CN115621316B 体栅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 （无锡华润上华科技有限公司）

体栅横向双扩散金属氧化物半导体场效应本发明提供一种体栅横向双扩散金属氧化性相反的第二电压，以提高场效应管的反向耐2体栅结构，包括分布于所述辅助耗尽区内的多个体意相邻的两体沟槽栅列之间的体沟槽栅在第二方7.一种体栅横向双扩散金属氧化物半导体场效于所述体区表层形成第一导电类型的源区和第二导电类型3通过光刻工艺及刻蚀工艺于所述辅助耗尽区中刻蚀出多个沟槽，所述沟8.根据权利要求7所述的体栅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的制作方法，其于所述辅助耗尽区中形成的多个体沟槽栅沿第一方9.根据权利要求8所述的体栅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的制作方法，其于所述绝缘层中形成显露所述体沟槽栅的通孔，基于所述通基于所述通孔形成所述体沟槽栅的引出结构包括多个栅线，4[0002]横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS，laterally_diffusedmetal_oxidesemiconductor)是在高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功率述辅助耗尽区内的多个体沟槽栅以及所述体沟槽栅的引出56[0021]图1显示为本发明实施例的体栅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的三维立[0022]图2显示为本发明实施例的体栅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的截面结[0023]图3显示为本发明实施例的体栅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的在导通[0024]图4～图11显示为本发明实施例的体栅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的7[0045]需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘氧化物半导体场效应管全部特征形貌，图1中示意地切除了体沟槽栅上方的部分绝缘层和引出结构，其并不代表本实施例的体栅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的最终形本实施例提供一种体栅横向双扩散金属氧化物半导体场效应高电阻率的Si衬底，所述衬底的电阻率优选为60ohm﹒cm～140ohm﹒cm，本实施例的体栅[0048]如图2所示，所述第一导电类型的漂移区102形成于所述衬底101上。所述漂移区[0049]如图2所示，所述第二导电类型的体区104形成于所述漂移区102内，在本实施例8[0050]如图2所示，所述第一导电类型的源区106及所述第二导电类型的体引出区105形成于所述体区104表层，所述体引出区10大于所述漂移区102的掺杂浓度，所述缓冲区103的结深大于所述漏区108的结深且小于所缓冲区103可以有效提高场效应管在正向导通时的开态击[0052]如图2所示，所述第二导电类型的辅助耗尽区111形成于所述体区104与所述漏区108之间的漂移区102的表层。在本实施例中，所述辅助耗尽区111的深度范围2微米～4微[0054]如图2所示，所述体栅结构包括分布于所述辅助耗尽区111内的多个体沟槽栅100述绝缘层113中形成显露所述体沟槽栅的通孔，所述通孔及所述绝缘层上形成有所述体沟侧壁的槽内介质层109以及填充于所述槽内介质层109内的导电介质110，所述沟槽的深度栅100之间的间距为2微米～3微米。所述体沟槽栅100用于控制所述辅助耗尽区111内的所所述栅极结构107在器件做的作用不同，所述体沟槽栅100外接的电位与所述栅极结构107[0056]在本实施例中，多个所述体沟槽栅100沿第一方向间隔排布成多个体沟槽栅1009制端IO1、IO2、IO3……IOn施加的电压与所述栅极结构107不同或相同，且各独立控制端[0058]当所述场效应管关断时，所述体沟槽栅100施加与所述第一电压极性相反的第二[0059]如图4～图11所示，本实施例还提供一种体栅横向双扩散金属氧化物半导体场效[0067]步骤3_1)通过光刻工艺及刻蚀工艺于所述辅助耗尽区111中刻蚀出多个沟槽，所[0072]在本实施例中，多个所述体沟槽栅100沿第一方向间隔排布成多个体沟槽栅100第一方向为源区106朝向漏区108的方向(也即所述第一方向为器件的导电沟道长度方向)，[0074]在本实施例中，所述体区104自所述漂移区102的上表面穿透至所述漂移区102的辅助耗尽区111位于所述漏区108与所述体[0076]所述体引出区105的掺杂浓度为1E15cm_3～5E15cm_3，所述源区106的掺杂浓度为述缓冲区103的掺杂浓度优选为小于所述漏区108的掺杂浓度，且大于所述漂移区102的掺[0079]如图10所示，进行步骤7)，于所述源区106与所述漂移区102之间形成栅极结构基于所述通孔形成所述体沟槽栅100的引[0081]在本实施例中，基于所述通孔形成所述体沟槽栅100的引出结构包括多个栅线112，每一体沟槽栅100行由一栅线112引出，任一所述栅线112引出至一独立控制端IO1、[0084]本发明在漂移区102内形成一定深度且呈阵列排布的体沟槽栅100，体沟槽栅100述栅极结构107相同极性的第一电压例如与栅极结构107一同加电压，在体沟槽栅100附近体沟槽栅100列之间的体沟槽栅