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文档简介

一种基于光阻剥离提升高压PMOS性能的方法本发明公开了一种光阻剥离提升高压PMOS有源区分别进行第二次离子注入和第三次离子法通过在离子注入过程中对光刻胶进行多次剥2S4、沿所述第一区域的径向向外延伸划定第二区域，S5、通过所述第二入口向所述基底的有源区分别进3[0002]BCD工艺是一种单片集成工艺技术，这种技术能够在同一芯片上制作Bipolar、[0003]RESURF(ReducedSurfaceField)技术是高压MOS设计的基本——通过调整器件操作同样会导致12V低压EDPMOS(漏极扩展金属氧化物半导体)的导通电流减小，导通电阻4[0020]本发明提供了一种基于光阻剥离提升高压PMOS性能的方法，针对BCD制程客户需求的操作电压种类繁多，平台开发过程经常需要相同的一套离子注入程序同时满足高/低提下调整离子注入的分布区域，有效改善高压PMOS无法被完全耗尽的问题，兼容了12V和人员通常理解的含义相同；本文在说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目等指示的方位或位置为基于附图所示的方位或位5技术是HVLDMOS设计的基本——通过调整器件结构和这注入浓度的设计，尽可能获得最大面旋涂光刻胶(PR)；6[0045]如表1所示为使用本发明的方法进行离子注入后的24VPMOS的击穿电压(BVD)变的前提下提高高压器件击穿电压的作用，为BCD制程种高压器件与低压器件的兼容

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