CN119403302A 一种AlGaN基紫外发光二极管器件LED及其制备方法 （北京大学）

一种AlGaN基紫外发光二极管器件LED及其本发明公开了一种AlGaN基紫外发光二极管器件LED及其制备方法。本发明提供的方法包括在GaN/蓝宝石模板上通过裂纹预置及填埋等外延工艺实现表面平整、无裂纹的紫外LED全结构光提取效率低的问题，还解除了紫外LED器件对外LED器件性能提升及产业应用具有重要意义，22.根据权利要求1所述的薄膜倒装型AlGaN基紫外发光二极管器件LED的制备方法，其3.根据权利要求1或2所述的薄膜倒装型AlGaN基紫外发光二极管器件LED的制备方法，4.根据权利要求1_3任一项所述的薄膜倒装型AlGaN基紫外发光二极管器件LED的制备5.根据权利要求1_4任一项所述的薄膜倒装型AlGaN基紫外发光二极管器件LED的制备6.根据权利要求1_5任一项所述的薄膜倒装型AlGaN基紫外发光二极管器件LED的制备7.根据权利要求1_6任一项所述的薄膜倒装型AlGaN基紫外发光二极管器件LED的制备8.根据权利要求1_7任一项所述的薄膜倒装型AlGaN基紫外发光二极管器件LED的制备9.根据权利要求1_8任一项所述的薄膜倒装型AlGaN基紫外发光二极管器件LED的制备10.权利要求1_9任一项所述制备方法获得的薄膜倒装型AlGaN基紫外发光二极管器件3然通过改善封装技术以及设计蓝宝石背面出光结构可以有效解除蓝宝石衬底/空气界面的决上述全反射问题的有效手段，对提高紫外LED的光提取效率及电光转换效率具有重要意InGaN蓝光LED及micro_LED中显示出[0006]本发明的目的是提供一种薄膜倒装型AlGaN基紫外发光二极管器件LED及其制备4尔分数为30％_100优选为60％_90如80％。通过控制所述预置裂纹层中Al组分的摩[0023]步骤S3中，所述AlGaN裂纹填埋层中，Al组分的摩尔分数为30％_90优选为[0028]步骤S4中，所述n_AlGaN层中Al组分的摩尔分数为20_10[0029]所述有源区多量子阱层为数个周期的AlGaN/AlGaN多量子阱结构，发光波长为5[0035]以所述p型电极为Ni/Au为例，其制备条件为：在O2氛围中于500_600℃退火250_[0041]第二方面，本发明提供所述制备方法获得的薄膜倒装型AlGaN基紫外发光二极管预置裂纹层及AlGaN裂纹填埋层，充分释放上层AlGaN与GaN模板之间晶格失配所导致的张[0049]图2为实施例1提供的薄膜倒装型AlGaN基紫外LED器件制备方法中步骤S1_S4得到[0050]图3为实施例1提供的薄膜倒装型AlGaN基紫外LED器件制备方法中步骤S6_S7的示6[0052]图4为实施例1提供的薄膜倒装型AlGaN基紫外LED芯片与对比例的出光功率对比[0060]S3：在预置裂纹层3上通过MOCVD方法外延生长600nm厚的Al0.65Ga0.35N层，作为7Al0.37Ga0.63N(2nm)/Al0.5Ga0.5N(10nm)多量子阱结构、10nm厚p_Al0.65Ga0.35N电子阻挡层、[0079]将实施例1所述薄膜倒装型AlGaN基紫外LED结构以及对比例1所述倒装型紫外LED[0080]在100mA工作电流下，实施例1所述薄膜倒装型AlGaN基紫外LED的出光功率达到