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2023.02.01PCT/KR2021/00847520WO2022/030765KO2022.02.10KR20180041936A,2018.04.25用于调节氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比的本发明涉及一种能够调节氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比的蚀刻组合物及利用其的蚀刻方2a)相对于蚀刻液组合物的总重量的81至95重量％的无机酸，所述无机酸是选自由硫c)相对于蚀刻液组合物的总重量的0.002至0.05重量％的添加剂，所述添加剂是十二所述蚀刻氮化钛膜和钨膜的层叠体的步骤在50℃至90℃的在所述蚀刻氮化钛膜和钨膜的层叠体的步骤中，所述蚀刻液3[0001]本发明涉及一种在制造半导体元件的工艺中能够调节金属氮化膜对金属膜的蚀膜的蚀刻选择比的蚀刻液组合物及利用该组合物[0002]在半导体制造工艺中，钨膜用于半导体器件和液晶显示器的薄膜晶体管的栅电和钨膜同时以相同速度进行蚀刻或将两种膜以不同速度进行蚀刻的蚀刻选择比的工艺而[0006]韩国公开专利公报第10_2015_050278号记载了氮化钛膜和钨膜的层叠体用蚀刻4够将氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比调节为1至高选择比的范围而使用的蚀刻液钛膜对钨膜的蚀刻选择比在1至高选择比的范围进行调节的蚀刻基过氧化氢及2丁烷过氧化物所构成的群组中的任[0025]蚀刻液组合物的蚀刻工艺温度可以为50℃至90℃,为了提高蚀刻工艺的稳定性，硅或氧化硅膜等下层膜质的选择比也很优异，因此不仅能够广泛地适用于半导体制造工5酸的含量超过95重量％时，存在氮化肽膜和钨膜的蚀刻速度均过慢的问题(氮化钛膜的蚀于蚀刻液组合物的总重量，由化学式1表示的添加剂的含量为20至500重量ppm(0.002至6膜的蚀刻速度比氮化钛膜的蚀刻速度快，进而发生氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比不足1的[0048]将实施例和比较例的蚀刻液组合物以表1中记载的组成比投入到设置有磁棒的各789[
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