的对数采用线性刻度，纵坐标对增益的对数值采用线性刻度，这种特性曲线称为（）。

选项：

A、波特图

B、伏安特性曲线

C、频率特性曲线

D、时域特性曲线

答案：【波特图】4.单选题：相频特性波特图作图时，每个零点对相频特性的贡献为（）。

选项：

A、45度

B、90度

C、135度

D、180度

答案：【90度】5.单选题：当信号频率等于放大电路的下限截止频率fL或上限截止频率fH时，放大倍数下降到中频时的0.7倍，此时增益下降（）dB。

选项：

A、3dB

B、-3dB

C、0.707dB

D、-0.7075dB

答案：【3dB】6.单选题：BJT放大电路工作在高频状态时，造成放大倍数下降的主要原因是（）。

选项：

A、输出耦合电容

B、旁路电容

C、晶体管结电容

D、输入耦合电容

答案：【晶体管结电容】7.单选题：特征频率fT表示BJT丧失电流放大能力时的极限频率，此时β=（）。

选项：

A、0.5

B、1

C、0.707

D、3

答案：【1】8.单选题：共射截频fβ为共射电流放大系数对应的截止频率，共基截频fα为共基电流放大系数对应的截止频率，两者的关系为（）。

选项：

A、fα>fβ

B、fα＜fβ

C、fα=fβ

D、不确定

答案：【fα>fβ】9.单选题：在中频增益曲线中，fL为低频截止频率，fH为高频截止频率，放大电路的带宽为：BW=（）。

选项：

A、fH–fL

B、fL-fH

C、fH

D、fH

答案：【fH–fL】10.单选题：为了简化高频混合π模型，可以使用（）将双向传输模型变为单向传输模型。

选项：

A、戴维南定理

B、戴维南定理

C、密勒定理

D、摩尔定理

答案：【密勒定理】第5章作业：题5-1,5-2,5-3,5-4,5-5,5-6,5-7,5-81.

答案：【】2.

答案：【】3.

答案：【】4.

答案：【】5.

答案：【】6.

答案：【】7.

答案：【】8.

答案：【】第6章作业及测试第6章作业：题6-1、6-31.

答案：【】2.

答案：【】第6章作业：题6-2、6-4、6-5、6-61.

答案：【】2.

答案：【】3.

答案：【】4.

答案：【】第6章测试1.单选题：负反馈放大电路产生自激的条件是（）。

选项：

A、AB=1

B、AB=-1

C、AB=0

D、AB=¥

答案：【AB=-1】2.单选题：在深度负反馈放大电路中，若开环放大倍数A增加一倍，则闭环增益Af将（）。

选项：

A、基本不变

B、增加一倍

C、减小一倍

D、不能确定

答案：【基本不变】3.单选题：负反馈所能够抑制的干扰和噪声是（）。

选项：

A、外界对输入信号的干扰和噪声

B、外界对输出信号的干扰和噪声

C、反馈环内的干扰和噪声

D、反馈环外的干扰和噪声

答案：【反馈环内的干扰和噪声】4.单选题：欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）。

选项：

A、电流串联负反馈

B、电流并联负反馈

C、电压串联负反馈

D、电压并联负反馈

答案：【电流并联负反馈】5.单选题：在输入量不变的情况下，若引入反馈后，（）则说明引入的反馈是负反馈。

选项：

A、输入电阻增大

B、输出量增大

C、净输入量增大

D、净输入量减小

答案：【净输入量减小】6.单选题：只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】7.单选题：电路中引入负反馈后，只能减小非线性失真，而不能消除失真。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】8.单选题：放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】9.单选题：既然电流负反馈稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】10.单选题：反馈量仅仅决定于输出量。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】11.单选题：若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】第7章作业及测试第7章作业：题7-1、7-21.

答案：【】2.

答案：【】第7章作业：题7-7、7-81.

答案：【】2.

答案：【】第7章测试1.单选题：放大电路产生零漂的主要原因是________________。

选项：

A、环境温度变化

B、采用阻容耦合方式

C、采用变压器耦合方式

D、电压倍数过大

答案：【环境温度变化】2.单选题：场效应管集成放大电路较晶体管集成放大电路的优点之一是_____________。

选项：

A、输入电阻大

B、输入电阻小

C、输出电阻大

D、输出电阻小

答案：【输入电阻大】3.单选题：典型的长尾式差分放大电路中，射极电阻REE的主要作用是___________。

选项：

A、提高输入电阻

B、提高差模电压增益

C、提高共模电压增益

D、提高共模抑制比

答案：【提高共模抑制比】4.多选题：在采用直接耦合方式的模拟集成放大电路中，影响零漂最严重的一级是____________，零点漂移最大的一级是____________。

选项：

A、输入级

B、中间级

C、输出级

D、直流偏置电路

答案：【输入级;输出级】5.多选题：晶体管集成放大电路较场效应管集成放大电路的特点有____________和__________。

选项：

A、功耗大

B、功耗小

C、速度高

D、速度低

答案：【功耗大;速度高】6.多选题：在模拟集成放大电路中，电流源的主要作用是_______和_______。

选项：

A、有源负载

B、偏置电路

C、信号源

D、补偿电路

答案：【有源负载;偏置电路】7.单选题：实际的差分放大电路输入电压为零时，输出电压也为零。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】8.单选题：为改善差放的某些特性，可采用组合差放电路。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】9.单选题：集成电路中间级连接方式多采用阻容耦合。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】10.单选题：集成运算放大器的输入级多采用差分放大的形式。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】第7章作业：题7-3、7-4、7-5、7-61.

答案：【】2.

答案：【】3.

答案：【】4.

答案：【】第8章作业及测试第8章作业：题8-1、8-2、8-3、8-41.

答案：【】2.

答案：【】3.

答案：【】4.

答案：【】第8章测试1.单选题：如自测题8-10图所示电路的输出电压波形为（）。

选项：

A、

B、

C、

D、

答案：【】2.单选题：理想运算放大器的主要条件是（）。

选项：

A、

B、

C、

D、

答案：【】3.单选题：欲用运放实现电压放大倍数Au=-100最简单应该选用（）电路。

选项：

A、反相比例运算

B、同相比例运算

C、加法

D、减法

答案：【反相比例运算】4.单选题：欲用运放实现电压放大倍数Au=+100最简单应该选用（）电路。

选项：

A、同相比例运算

B、反相比例运算

C、加法

D、减法

答案：【同相比例运算】5.单选题：如自测题8-8图所示电路的输出电压为（）。

选项：

A、1V

B、-1V

C、0V

D、∞

答案：【1V】6.单选题：如自测题8-9图所示电路的输出电压波形为（）。

选项：

A、

B、

C、

D、

答案：【】7.单选题：理想运算放大器在线性运用时具有“虚断”特性是指（）。

选项：

A、

B、

C、

D、

答案：【】8.单选题：理想运算放大器在线性运用时具有“虚断”特性是指（）。

选项：

A、

B、

C、

D、

答案：【】9.单选题：运算放大器组成运算电路必须构成（）电路。

选项：

A、负反馈

B、正反馈

C、开环

D、同时具有负反馈和正反馈。

答案：【负反馈】10.单选题：运算放大器组成电压比较电路应构成（）电路。

选项：

A、开环或正反馈

B、负反馈

C、线性

D、同时具有负反馈和正反馈。

答案：【开环或正反馈】11.单选题：虚短是指集成运放两个输入端短路。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】12.单选题：反相比例运算电路输入电阻很大。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】13.单选题：运算电路中集成运放一般工作在线性区。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】14.单选题：只要是理想运算放大器，不论是工作在线性状态还是非线性状态，其反相输入端和同相输入端基本不从信号源索取电流。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】15.单选题：单限比较器的抗干扰能力比迟滞比较器强。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】第8章作业：题8-5、8-6、8-71.

答案：【】2.

答案：【】3.

答案：【】第9章作业及测试第9章测验1.单选题：在单相半波整流电路中，已知u2=√2U2sinωt，脉动电压uo在一个周期内的平均值Uo(AV)≈（），二极管承受的最高反向电压为（）。

选项：

A、0.9U2，2√2U2

B、0.45U2，√2U2

C、0.9U2，√2U2

D、0.45U2，2√2U2

答案：【0.45U2，√2U2】2.单选题：在单相全波整流电路中，输出电压平均值Uo(AV)≈()，二极管承受的最高反向电压为().

选项：

A、0.9U2，2√2U2

B、0.45U2，√2U2

C、0.9U2，√2U2

D、0.45U2，2√2U2

答案：【0.9U2，2√2U2】3.单选题：由于稳压管的功率较小，且稳压管稳压电路稳定电压是由稳压管的稳压值决定的，所以稳压管稳压电路仅适合（）、（）的场合。

选项：

A、电压较大，负载电流较大

B、电压较小且变化不大，负载电流固定不变

C、电压固定不变、负载电流较大

D、电压固定不变、负载电流较小且变化不大

答案：【电压固定不变、负载电流较小且变化不大】4.单选题：在单相桥式整流电路中，输出电压平均值Uo(AV)≈()，VD1、VD3导通，VD2、VD4截止时，VD2、VD4所承受的最大反向电压为（）。

选项：

A、0.9U2，2√2U2

B、5U2，√2U2

C、0.9U2，√2U2

D、0.45U2，2√2U2

答案：【0.9U2，√2U2】5.单选题：在电容滤波电路中，当C一定，RL=∞即空载时，输出电压平均值Uo(AV)≈()。

选项：

A、1.2U2

B、1.4U2

C、0.9U2

D、2.8U2

答案：【1.4U2】第9章作业：题9-1,9-2,9-3,9-41.

答案：【】2.

答案：【】3.

答案：【】4.

答案：【】期末考试北京交通大学”模拟电子技术“MOOC课程期末考试题1.单选题：在共射、共集、共基三种基本组态放大电路中，电压放大倍数小于1的是()组态。

选项：

A、共射

B、共集

C、共基

D、不确定

答案：【共集】2.单选题：差分放大电路能够().

选项：

A、提高输入电阻

B、降低输入电阻

C、抑制温漂

D、提高电压放大倍数

答案：【抑制温漂】3.单选题：当反向电压增高时，少子获得能量高速运动，在空间电荷区与原子发生碰撞，产生碰撞电离使反向电流激增，形成连锁反应，属于（）击穿。

选项：

A、雪崩

B、齐纳

C、热击穿

D、多子

答案：【雪崩】4.单选题：掺杂浓度低的半导体会引起雪崩击穿的原因是反向电压增高时，少子获得能量高速运动，在空间电荷区与原子发生碰撞电离，使（）激增。

选项：

A、多子

B、反向电流

C、载流子

D、反向电压

答案：【反向电流】5.单选题：欲使N沟道增强型场效应管具有导电沟道，应使（）。

选项：

A、UGS＞UGS,off

B、UGS＞UGS,th

C、UGS＜UGS,off

D、UGS＜UGS,th

答案：【UGS＞UGS,th】6.单选题：在运算放大器中，引入负反馈可以使非线性失真减小，输入动态范围（）。

选项：

A、增大

B、减小

C、不变

D、无关

答案：【增大】7.单选题：运算放大器由双电源供电改为单电源供电时，为了保证正确放大需加入偏置电路。但外加负载时，必须在输出端（），得到正确输出。

选项：

A、接电容

B、串接上拉电阻

C、并接上拉电阻

D、串接电容

答案：【串接电容】8.单选题：差分放大电路中，射极电阻REE的主要作用是（）。

选项：

A、提高输入电阻

B、提高差模电压增益

C、提高共模电压增益

D、提高共模抑制比

答案：【提高共模抑制比】9.单选题：本征半导体电子浓度ni（）空穴浓度pi。

选项：

A、大于

B、小于

C、等于

D、大于等于

答案：【等于】10.单选题：P型半导体中，电子浓度ni（）空穴浓度pi。

选项：

A、大于

B、小于

C、等于

D、大于等于

答案：【小于】11.单选题：两级放大器耦合，后级的输入阻抗是前级级的（）.

选项：

A、负载

B、信号源

C、信号源内阻

D、反馈

答案：【负载】12.单选题：多个放大器连接成一个雷达高增益中频放大器，放大器之间的耦合应采用()耦合。

选项：

A、直接

B、阻容

C、电感

D、光电

答案：【直接】13.单选题：在集成电路设计中，NMOS场效应晶体管组成的放大电路，其增益是()函数。

选项：

A、gm（B）（C）（D）

B、gmb

C、gDS

D、ri

答案：【gm（B）（C）（D）】14.单选题：晶体管工作在放大区时，具有如下特点().

选项：

A、发射结正偏，集电结反偏

B、发射结反偏，集电结正偏。

C、发射结正偏，集电结正偏

D、发射结反偏，集电结反偏

答案：【发射结正偏，集电结反偏】15.单选题：欲提高高频截频fh，需选择小的（）。

选项：

A、耦合电容

B、旁路电容

C、结电容

D、射极电阻

答案：【结电容】16.单选题：甲乙类功率放大器采用互补输出是为了（）。

选项：

A、电压放大倍数增加

B、最大不失真输出电压大

C、提高效率

D、输入电阻增加

答案：【提高效率】17.单选题：特征频率fT和（）相等。

选项：

A、fβ

B、fα

C、增益带宽积

D、带宽

答案：【增益带宽积】18.单选题：分析小信号放大电路时，最恰当的方法是（）。

选项：

A、h参数等效模型

B、高频等效模型

C、特性曲线

D、交流等效电路

答案：【h参数等效模型】19.单选题：在设计放大电路时，为了使带负载能力强，输出级常采用（）。

选项：

A、共集电路

B、共射电路

C、共基电路

D、带复合三极管的共射电路

答案：【共集电路】20.单选题：放大电路引入负反馈后，其闭环输入电阻和开环输入电阻的关系是（）。

选项：

A、不变

B、增加1+AB倍

C、减小1+AB倍

D、增加1+AB或减小1+AB倍

答案：【增加1+AB或减小1+AB倍】21.单选题：由双极性三极管构成的威尔逊电流源的误差项是（）。

选项：

A、0

B、2/（β+β2）

C、2/β

D、2/（2β+β2）

答案：【2/（2β+β2）】22.单选题：迟滞比较器具有上门限和下门限两个电压值的原因是（）。

选项：

A、输出正饱和和负饱和两个电压值

B、输出正饱和和负饱和两个电压值，而且运算放大器具备正反馈特性

C、输出正饱和和负饱和两个电压值，而且运算放大器具备负反馈特性

D、输出正饱和和负饱和两个电压值，而且运算放大器具备开环特性

答案：【输出正饱和和负饱和两个电压值，而且运算放大器具备正反馈特性】23.单选题：在本征半导体中掺入三价元素的杂质半导体的自由电子是（）。

选项：

A、杂质

B、少子

C、多子

D、热激发

答案：【少子】24.单选题：N沟道结型场效应管漏源电流最大时，栅源两端加入的电压应该是（）。

选项：

A、0V

B、大于0V

C、小于0V

D、