【答案】《模拟电子技术基础》(西北工业大学)章节期末中国大学慕课答案

第二章常用半导体器件原理常用半导体器件原理1.单选题：在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA、－0.03mA、1.23mA。电极①是____

选项：

A、发射极

B、基极

C、集电极

D、漏极

答案：【集电极】2.单选题：设图中的二极管和三极管均为硅管，三极管的β均为100，试判断三极管的工作状态

选项：

A、截止

B、饱和

C、放大

D、倒置

答案：【放大】3.单选题：在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____；

选项：

A、不变

B、减小

C、增大

D、无

答案：【增大】4.单选题：在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。

选项：

A、减小

B、增大

C、不变）

D、无

答案：【减小】5.单选题：晶体管工作在饱和区时，集电结为____

选项：

A、零偏置

B、正向偏置

C、反向偏置

D、无

答案：【正向偏置】6.单选题：用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。

选项：

A、放大

B、截止

C、饱和

D、损坏

答案：【放大】7.单选题：用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。

选项：

A、饱和

B、放大

C、截止

D、损坏

答案：【放大】8.单选题：用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。

选项：

A、饱和

B、截止

C、损坏）

D、放大

答案：【放大】9.单选题：图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管

选项：

A、N沟道结型

B、N沟增强型MOS

C、N沟耗尽型MOS

D、P沟耗尽型MOS

答案：【N沟增强型MOS】10.单选题：图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管

选项：

A、N沟道结型

B、P沟道结型

C、N沟道绝缘栅型增强型MOS

D、P沟道绝缘栅型耗尽型MOS

答案：【N沟道结型】11.单选题：图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管

选项：

A、P沟道结型

B、N沟道结型

C、P沟道耗尽型MOS

D、P沟道增强型MOS

答案：【P沟道耗尽型MOS】12.单选题：晶体管工作在放大区时，发射结为____

选项：

A、正向偏置

B、反向偏置

C、零偏置

D、无

答案：【正向偏置】13.单选题：设图中的二极管和三极管均为硅管，三极管的β均为100，试判断三极管的工作状态

选项：

A、饱和

B、截止

C、放大

D、倒置

答案：【截止】14.单选题：在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于____

选项：

A、温度

B、掺杂工艺

C、杂质浓度

D、无

答案：【温度】15.单选题：电路如图1所示，ui=5sinwt(V)二极管可视为理想二极管。分析以下情况中uo的波形，从以下四种波形中选择正确答案填空。UDC＝0V，波形如图____所示。

选项：

A、

B、

C、

D、

答案：【】16.单选题：场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流_____

选项：

A、大

B、小

C、相等

D、无

答案：【小】17.单选题：在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____

选项：

A、温度

B、杂质浓度

C、掺杂工艺

D、无

答案：【杂质浓度】18.单选题：电路如图所示，ui=0.1sinwt(V)，当直流电源电压V增大时，二极管rd的动态电阻将____。

选项：

A、保持不变

B、增大

C、减小

D、无

答案：【减小】19.单选题：随着温度升高，晶体管的共射输出特性曲线将___

选项：

A、上移

B、下移

C、左移

D、右移

答案：【上移】20.单选题：在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.22mA、0.02mA、1.2mA。由此可判断电极①是

选项：

A、发射极

B、基极

C、集电极

D、无

答案：【发射极】21.单选题：N型半导体是在纯净半导体中掺入____；

选项：

A、带正电的离子

B、三价元素，如硼等

C、五价元素，如磷等

D、带负电的电子

答案：【五价元素，如磷等】22.单选题：用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。

选项：

A、放大

B、饱和

C、截止

D、损坏

答案：【截止】23.单选题：用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。

选项：

A、放大

B、截止

C、饱和

D、损坏

答案：【截止】24.单选题：电路如图1所示，ui=5sinwt(V)二极管可视为理想二极管。分析以下情况中uo的波形，从以下四种波形中选择正确答案填空。UDC＝-10V，波形如图____所示。

选项：

A、

B、

C、

D、

答案：【】25.单选题：电路如图1所示，ui=5sinwt(V)二极管可视为理想二极管。分析以下情况中uo的波形，从以下四种波形中选择正确答案填空。UDC＝10V，波形如图____所示。

选项：

A、

B、

C、

D、

答案：【】26.单选题：稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态，它不允许工作在正向导通状态

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】27.单选题：P型半导体带正电，N型半导体带负电。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】28.单选题：场效应管的优点是有很高的输入电阻和很低的输出电阻。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】29.单选题：在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。（）

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】30.单选题：小功率场效应晶体管在使用中，其源极和漏极可以互换

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】31.单选题：双极型晶体管具有NPN或PNP对称结构，所以发射极和集电极也可以互换

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】32.单选题：场效应晶体管是电压控制电流器件

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】33.单选题：单极型晶体管交流输入电阻只和交流参数有关和直流参数无关

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】34.单选题：PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】35.单选题：PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性，又描写了PN结的反向击穿特性。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】36.单选题：掺杂半导体因含有杂质，所以在制造半导体器件时是没有用处的。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】37.单选题：本征半导体在温度升高后，自由电子和空穴数目都增加，但增量相同。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】38.单选题：N沟道场效应管是靠空穴导电的

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】39.单选题：P沟道场效应管是靠空穴导电的

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】40.单选题：场效应管的电流放大系数是gm

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】41.单选题：锗管PNP管工作在放大状态时其集电结直流偏置电压大于0

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】42.单选题：锗管PNP管工作在饱和状态时，其集电结直流偏置电压大于0

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】第三章晶体三极管和场效应三极管及放大电路基础第三章晶体三极管和场效应三极管及放大电路基础单元测试1.单选题：要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300，第一级应采用()电路，第二级应采用（）电路

选项：

A、共射电路，共集电路

B、共源电路，共射电路

C、共集电路，共射电路

D、共漏电路，共射电路

答案：【共源电路，共射电路】2.单选题：共基放大电路及其交流等效电路如图所示。在下面几种求输入电阻的公式中，哪个是正确的？（电容的容抗可忽略不计）

选项：

A、

B、

C、

D、

答案：【】3.单选题：选择正确图号，用a、b、c、d填空，具有同相放大能力的电路有____；

选项：

A、a,b

B、b,d

C、b,c

D、a,c

答案：【b,d】4.单选题：选择正确图号，用a、b、c、d填空,具有反相放大能力的电路有____；

选项：

A、a

B、a,c

C、a,b

D、c,b

答案：【a】5.单选题：已知图（a)的电路的幅频响应特性如图（b）所示。选择正确答案，影响fL大小的因素是____，影响fH大小的因素是____。

选项：

A、晶体管极间电容，晶体管的非线性特性

B、晶体管极间电容，耦合电容

C、耦合电容，晶体管极间电容

D、晶体管的非线性特性，耦合电容

答案：【耦合电容，晶体管极间电容】6.单选题：对于1kHz正弦输入信号，图中哪些电路的电压放大倍数绝对值能小于1？（不必计算具体的数值，设晶体管）

选项：

A、（a），（b）

B、（c），（b）

C、（d），（b）

D、（d），（a）

答案：【（d），（b）】7.单选题：电路如图所示，调整Rb,使得UCEQ=6V，判断以下说法的正误，随正弦输入信号幅度增大，输出电压

选项：

A、首先出现顶部削平失真

B、首先出现底部削平失真

C、同时发生顶部和底部削平失真

D、无

答案：【首先出现顶部削平失真】8.单选题：电路如图所示，调整Rb,使得UCEQ=6V，判断以下说法的正误，随正弦输入信号幅度增大，输出电压

选项：

A、首先出现截止失真

B、首先出现饱和失真

C、饱和失真，截止失真同时出现

D、无

答案：【首先出现截止失真】9.单选题：如下图，不用计算可以粗略估计电路（1）的输入电阻约为____

选项：

A、1M

B、100k

C、3k

D、100

答案：【1M】10.单选题：如下图，不用计算可以粗略估计电路（2）的输入电阻约为____，

选项：

A、1M

B、100k

C、3k

D、100

答案：【3k】11.单选题：如下图，不用计算可以粗略估计电路（3）的输入电阻约为____

选项：

A、1M

B、100k

C、3k

D、100

答案：【100k】12.单选题：对于1kHz正弦输入信号，图中哪些电路的电压放大倍数绝对值能大于1？（不必计算具体的数值，设晶体管）

选项：

A、（a），（b）

B、（a），（d）

C、（b），（d）

D、（a），（c）

答案：【（a），（c）】13.单选题：共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望带负载能力强，应选用___

选项：

A、共基组态

B、共集组态

C、共射组态

D、无

答案：【共集组态】14.单选题：在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望从信号源索取电流小，应选用____

选项：

A、共射组态

B、共集组态

C、共基组态

D、无

答案：【共集组态】15.单选题：共射、共基、共集三种基本放大电路组态中希望即能放大电压，又能放大电流，应选用____；

选项：

A、共基组态

B、共射组态

C、共集组态

D、无

答案：【共射组态】16.单选题：共射、共基、共集三种基本放大电路组态中希望高频响应性能好，应选用____。

选项：

A、共射组态

B、共集组态

C、共基组态

D、无

答案：【共基组态】17.单选题：MOS场效应管的栅极输入电流几乎等于零，所以MOS管组成的放大电路的输入电阻总可以视为无穷大

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】18.单选题：欲使多级放大电路易于集成化，只能采用直接耦合方式。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】19.单选题：放大电路的放大倍数是指输出与输入之间的变化量之比，因此它与静态工作点无关。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】20.单选题：直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，它只能放大直流信号。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】21.单选题：当放大电路的输入端接上一个线性度良好的三角波信号时，输出三角波的线性不好，可以肯定该放大电路存在非线性失真。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】22.单选题：某扩音器的高音不丰富，主要是因为其放大电路的非线性失真大

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】23.单选题：某扩音器的高音不丰富，主要是因为其放大电路的通频带窄。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】24.单选题：在共射放大电路中，当负载电阻RL减小，电压放大倍数下降，输出电阻也减小。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】25.单选题：为了保证晶体管工作在线性放大区，双极型管的基、射极之间和场效应管的栅、源极之间都应加上正向偏置电压（）。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】26.单选题：直流放大器必须采用直接耦合方式（），所以它无法放大交流信号（）

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】27.单选题：组成放大电路的基本原则之一是电路中必须包含直流电源,对于双极型晶体管放大电路来说，发射结必须加上正向偏置，集电结必须加上反向偏置，所以基极电源应为正电源，集电极电源应为负电源（）。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】28.单选题：晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，所以它与静态工作点无关

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】29.单选题：放大电路的非线性失真表现为输入某一频率正弦信号时，输出信号中出现一定量的谐波成分。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】30.单选题：图示放大电路具备以下特点：电压放大倍数接近于1，与晶体管的大小关系不大；

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】31.单选题：图示放大电路具备以下特点：输入电阻比5.1k大得多；

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】32.单选题：图示放大电路具备以下特点：输出电阻随晶体管的增大而增大。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】33.单选题：图示放大电路具备以下特点：电压放大倍数接近于1，负载是否接通关系不大；

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】第四章模拟集成电路第四章模拟集成电路单元测试1.单选题：设图示电路中VT1、VT2特性对称，且b＝60，UBE＝0.7V，rbe＝2.5kW，电源电压VCC＝VEE＝15V，电阻Rb＝2kW，Re＝10kW，Rc＝10kW，RW＝200W，且其滑动端位于中点，当uI1＝10mV，uI2＝－10mV时，输出信号uO≈＿＿

选项：

A、566mV

B、280mV

C、—280mV

D、—566mV

答案：【566mV】2.单选题：设图示电路中VT1、VT2特性对称，且b＝60，UBE＝0.7V，rbe＝2.5kW，电源电压VCC＝VEE＝15V，电阻Rb＝2kW，Re＝10kW，Rc＝10kW，RW＝200W，且其滑动端位于中点，当uI1＝uI2＝10mV时，uO≈＿＿

选项：

A、5mV

B、10mV

C、—5mV

D、—10mV

答案：【—5mV】3.单选题：设图示电路中VT1、VT2特性对称，且b＝60，UBE＝0.7V，rbe＝2.5kW，电源电压VCC＝VEE＝15V，电阻Rb＝2kW，Re＝10kW，Rc＝10kW，RW＝200W，且其滑动端位于中点，当uI1＝15mV，uI2＝5mV

选项：

A、555mV

B、550mV

C、270mV

D、275mV

答案：【275mV】4.单选题：差分放大电路是为了＿＿而设置的

选项：

A、提高放大倍数

B、提高输入电阻

C、抑制温漂

D、提高差模增益

答案：【抑制温漂】5.单选题：1．差分放大电路中的差模输入信号是两输入端信号＿＿，共模输入信号是两输入端信号的＿＿。

选项：

A、差，和

B、差，平均值

C、和，比值

D、差，比值

答案：【差，平均值】6.单选题：共模抑制比等于＿＿之比。

选项：

A、差模输入电压与共模输入电压

B、输出信号电压中差模分量与共模分量

C、差模电压放大倍数与共模电压放大倍数

D、无

答案：【差模电压放大倍数与共模电压放大倍数】7.单选题：设图示电路中VT1、VT2特性对称，且b＝60，UBE＝0.7V，rbe＝2.5kW，电源电压VCC＝VEE＝15V，电阻Rb＝2kW，Re＝10kW，Rc＝10kW，RW＝200W，且其滑动端位于中点，试选择正确答案

选项：

A、0.5mA

B、0.7mA

C、1mA

D、1.4mA

答案：【0.7mA】8.单选题：差分放大电路主要通过＿＿来实现抑制温漂的

选项：

A、增加一级放大电路

B、采用两个输入端

C、利用参数对称的对管

D、无

答案：【利用参数对称的对管】9.单选题：在长尾式的差分放大电路中，Re的主要作用是＿＿。

选项：

A、提高差模电压放大倍数

B、抑制零漂

C、增大差模输入电阻

D、无

答案：【抑制零漂】10.单选题：差分放大电路利用恒流源代替Re是为了

选项：

A、提高差模电压放大倍数

B、提高共模电压放大倍数

C、提高共模抑制比

D、无

答案：【提高共模抑制比】11.单选题：单端输入差分放大电路的共模输入信号等于该输入端信号的一半。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】12.单选题：由于集成运放实际上是一个直接耦合放大电路，因此它只能放大直流信号，不能放大交流信号。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】13.单选题：集成运算放大器的共模输入电阻均比差模输入电阻大得多。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】14.单选题：对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模交流通路中，发射极电阻Re一概可视为短路。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】15.单选题：带有理想电流源的差分放大电路，只要工作在线性范围内，不论是双端输出还是单端输出，其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比，而与两个输入端电压本身的大小无关。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】16.单选题：在长尾式的差分放大电路中，当Re减小时，差模电压放大倍数不变

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】17.单选题：在长尾式的差分放大电路中，当Re减小时，共模电压放大倍数增大

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】18.单选题：在图示镜像电流源电路中，VT1、VT2特性相同且b足够大，现欲使电流源IC2增大，减小R2的阻值

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】19.单选题：在图示镜像电流源电路中，VT1、VT2特性相同且b足够大，现欲使电流源IC2增大，减小R1的阻值

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】20.单选题：在长尾式的差分放大电路中，当Re减小时，则静态工作电流IC2增大

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】第五章集成运算放大器的基本应用电路第五章集成运算放大器的基本应用电路单元测验1.单选题：图示电路中，已知A1、A2、A3是理想运算放大器。当输入电压为1V，输出电压为-6V?

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】2.单选题：积分电路如图所示，A为理想集成运算放大器，输入电压的波形如图示方波。已知输出电压的起始值为1V。试画出输出电压UO（t）的波形图5-3,请问是否正确？5-3

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】3.单选题：图示放大电路中，A1、A2为理想运算放大器。当Ui=2V时，测得负载电流IL＝0.6mA。电阻R1＝10k?

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】4.单选题：图示放大电路中，已知A1、A2为理想运算放大器。当输入电压为3.5V时，输出电压为7.5V?

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】第七章负反馈放大器第七章负反馈放大器1.单选题：要求闭环放大器电流增益稳定，应选用________________；

选项：

A、电压并联负反馈

B、电流并联负反馈

C、电流串联负反馈

D、电压串联负反馈

答案：【电流并联负反馈】2.单选题：电路如图，试判断电阻R3，R6的反馈类型

选项：

A、电流串联负反馈

B、电流并联负反馈

C、电压并联负反馈

D、电压串联负反馈

答案：【电流并联负反馈】3.单选题：电路如图，试判断电阻R2，R4的反馈类型

选项：

A、交流电压并联负反馈

B、交流电流并联负反馈

C、交流电流串联负反馈

D、交流电压串联负反馈

答案：【交流电压串联负反馈】4.单选题：要求闭环放大器输出电阻减小，输入电阻增大。应选用________________；

选项：

A、电压并联负反馈

B、电流串联负反馈

C、电流并联负反馈

D、电压串联负反馈

答案：【电压串联负反馈】5.单选题：由集成运放组成的反馈电路如图所示，试判断它的反馈类型

选项：

A、电压并联负反馈

B、电流串联负反馈

C、电压串联负反馈

D、电流并联负反馈

答案：【电流并联负反馈】6.单选题：电路如图，试判断电阻R2，R4的反馈类型

选项：

A、电流并联负反馈

B、电流串联正反馈

C、电压串联负反馈

D、电压串联正反馈

答案：【电流串联正反馈】7.单选题：电路如图，试判断电阻R3的反馈类型

选项：

A、电压并联负反馈

B、电压并联正反馈

C、电压串联负反馈

D、电流串联正反馈

答案：【电压并联正反馈】8.单选题：要求闭环放大器跨导增益稳定，应选用________________；

选项：

A、电压并联负反馈

B、电流串联负反馈

C、电压串联负反馈

D、电流并联负反馈

答案：【电流串联负反馈】9.单选题：电路如图，稳定直流工作点的极间反馈元件是

选项：

A、R3，R6

B、R2，R4

C、R3，R2

D、无

答案：【R3，R6】10.单选题：电路如图，试计算由R2，R4引起负反馈的闭环电压增益

选项：

A、1+R4/R2

B、1+R3/R6

C、R5//RL

D、无

答案：【1+R4/R2】11.单选题：由集成运放组成的反馈电路如图所示，试判断它的反馈类型

选项：

A、电压并联负反馈

B、电压串联负反馈

C、电流并联负反馈

D、电流串联负反馈

答案：【电压串联负反馈】12.单选题：由集成运放组成的反馈电路如图所示，试判断它的反馈类型

选项：

A、电压并联负反馈

B、电流串联负反馈

C、电压串联负反馈

D、电流并联负反馈

答案：【电流串联负反馈】13.单选题：由集成运放组成的反馈电路如图所示，试判断它的反馈类型

选项：

A、电压并联负反馈

B、电压串联负反馈

C、电流并联负反馈

D、电流串联负反馈

答案：【电压并联负反馈】第八章功率电路与电源管理第八章功率电路与电源管理1.单选题：在如图所示电路中，已知输入电压ui为正弦波；运算放大电路为理想运放；两只三极管饱和管压降Uces=3V，集电极最大允许功率损耗PCM=3W,负载电阻上可能获得的最大输出功率POM＝（）

选项：

A、28W

B、9W

C、14W

D、21W

答案：【9W】2.单选题：在如图所示电路中，已知输入电压ui为正弦波；运算放大电路为理想运放；两只三极管饱和管压降Uces=3V，集电极最大允许功率损耗PCM=3W,当负载电阻上获得的最大输出功率POM时，OCL电路的效率为多少？

选项：

A、78.5%

B、大于60％小于78.5％

C、小于50％

D、大于78.5%

答案：【大于60％小于78.5％】3.单选题：在如图所示电路中，已知输入电压ui为正弦波；运算放大电路为理想运放；两只三极管饱和管压降Uces=3V，集电极最大允许功率损耗PCM=3W,若最大输入电压