CN119403164A 一种ldmos器件的制备方法、ldmos器件 （合肥晶合集成电路股份有限公司）

本发明涉及一种LDMOS器件的制备方法、料采用专用的刻蚀机台，可以提高刻蚀的精准良率。此外形成的LDMOS器件由于覆盖遮蔽层的金属硅化物作为了LDMOS器件栅极的补充栅极，增加了导电沟道的长度，使得该LDMOS器件具有2于所述衬底以及所述栅极结构上依次形成遮蔽材料基于所述图形化光刻胶，采用第一刻蚀机台至少对所述自对准多晶硅材料层进行刻对所述自对准多晶硅层及其暴露出的所述衬底以及所述栅极结构的部分上表面进行2.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制备方法，采用所述第一刻蚀机台，对所述自对准多晶硅材料层以及预设厚度所述以所述自对准多晶硅层为掩膜层，或以所述自对准多晶硅层与3.根据权利要求2所述的LDMOS器件的制备方4.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，5.根据权利要求4所述的LDMOS器件的制备述第一遮蔽部的靠近所述自对准多晶硅层的一侧在所述衬底上的3第二遮蔽部与所述第一遮蔽部之间暴露出部分所述栅8.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制备方法准多晶硅层及其暴露出的所述衬底以及所述栅极结构的部分上表面进行金属硅化物工艺，于所述第一导电部、所述第二导电部、所述第三导电部以及遮蔽层，所述遮蔽层覆盖部分所述栅极结构与部分所述衬底，所述遮蔽金属硅化物层，所述金属硅化物层覆盖所述遮蔽层及暴露出的所述10.根据权利要求9所述的LDMOS器件，其特征在于，所述金属硅化物层包括第一导电4[0012]对所述自对准多晶硅层及其暴露出的所述衬底以及所述栅极结构的部分上表面5[0020]在其中一个实施例中，所述第二刻蚀机台包括第一子刻蚀机台与第二子刻蚀机大于所述第一遮蔽部的靠近所述自对准多晶硅层的一侧在所述衬67自对准硅化物遮蔽层，该方法为目前的刻蚀方案。多晶硅刻蚀机台刻蚀自对准硅化物遮蔽层时其均匀性难以控制，尤其是大晶圆，非常容易出现晶圆中心或者边缘的自对准硅化物8器件需要的暴露的区域为准设置开口，该图形化光刻胶05的开口的正投影与LDMOS器件的台还可以基于图形化光刻胶05对位于自对准多晶硅材料层04下面的遮蔽材料层03进行刻9M相邻的栅极结构02的部分上表面以及二者之间的衬底01，第二开口B暴露沿第一方向M相晶硅层06作为掩膜层时，第二刻蚀机台刻蚀遮蔽材料层03对自对准多晶硅层06的影响较去除至少部分图形化光刻胶05以及步骤S105采用第二刻蚀机台刻蚀遮蔽材料层03的不同预设厚度可以为1/3的遮蔽材料层03厚度或1/4的遮蔽材料层03厚度或1/2的遮蔽材料层03[0082]随后去除至少部分图形化光刻胶05，去除图形化光刻胶0[0087]刻蚀遮蔽材料层03时，暴露出第一开口A中的栅极结构02的部分上表面以及二者保证栅极结构02中侧墙的氧化硅层02d不被去除，可以让其与栅极结构02的侧墙形成一定[0093]相对于现有技术中采用一个刻蚀机台，直接刻蚀形成自[0097]随后去除至少部分图形化光刻胶05，去除图形化光刻胶0遮蔽部08a的靠近自对准多晶硅层06的一侧在衬底01上的第一子刻蚀机台进行干法刻蚀，其中第一子刻蚀机台可以为遮蔽材料层03的专用刻蚀机遮蔽部08b的厚度h小于第一遮蔽部08a离子体不会打击到氧化硅层02d，通过该方式可以进一步的将残留的遮蔽材料层03去除的[0115]相对于现有技术中采用一个刻蚀机台，直接刻蚀形成自本申请实施例提供的又一种LDMOS器件的部分结构化形成的金属硅化物与对栅极结构02的部分上表面金属化形成的金属硅化物层09共同作了刻蚀时需要刻蚀的材料刻蚀不干净或者由于过刻导致的材料损失，提高了产品的良率。此外，由于形成的LDMOS器件中的自对准多晶硅层06最后形成金属硅化物来作为栅极的补分上表面以及二者之间的衬底01，第二开口暴露沿第一方向M相邻的栅极结构02之间的衬接触结构10与第四导电部09d接触用于提供电[0130]该LDMOS器件由于金属硅化物层09中的第二导电部09b是通过对自对准多晶硅层