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文档简介

第二导电型柱交替排列而成；肖特基势垒二极2柱结构，所述柱结构在所述漂移层上，由多个第一导电型柱与多个所述杂质层的杂质浓度为1.0x1017cm_3以上且1.0x1020cm_3以下。形成漂移层的第一工序，在由第一导电型半导体形成的漏极所述源极层和所述主体接触层一起包围而成的沟所述第二工序中的离子注入工序包括角离子注所述第二工序、所述第三工序或所述第四工序中的所述离子注入工序从俯视图观察，所述离子注入杂质存在的区域面积大于所述掩膜上3在所述第四工序形成的凹部中填充半导体材料或绝缘材料的工4[0002]专利文献1(日本专利特开2013_102087号公报)公开了一种具有超结结构的半导及所述第二导电型主体层形成在所述肖特基势垒二[0017]在其中的一些实施例中，所述杂质层的杂质浓度为1.0×1017cm_3以上且1.0×5[0038]图5是用于说明实施方式1中的半导体装置的第二导电型杂质层的形成方法的示6等类似的词并不表示数量上的限制，它们可以是单数或者复数。在本申请中所涉及的术语[0048]多个源极层5分别形成在多个主体层4之上。多个源极层5由第一导电型碳化硅形7[0056]肖特基电极19形成在贯通主体接触层6与源电极层10并到达漂移层3而形成的凹垒二极管18及肖特基电极19是使用铝合金等通第一倾斜部A1与多个第二倾斜部A2在漂移层3的厚度方向上交替排列。第一倾斜部A1形成造方法进行说明。图2至图4是用于说明实施方式1中的半导体装置1的制造方法的剖视图。89[0086]图5是用于说明实施方式1中的半导体装置的第二导电型杂质层的形成方法的示多个第二倾斜部A2沿漂移层3的厚度方向交替具备肖特基势垒二极管的半导体装置1，该肖特基势垒二极管具有可获得稳定性能的超结或附图中所示例的组成要素的结构及排列的细节。该方法和装置可以在其他实施例中实

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