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道凤凰社区岭下路148号创者中心JP2009132828A,2009本发明公开了一种封装芯片用底部填充胶及其制备方法，封装芯片用底部填充胶包括10wt%~25wt%的有机硅杂化环氧树脂、10wt%~25wt%的固化剂、50wt%~70wt%的无机填料、0.1wt%~2wt%的固化促进剂以及0.1wt%~2wt%的部填充胶中无机填料的含量在50wt%以上，可以21.一种封装芯片用底部填充胶，其特征在于，包括10wt%~25wt%的有机硅杂化环氧树脂、10wt%~25wt%的固化剂、50wt%~70wt%的无机填料、0.1wt%~2wt%的固化促进剂以及所述无机填料为球形二氧化硅和球形空心玻璃微珠的混合物，所述5.一种权利要求1~4中任意一项所述的封装芯片用底部填充胶的制备方法，其特征在2wt%的固化促进剂以及0.1wt%~2w3提高通讯用高度集成的半导体器件的可靠性显[0007]一种封装芯片用底部填充胶，包括10wt25wt％的有机硅杂化环氧树脂、10wt25wt％的固化剂、50wt70wt％的无机填料、0.1wt2wt％的固化促进剂以及0.1wt2wt％的偶联剂。[0008]在一个实施例中，所述有机硅杂化环氧树脂选自X_40_2678、X_40_2669、X_40[0009]在一个实施例中，所述有机硅杂化环氧树脂为X_40_2669、KR4704氧基硅烷和3巯丙基三甲氧基硅烷中的至少一10wt25wt％的有机硅杂化环氧树脂、10wt25wt％的固化剂、50wt70wt％的无机填料、0.1wt2wt％的固化促进剂以及0.1wt2wt％的固化促进剂以及0.1wt2wt％的偶联剂。5X402669、日本信越X402728、日本信越KR甲氧基硅烷和3巯丙基三甲氧基硅烷中的至少一γ苯胺基丙基三甲氧基硅烷中的至少一种。6[0043]封装芯片用底部填充胶包括10wt25wt％的有机硅杂化环氧树脂、10wt%~~2wt％的偶联剂。硅(平均粒径为5μm)500g、硅烷偶联剂KBM_403(日本信越)9.0g、固化促进剂乙酰丙酮铝[0049]S1、将有机硅杂化环氧树脂KR_470(日本信越)8[0052]S1、将有机硅杂化环氧树脂KR_470(日本信越)5[0055]S1、将有机硅杂化环氧树脂KR_470(日本信越)30粒径为5μm)200g、球形二氧化硅(平均粒径为5μm)500g、硅烷偶联剂KBM_573(日本信越)15g、固化促进剂乙酰丙酮铝0.5g加入到反应釜中，以搅拌器转速为50rpm，分散器200~7甲酸二酐10g、球形空心玻璃微珠(平均粒径为5μm)450、球形二氧化硅(平均粒径为2μm)[0067]通过下面的试验对上述实施例1～5制得的封装芯片用底部填充胶以及对比例1~8[0079]对比表1中的测试结果，首先可以发现对比例1～2制得的参比环氧树脂底部填充9物的玻璃化转变温度115℃和124℃

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