CN119395519A 四探针测量仪、四探针测量系统及四探针测量仪测量待测硅片的方法 （麦峤里(上海)半导体科技有限责任公司）_第1页
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自由贸易试验区祖冲之路2305号B幢仪测量待测硅片的方法，其中四探针测量仪包面形成良好的欧姆接触，提高硅片测量的稳定2所述控制模块根据所述上位机的采集指令控制所述前所述前置放大器与所述四探针测量仪的探针连接，用于根据所述采集所述控制模块将电压信号放大后再转换成数字信号发送给所述充电电路用于对所述电容进行充电；所述充电电路包括多条并所述放电电路用于对所述电容进行放电；所述放电电路包括四条并联3所述四条并联的放电支路连接于所述电阻的4[0002]四探针测量仪是测量半导体材料电阻率以及方块电阻的专用仪器，用于测量棒所述控制模块根据所述上位机的采集指令控制所述前5所述控制模块将电压信号放大后再转换成数字信号发送给所述充电电路用于对所述电容进行充电；所述充电电路包括多条并联的充电支所述放电电路用于对所述电容进行放电；所述放电电路包括四条并联的放电支所述四条并联的放电支路连接于所述电阻的6[0029]以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。根据下面的说明和附7述控制模块2发送采集命令；所述控制模块2根据所述上位机1的采集指令控制所述前置放当负电势的导电板5靠近半导体表面时，其原理如下：电场作用导致载流子重新分布，导电板5带负电，会在其周围产生电场，该电场会对半导体表面的载流子产生作用8本实施例提供了一种四探针测量仪测量待测硅片的方法，利用实施例1的四探针所述充电电路用于对所述电容进行充电；所述充电电路包括多条并联的充电支所述放电电路用于对所述电容进行放电；所述放电电路包括四条并联的放电支9本实施例提供了一种四探针测量系统测量待测硅片的方法，利用实施例3的四探根据所述待测硅片的性质，选择充电电路的其中一条充电支路对电容进行充电，[0052]本实施例的方法适用于待测硅片上有氧化层的情形，实施例2的方法适用于待测

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