CN115509396B 电容检测方法及电容检测装置 （上海艾为电子技术股份有限公司）

JP2005156347A,200状态中第一工作模式下的第一电容测量值和第在第二环境状态中第一工作模式下的第三电容测通道与驱动通道之间电容的电容测量变化值2获取检测通道在第一环境状态中第一工作模式下的第一电容测量值和第二工作模式获取所述检测通道在第二环境状态中所述第一工作模式下的第三电容测量值和所述根据所述第二电容测量值与所述第一电容测量值之间的差值和所述第四电容测量值根据所述第一电容测量值与所述第三电容测量值之根据所述检测通道的电容测量变化值和所述检测通道与所述驱动通道之间电容的电其中，根据所述检测通道的电容测量变化值和所述检测通道根据所述检测通道的电容测量变化值与所述检测通道与所述驱动通道之间电容的电获取所述第二电容测量值与所述第一电容测量值获取所述第四电容测量值与所述第三电容测量值根据所述第三差值确定所述检测通道与所述驱动通道之间电容的电容根据所述补偿系数和所述检测通道与所述驱动通道之间电容的电容测量变化值的乘驱动通道之间电容的电容测量变化值的乘积，确定补偿后的所述检测通道的电容测量值，3根据所述第三电容测量值与所述补偿系数和所述检测通道与所述驱动通道之间电容检测电容传感器，用于获取检测通道在第一环境状态中第一工作模量值和第二环境状态中第一工作模式下的第驱动电容传感器，用于获取检测通道在第一环境状态中第二工作模量值和第二环境状态中第二工作模式下的第数字处理单元，用于根据所述第二电容测量值与所述第一电容测所述数字处理单元还用于根据所述检测通道的电容测量变化值与所述检测通道与所4第二电容测量值与第一电容测量值之间的差值和第四电容测量值与第三电容测量值之间5电容测量变化值与检测通道与驱动通道之间电容的电容测量变化值的比值，确定补偿系值与所述补偿系数和所述检测通道与所述驱动通道之间电容的电容测量变化值的乘积之获取检测通道在第一环境状态中第一工作模式下的第一电容测量值和第二环境状态中第第二工作模式下的第二电容测量值和第二环境状态中第二工作模式下的第四电容测量值；[0017]图4(a)示出根据本申请一些实施例提供的电容检测装置在第一工作模式下的示[0018]图4(b)示出根据本申请一些实施例提供的电容检测装置在第二工作模式下的示6图[0022]图1示出根据本申请一些实施例提供的电容检测装置的应用场景。电容检测装置(如图1所示)、平板电脑、笔记本电脑、超级移动个人计算机(ultra_mobilepersonalcomputer，UMPC)、手持计算机、上网本、个人数字助理(personaldigitalassistant，7400为触摸传感器(例如SAR触摸传感与地之间的寄生电容和人体或导体与电容式传感器的极板之间的互电容形成的组合电容，8[0043]在第一工作模式中，在检测通道通过激励电压信号对待检测电容进行电容检测通过检测通道施加激励电压进行电容检测时，寄生电容C0的存在会对电容测量值产生影电容的自身电容值和检测通道走线的电容值，并不包括检测通道和驱动通道之间的电容[0053]其中，Csensor_m1表示在第一工作模式下对待检测电容进行电容检测得到的第一电[0054]在第二工作模式中，在检测通道通过激励电压信号对待检测电容进行电容检测9[0057]其中，Csensor_m2表示在第二工作模式下对待检测电容进行电容检测得到的第二电容测量值，ΔCx为待检测电容随着环境状态变化的自身电容电容测量值不仅包括改变后的待检测电容的自身电容值和改变后的检测通道走线的电容测量值和第一工作模式下得到的第一电容测量值可以得到检测通道和驱动通道之间寄生测量值和第一工作模式下得到的第三电容测量值可以得到变化后的检测通道和驱动通道电容的电容测量值和检测通道和驱动通道之间寄生电容和实际电容的电容测量初始值的与检测通道与驱动通道之间的寄生电容的值和实际电容的值的变化量近似成固定比例关检测通道的电容测量值是去除环境漂移所影响的电容值后得到的待检测电容的自身电容[0090]上述公式中，根据公式一电容测量值和第二电容测量值的函数，即，补偿后的检测通道的电容测量值＝fK2为第二补偿系数。[0094]在待检测电容400的电容(例如图1中的触摸极板的电容)随环境(比如温度)变化的变化量与检测通道走线1的电容、检测通道走线1与驱动通道走线2之间的寄生电容和实[0095]图5示出根据本申请一些实施例提供的一种电容检测装置的框图。电容检测装置110，用于获取检测通道在第一环境状态中第一工作模式下的第一电容测量值和第二环境[0096]驱动电容传感器120，用于获取检测通道在第一环境状态中第二工作模式下的第二电容测量值和第二环境状态中第二工作模式下的[0097]数字处理单元130，用于根据第二电容测量值与第一电容测量值之间的差值和第路(ApplicationSpecificIntegratedCircuit，ASIC)或微处理器之类的处理器的任何AccessMemory，RAM)、可擦除可编程只读存储器(ErasableProgrammableReadOnlyMemory，EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(ElectricallyErasableProgrammable[0105]需要说明的是，本申请各设备实施例中提到的各单元/模式并不是最重要的，这些逻辑单元/模块所实现的功能的组合才是解决本申请所提出的技决本申请所提出的技术问题