CN119403206A 半导体结构的形成方法 （深圳市昇维旭技术有限公司）

分叠层结构以及去除位于功能层的表面的叠层2形成初始半导体结构，所述初始半导体结构包括衬底、功能层和形成在各所述沟道的底壁和侧壁上形成叠层结构，且所述叠在各所述沟道内通入保护气体和辅助气体并进行反应，对具有所述保护层的所述叠层结构进行蚀刻，去除位于所述沟道述保护层在所述衬底上的正投影面积为所述沟道的开口在所述衬底上的正投影面积的十4.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述辅助气体包括氧在所述衬底上形成第一源漏极，所述第一源漏极在所述去除剩余所述保护层，露出所述牺牲层的侧壁，以使所述沟在所述第一侧壁、所述第二侧壁和所述第三侧壁共同组成的表面上随形形成半导体3在所述沟道的剩余开口部分内填充绝缘材料层，所述绝缘材在所述绝缘材料层和所述半导体层共同形成的表面上形成第二4的正投影面积为所述沟道的开口在所述衬底上5所述辅助气体的气体流量为100sccm～50[0022]多个所述沟道形成于所述导电层内，以使所述导电层形成多个间隔分布的导电层形成于所述导电层和所述衬底之间，所述阻挡层用于阻挡所述导电层向所述衬底内扩[0034]本公开提供的半导体结构的形成方法，通过在沟道内通6[0039]图3为本公开一种示例性实施例中半导体结构的衬底及第一源漏极的结构示意7泛的应用在电子电路中，具有开关控制、放大信号、稳压等作用。结型场效应晶体管其它膜层在刻蚀工艺中的蚀刻选择比不同，导致蚀刻后的沟道结构的侧壁形成缺陷1000，部分叠层结构120以及去除位于功能层的表面的叠层结构120，以露出衬底100和功能层的护层200可以对沟道2000侧壁上的膜层形成保护作用，保证了沟道2000侧壁和初始半导体[0063]下面将结合附图对本公开实施例提供的半导体结构的形成方法的各个步骤进行Si)衬底、SOI(绝缘体上硅，SiliconOnInsulator)或G8[0067]其中，功能层可以包括形成在衬底100上的导电层400。在形成第一源漏极310之(Ta)、钴(Co)、镍(Ni)等多中金属中的一种或者多种。导电层400可采用化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，CVD)，如常压化学气相沉积(AtmosphericPressureDeposition，LPCVD)、原子层沉积(AtomicLayerDeposition，ALD)；或物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)，如溅射(Sputtering)、电子束蒸发(E_beam阻挡层401可以阻止钨和其他金属原子在半导体器件中的扩散。阻挡层401可以为氮化钛垂直于衬底100方向上对导电部420和第一源漏[0071]对各子导电层410进行蚀刻可采用等离子体刻蚀(PlasmaEtching)、离子束刻蚀9化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，CVD)、物理气相沉积(PhysicalVapor[0074]氧化层122随形形成于绝缘层121上，其可以作为栅极氧化层122形成于初始半导(SiO2222O32O52O3[0075]牺牲层123随形形成于氧化层122上，牺牲层123可为后续形成结构的电连接结构2000内通入保护气体和辅助气体并进行反应，以在牺牲层123的表面随形形成保护层200，刻，去除位于沟道2000的底部的部分叠层结构120以及去除位于功能层的表面的叠层结构可以保证叠层结构120侧壁与初始半导体结构的表面交界处的刻蚀轮廓形状不被破坏，保化学反应，而生成的副产物可以被抽走或汽化，从而使得二氧化硅沉积牺牲层123的表面反应副产物水以气态形式被抽走，或可在形成保护层200的过程中对结构进行一定程度的沟道2000的侧壁上的叠层结构120的蚀刻速度要小于位于初始半导体结构表面的叠层结构结构侧壁与衬底100表面之间呈严格意义上的垂直(两者之间夹角为90度)或大致垂直，本500sccm等。保护气体和辅助气体的流量可以根据实际工艺需求在上述范围内进行适应性衬底100上的正投影面积为沟道2000的开口在衬底100上的正投影面积的十分之一至五分的厚度指的是在平行于衬底100方向上的保护层200的最大厚度(或者最小厚度)。保护层种膜层的刻蚀工艺中，解决了多个工艺中蚀刻缺陷的累积效应导致的器件性能下降的问利用保护层200对叠层结构120蚀刻后，会存在保护层200的剩余或残留，为了避免保护层方法还包括：去除剩余的牺牲层123，以暴露出第一侧壁1221、第二侧壁1222和第三侧壁[0094]在形成绝缘材料层600后，需在绝缘材料层600和半导体层500共同形成的表面上投影与导电部420在衬底100上的正投影不重合，即第二源漏极320位于沟道2000开口的顶护层200可以对沟道2000侧壁上的膜层形成保护作用，保证了沟道2000侧壁和初始半导体者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识