CN117004997B 一种超低轮廓hvlp电解铜箔的生产方法及其用途 （九江德福科技股份有限公司）

一种超低轮廓HVLP电解铜箔的生产方法及本发明公开了一种超低轮廓HVLP电解铜箔以解决铜箔可加工性中尽量杜绝引入非铜金属为PCB产品的原料，从根本上消除铁磁性金属对2在酸性硫酸铜溶液中引入具有细化晶粒尺寸的光亮剂、直流电作用下电化学沉积在钛阴极的辊面生成具有超低轮所述整平剂为明胶、胶原蛋白或羟乙基纤维素(HEC)，电解液中整平剂选择S1中生成的超低轮廓生箔毛面为处理面，待开卷端放卷后将铜箔运为了提升电解铜箔在下游加工过程中的抗氧化通过电化学沉积工艺依次在微细粗糙化铜箔的光面在超低轮廓电解铜箔的毛面构建化学结合层，有针对性地2.如权利要求1所述的一种超低轮廓HVLP电解铜箔的生产3.如权利要求1或2所述的一种超低轮廓HVLP电解铜箔的生产方法，其特征在于:S1中3__15g/L；50g/L；5.如权利要求4所述的一种超低轮廓HVLP电解铜6.如权利要求1_5任一项所述的方法产出的超低轮廓HVLP电解铜箔的用途，其特征在4于:该HVLP超低轮廓电解铜箔用于与超低介电损耗常数的半固化片通过热压合制备得到覆5高速数字线路和毫米波通讯时代，新一代印制线路板(PCB,printedcircuitboard)中的信号完整性(SI,signalintegrity)，功率完整性(PI,powerintegrity)和电磁兼容性[0003]根据信号传输相关理论，信号在PCB中的损失αtotalc可分为介电损失αdielect[0009]在这一发明申请基础上更深入的研究又有新的发现：由于电导率和磁导率的不6通过直流电作用下电化学沉积在钛阴极的辊面生成具有超低轮[0022]通过电化学沉积工艺依次在微细粗糙化铜箔的光面和毛面同时沉积含锌的阻挡[0028]进一步的，S1中光亮剂为硫脲、聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)、3_巯基丙烷磺酸钠780g/L；200g/L；15ppm；15g/L；150g/L；50g/L；100g/L；0.5g/L；45g/L；8轮廓HVLP电解铜箔与超低介电损耗常数的半固化通过热压合制备得到覆铜板CCL；进一步[0076](1)超低的表面轮廓度，使用激光共聚焦显微镜测得成品箔毛面的线粗糙度Rz介[0079](4)不含铁磁性金属含量，表面处理功能层中NiCo等铁磁性金属元素含量为0mg/[0080](5)稳定的抗剥离性能，18μm成品箔与RogersRO4450F型碳氢树脂(PCH)半固化片层压后得到的覆铜板的抗剥离强度介于3.0_4[0081](6)出色的信号完整性，使用本发明生产的超低轮廓电解铜箔加工而成的印制线[0082]2.本发明与2023980g/L；200g/L；15ppm；15g/L；150g/L；50g/L；100g/L；0.5g/L；45g/L；[0145]上述方法产出的超低轮廓HVLP电解铜箔与超低介电损耗常数的半固化通过热压[0180]粗化颗粒平均尺寸约为500nm，使用激光共聚焦显微镜测得的毛面线粗糙度Rz为[0189]对本实施例中超低轮廓HVLP电解铜箔产品2、覆铜板CCL产品2、印制高频线路板[0200]对本实施例中超低轮廓HVLP电解铜箔产品3、覆铜板CCL产品3、印制高频线路板[0211]对本实施例中超低轮廓HVLP电解铜箔产品4、覆铜板CCL产品4、印制高频线路板[0221]对本实施例中超低轮廓HVLP电解铜箔产品5、覆铜板CCL产品5、印制高频线路板[0232]对本实施例中超低轮廓HVLP电解铜箔产品6、覆铜板CCL产品6、印制高频线路板[0241](2)调整了微细粗糙化处理过程中使用的添加剂：由30ppm的钨磷酸钾更换为浓[0242]对本实施例中超低轮廓HVLP电解铜箔产品7、覆铜板CCL产品7、印制高频线路板[0253]对本实施例中超低轮廓HVLP电解铜箔产品8、覆铜板CCL产品8、印制高频线路板[0259]本对比例与实施例1的不同之处在于调整了粗化过程中的工艺参数，粗化电解液[0266]对本对照例中超低轮廓HVLP电解铜箔产品9、覆铜板CCL产品9、印制高频线路板[0267]超低轮廓HVLP电解铜箔产品9的粗化颗粒平均尺寸约为1200nm，使用激光共聚焦[0282]实施例18的产品性能均十分稳定，超低轮廓HVLP电解铜箔产品的粗化颗粒平均在频率为8GHz时的插入损耗低于一0.89dB/in，在频率为12.89GHz时的插入损耗低于一[0292]为了更直观地反映本发明的实施效果，对以上实施例对借助场发射_扫描电子显微镜(FE_SEMZeiss,Sigma300)和激光共聚焦显微镜(Olympus,[0293]图1显示的是实施例1粗化过程中引入添加剂的成品箔SEM图像。从该图中可以观[0296]为了进一步观测添加剂引入后粗化组织的微观形貌，对实施例1的样品进行了离[0298]为了进一步研究HVLP铜箔的晶体特征，对实施例1中的样品进行了电子背散射衍而对比