CN117209281B 高精度可光固化打印碳化硅陶瓷浆料及制备方法、制备碳化硅陶瓷制品的方法 （西北工业大学）

高精度可光固化打印碳化硅陶瓷浆料及制本发明涉及一种高精度可光固化打印碳化合粉末，将SiC@SiO2微纳复合粉末与光敏树脂、碳源树脂和预聚物树脂和光引发剂和分散剂后成型的具有复杂结构的碳化硅坯体最小精度高达80μm，该数值与背景技术报道光固化碳化硅步烧结方法，既消除或减少引入的SiO2包覆层，又保证了碳化硅精细复杂结构的间隙不被明显2采用可控氧化包覆法制备SiC@SiO2微2壳层厚度大于或等于5nm且小于或等于15nm；所述分散剂为含有酸性基团共聚体溶液；所述碳源树脂为酚醛将SiC@SiO2陶瓷坯体经升温过程使所述碳源树脂碳化，随后在1400℃~1450℃下保温1h~2h使SiO2与碳生成SiC得到最后将碳化硅预烧坯置于气相渗硅炉中进行气相反应烧结得所述将碳化硅预烧坯置于气相渗硅炉中进行气相反应烧结为：反应温度为1450℃~3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述高速球磨预分散浆料的球磨转速为4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述微米级碳化5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述光引发剂包括2,4,6(三的升温速度升温至300℃,保温30min~1h；以不高于0.5℃/min的升温速度342壳层厚度大于或等于5nm且小于或等于15nm；5%~[0020]所述光敏树脂包括三羟甲基丙烷三丙烯酸和1,6~己二醇二丙烯酸酯中的一种或[0021]一种采用所述高精度可光固化打印碳化硅陶瓷浆料打印制备碳化硅陶瓷制品的[0023]将SiC@SiO2陶瓷坯体经升温过程使所述碳源树脂碳化，随后在1400℃~1450℃下保温1h~2h使SiO2与碳生成SiC得升温速度升温至450℃,保温30min~1h；以不高于0.2℃/min的升温速度升温至600℃,保温30min~1h；以不高于0.2℃/min的升温速度升温至1000℃,保温2h~4h；以不高于2℃/5化硅壳层可控包覆微米级晶态碳化硅核体，得到具有核壳结构的SiC@SiO2微纳米复合粉[0034]图2：SiC粉末在不同氧化温度与保温时间下包覆SiO2的微观状态与氧化包覆厚[0035]是实例1~5SiC粉末在不同氧化温度与保温时间下包覆SiO2的微观状态与氧化包6~1000℃并保温10~50min。[0048]所述光敏树脂包括三羟甲基丙烷三丙烯酸和1,6~己二醇二丙烯酸酯的质量比为10.5~2优选为1:1。[0052]所述预聚物与光敏树脂与质量比为11~4优选为1:1.2。7升温速度升温至450℃,保温30min~1h；以不高于0.2℃/min的升温速度升温至600℃,保温30min~1h；以不高于0.2℃/min的升温速度升温至1000℃,保温2h~4h；以不高于2℃/相渗硅炉中，反应温度为1450℃~1700℃时，优选为1650℃,Si的饱和蒸汽压为8Pa~197磨速率高速球磨时间12h得到高精度可光固化打印碳化硅8温到1000℃下保温10min，得到非晶态SiO2包覆层厚度为15nm的SiC@SiO2粉末，如图2所2℃/min的升温速度升以0.2℃/min的升温速度升温至1000℃,保温2h；以2℃/min的升温速度升温至1400℃,保2与C发生碳还原反应生成SiC得到碳化硅预烧坯；1℃/min的升温速度升92℃/min的升温速度升与C发生碳还原反应生成SiC得到碳化硅预1℃/min的升温速度升与C发生碳还原反应生成SiC得到碳化硅预1℃/min的升温速度升与C发生碳还原反应生成SiC得到碳化硅预[0116]图3为通过实施例1得到的最小精度高达80μm的高精度可光固化打印碳化硅陶瓷与C发生