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量子点光电探测器的基本理论基础综述目录TOC\o"1-3"\h\u1823量子点光电探测器的基本理论基础综述 [24]。图1.13刻蚀操作平台刻蚀技术主要分为干法刻蚀与湿法刻蚀。湿法（化学）刻蚀就是使用那些对某些物质有较强腐蚀性能的化学药品或试剂等来除去待腐蚀的材料。一些常见的标准处理搭配如采用氢氟酸而非其他强酸来腐蚀二氧化硅；使用磷酸腐蚀氮化硅；多晶硅则用硝酸辅以氢氟酸进行腐蚀；除了上述常见的几种情况，大多情况下一般采用多种酸的混合液对各种金属材料及相关合金进行化学腐蚀。要提升湿法腐蚀的效果，主要从腐蚀时间及环境温度两个方面来下手，调整适宜的腐蚀时间和环境温度能够较好地改善腐蚀效果。干法腐蚀（也被称作等离子刻蚀）所用的等离子气体是具有强烈化学活泼特性的射频淬离子气体。该工艺在应用时需要对气体进行准确控制，可以调节的变量有气压、流速、体积混合比和射频的功率。干法腐蚀和溅射非常类似并可以采用相同的仪器设备装置来进行。1.5本章小结总结一下，在本章之中主要围绕量子点场效应晶体管型光电探测器器件的相关基础理论进行了介绍。首先我们总体上介绍了量子点的概况，量子点是一种准零维的半导体纳米材料，有着量子尺寸效应和表面效应等一系列量子效应，且目前在社会生活方面的主要应用集中在太阳能电池、屏幕显示和光电探测等领域。除了介绍基本的内容，我们还说明了本文中之后实验流程中用到的有关量子点的光电性能的表征方法如XRD、TEM测试和吸收光谱分析等。而后是第二部分，主要围绕光电探测器的基本原理和描述器件性能的相关参数指标进行了讲解，明确了本文所使用的器件为光伏场效应晶体管型光电探测器，并以响应度、响应时间以及量子效率等来衡量其性能。在最后，

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