标准解读

《QC/T 1270-2026 不停车收费系统 车载电子单元芯片 技术要求及试验方法》是针对不停车收费系统中使用的车载电子单元(OBU)芯片制定的标准。该标准规定了这类芯片在设计、制造过程中需要遵循的技术参数和性能指标,同时也详细描述了用于验证这些技术参数是否达标的测试方法。

对于芯片的技术要求部分,涵盖了工作环境条件、电气特性、通信协议支持、数据处理能力等多个方面。例如,在工作环境条件上,会明确指出温度范围、湿度等具体数值;电气特性则涉及功耗限制、供电电压适应范围等内容;通信协议支持主要指与不同类型的读写设备之间的兼容性要求;而数据处理能力则关注于信息加密解密速度、存储容量大小等关键指标。

此外,标准还特别强调了安全性方面的考量,包括但不限于防篡改机制的设计、用户隐私保护措施等,以确保整个系统的稳定性和可靠性。

至于试验方法部分,则为制造商提供了一套完整的流程来检测其产品是否符合上述所有技术规范。这包括但不限于环境应力筛选试验、功能验证测试、互操作性测试以及安全性能评估等环节。通过执行这些测试项目,可以全面检验出芯片的各项实际表现,并据此判断其是否满足使用需求。

此标准的发布实施,有助于统一国内不停车收费系统中车载电子单元芯片的质量标准,促进相关产业健康发展。


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  • 即将实施
  • 暂未开始实施
  • 2026-04-28 颁布
  • 2026-11-01 实施
©正版授权
QC/T 1270-2026不停车收费系统车载电子单元芯片技术要求及试验方法_第1页
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文档简介

ICS43.040.10

CCST36

中华人民共和国汽车行业标准

QC/T1270—2026

不停车收费系统车载电子单元芯片

技术要求及试验方法

Electronictollcollection—Onboardunitintegratedcircuits—

Technicalrequirementsandtestingmethods

2026‑04‑28发布2026‑11‑01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

QC/T1270—2026

目次

前言……………………………Ⅲ

1范围…………………………1

2规范性引用文件……………1

3术语和定义…………………1

4缩略语………………………2

5技术要求……………………2

5.1功能要求………………2

5.2电特性要求……………4

5.3射频性能要求…………………………5

5.4电磁兼容要求…………………………6

5.5环境及可靠性要求……………………7

6试验方法…………………10

6.1试验条件………………10

6.2试验信号………………10

6.3试验设备………………10

6.4功能试验方法…………………………11

6.5电特性试验方法………………………14

6.6射频性能试验方法……………………18

6.7电磁兼容试验方法……………………23

6.8环境及可靠性试验方法………………23

QC/T1270—2026

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。

本文件由全国汽车标准化技术委员会(SAC/TC114)归口。

本文件起草单位:博通集成电路(上海)股份有限公司、中国汽车技术研究中心有限公司、交通运输部

路网监测与应急处置中心、北京速通科技有限公司、斯凯瑞利(北京)科技有限公司、中汽研软件测评(天

津)有限公司、北京国家新能源汽车技术创新中心有限公司、北京网路智联科技有限公司、深圳市金溢科

技股份有限公司、北京万集科技股份有限公司、苏试宜特(上海)检测技术股份有限公司、上海季丰电子股

份有限公司、中国质量认证中心有限公司、比亚迪汽车工业有限公司、中汽研新能源汽车检验中心(天津)

有限公司、中国第一汽车集团有限公司、吉利汽车研究院(宁波)有限公司。

本文件主要起草人:王卫锋、王彦丰、季国田、吴含冰、甘梽甬、张北海、夏显召、李剑、尤鑫、朱彤、秦建军、

李勇、郑巍、吴倩、秦建良、熊江波、王庆飞、李予佳、曹俊、倪卫华、冯涛、高士艳、张洁、孔晓霜、黄瑞波。

QC/T1270—2026

不停车收费系统车载电子单元芯片

技术要求及试验方法

1范围

本文件规定了道路车辆不停车收费系统车载电子单元芯片技术要求及试验方法。

本文件适用于不停车收费系统车载电子单元芯片(以下简称“芯片”)。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文

件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本

文件。

GB/T4937.3半导体器件机械和气候试验方法第3部分:外部目检

GB/T4937.4半导体器件机械和气候试验方法第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST)

GB/T4937.26半导体器件机械和气候试验方法第26部分:静电放电(ESD)敏感度测试人

体模型(HBM)

GB/T4937.28半导体器件机械和气候试验方法第28部分:静电放电(ESD)敏感度测试带

电器件模型(CDM)器件级

GB/T20851.1—2019电子收费专用短程通信第1部分:物理层

GB/T20851.5—2019电子收费专用短程通信第5部分:物理层主要参数测试方法

GB/T35003—2018非易失性存储器耐久和数据保持试验方法

GB/T36477—2018半导体集成电路快闪存储器测试方法

GB/T36479—2018集成电路焊柱阵列试验方法

GB/T42968.1—2023集成电路电磁抗扰度测量第1部分:通用条件和定义

GB/T44937.1集成电路电磁发射测量第1部分:通用条件和定义

GB/T46894—2025车辆集成电路电磁兼容试验通用规范

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

上电复位poweronreset

电源电压上升高于某个阈值时,芯片内部产生的复位操作。

3.2

掉电复位powerdownreset

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