CN119403321A 发光元件、显示装置和制造发光元件的方法 （三星显示有限公司）

含在所述有源层中的半导体材料的晶格匹配的导体材料具有比包含在所述有源层中的所述半2包含在所述钝化层中的所述半导体材料具有比包含在所述有源层中的所述半导体材3.根据权利要求2所述的发光元件，其中，所所述钝化层完全围绕所述有源层的包括所述有源层的第一底表面第三钝化层，设置在所述第一钝化层的中心区处并接触所述有源层的所述第一底表蚀刻停止层，设置在所述第一钝化层与所述第二钝化层之间并且围绕所述第三钝化多个像素，所述多个像素中的每一个包括第一电极、3包含在所述钝化层中的所述半导体材料具有比包含在所述有源层中的所述半导体材所述钝化层完全围绕所述有源层的包括所述有源层的第一底表面第三钝化层，设置在所述第一钝化层的中心区处并接触所述有源层的所述第一底表所述第一钝化层与所述第二钝化层之间并且围绕所述第蚀刻所述绝缘层的一部分以暴露所述第二钝化层通过蚀刻所述第二钝化层的暴露的所述一部分来暴露所述蚀刻停止层的一在所述第一钝化层的暴露的所述一部分上顺序地形成第三钝所述第一钝化层、所述第二钝化层、所述第三钝化层和所述第四钝包含在所述第一钝化层、所述第二钝化层、所述第三述半导体材料具有比包含在所述有源层中的所述半导体材料的带隙能高所述形成所述有源层包括在所述第三钝化层上交替地形成包含AlGaInP的屏障层和包45[0002]本申请要求于2023年7月25日在韩国知识产权局提交的第10_2023_0096492号韩还通过包括虚拟现实(VR)装置和增强现实(AR)装置的各种类型的电子装置来采用使用发背景技术部分也可以包括不作为在本文中公开的主题的相应有效提交日期之前由相关领材料具有比包含在所述有源层中的所述半导体材料的带隙能高[0009]在实施例中，所述有源层可以包括包含GaInP的量子阱层和包含AlGaInP的屏障[0011]在实施例中，所述钝化层可以设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之6[0019]在实施例中，所述有源层可以包括包含GaInP的量子阱层和包含AlGaInP的屏障[0020]在实施例中，所述钝化层可以设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之导体材料具有比包含在所述有源层中的所述半导体材料的带7三钝化层和所述第四钝化层可以使用AlInP作为材[0028]本公开的各方面提供了一种其中有源层的表面可以围绕有包括与包含在有源层[0029]可以用具有比包含在有源层中的半导体材料的带隙能高的带隙能的半导体材料[0048]图34是示出根据实施例的包括显示装置的用于车辆的仪表组和中心仪表板的示8连接到或直接耦接到上面提及的另一元件，或者可以在所述元件和上面提及的另一元件之间设置居间元件。下方或者在第二物体的一侧，并且反之亦然。另外，术语“与……重叠(overlap或本领域普通技术人员将理解和领会的任何其他介于第一元件和第二元件之间的情况下，第一元件和第二元件可以被理解为彼此间接相9层EML的结构以及在有源层EML与钝化层PSV设置在钝化层PSV的一部分上的绝缘层INS、以及设置在第二半导体层SEM2上的接触电极[0071]基底SUB(也称为生长基底或制造基底)可以是用于形成发光元件LE的半导体基二极管(无机LED)。根据实施例，发光元件LE可以是发射红光AlGaInP的磷化物半导体材料形成的红色L[0080]第一半导体层SEM1可以设置在基底SUB上。第一半导体层SEM1可以由诸如磷化物[0082]根据实施例，第一半导体层SEM1可以是包括掺杂有n型掺杂剂的n_GaInP半导体层、n_AlGaInP半导体层和n_AlInP半导体层中的至少一种的单层半导体层或多层半导体层。例如，第一半导体层SEM1可以包括顺序地设置在基底SUB上的n_GaInP半导体层、n_AlGaInP半导体层和n_AlInP半导体层。可以以各种方式改变第一半导体层SEM1的材料和/[0083]有源层EML和钝化层PSV可以设置在第一半导体层SEM1上。有源层EML可以设置在[0084]有源层EML可以设置在第一半导体层SEM1和第二半导体层SEM2之间。响应于通过示，有源层EML可以具有其中量子阱层QWL和屏障层QBR彼此交替地堆叠的多量子阱MQW结[0086]根据实施例，有源层EML可以由诸如磷化物半导体材料和氮化物半导体材料的无[0088]钝化层PSV(也称为钝化膜)可以覆盖有源层EML的包括侧表面(或多个侧表面)的化层PSV的不同部分的第一钝化层PSV1、第二钝化层PSV2、第三钝化层PSV3和第四钝化层[0089]第一钝化层PSV1可以设置在第一半导体层SEM1和有源层EML之间。第一钝化层PSV1可以是钝化层PSV的覆盖第一半导体层SEM[0090]第二钝化层PSV2可以设置在第一钝化层PSV1的不与有源层EML重叠的外围区处。第二钝化层PSV2可以是钝化层PSV的围绕有源层EML的侧表和第四钝化层PSV4可以分别与有源层EML的侧表面、有源层EML的第一底表面和有源层EML[0094]钝化层PSV可以包括可以抑制由于有源层EML的表面缺陷而导致的效率的降低的包含在有源层EML中的至少一种半导体材料(例如，形成图2的量子阱层QWL和屏障层QBR的[0096]蚀刻停止层EST可以设置在第一钝化层PSV1和第二钝化层PSV2之间。蚀刻停止层[0097]蚀刻停止层EST可以设置在有源层EML下方(或下面)，但不与有源层EML重叠。例上，并且可以包括与有源层EML成一直线的开口。第三钝化层PSV3可以设置在蚀刻停止层[0098]蚀刻停止层EST可以包括可以用作蚀刻停止层的材料，使得在制造发光元件LE的可以包括可以在蚀刻钝化层PSV的工艺期间充当适当蚀刻停止层的半导体材料。根据实施如，蚀刻停止层EST可以形成为包含AlInP并且在没有掺杂的情况下制造的本征半导体层[0100]第二半导体层SEM2可以设置在有源层EML和钝化层PSV上。例如，第二半导体层[0101]第二半导体层SEM2可以由诸如磷化物半导体材料和氮化物半导体材料的无机材[0103]根据实施例，第二半导体层SEM2可以是包括掺杂有p型掺杂剂的p_AlInP半导体层、p_AlGaInP半导体层和p_GaP半导体层中的至少一种的单层半导体层或多层半导体层。例如，第二半导体层SEM2可以包括顺序地设置在钝化层PSV上的p_AlInP半导体层、p_AlGaInP半导体层和p_GaP半导体层。可以以各种方式改变第二半导体层SEM2的材料和/或[0104]绝缘层INS可以设置在钝化层PSV的一部分(例如，钝化层PSV的不与有源层EML重叠的外围区)上。绝缘层INS可以覆盖钝化层PSV的外围区并且至少部分地覆盖第二半导体[0106]接触电极CTE可以设置在发光元件LE的其上设置有第二半导体层SEM2的一个端部[0107]接触电极CTE可以保护第二半导体层SEM2，并且将第二半导体层SEM2平稳地连接比形成有源层EML的半导体材料具有高的带隙能(例如，在大约2.3eV至大约2.4eV的范围据上述实施例，通过抑制发光元件LE的表面缺陷并通过钝化层PSV防止或减少电子和空穴的半导体化合物)的钝化层PSV围绕，该半导体材料具有与包含在有源层EML中的半导体材发光元件LE的表面缺陷。通过用具有比包含在有源层EML中的半导体材料高的带隙能的半[0114]根据实施例，第二钝化层PSV2和绝缘层INS可以具有下表面比上表面宽的梯形截件LE设置的方向或发射效率等，可以适当地调节形成在发光元件LE中的倾斜表面ICS的位光元件LE的示意性截面图。例如，图5和图6示出了根据不同实施例的钝化层PSV和绝缘层[0117]结合图1至图4参考图5和图6，发光元件LE可以包括彼此部分地连接并且定位(或[0118]辅助发光元件LEa、LEb和LEc可以具有彼此连接的、包括第一半导体层SEM1的部[0119]辅助发光元件LEa、LEb和LEc可以具有与根据上面参考图1至图4描述的实施例的调节形成倾斜表面ICS处的角度来调节或改善发光元件图4至图6的实施例的发光元件LE可以通过与制造根据图1的实施例的发光元件LE的方法基PSV1可以由具有与包括在有源层EML中的半导体材料的晶格匹配或相同的晶格并且具有比PSV2可以由具有与包括在有源层EML中的半导体材料的晶格匹配或相同的晶格并且具有比[0129]可以通过利用诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、金属有机气相外延(MOVPE)、分子束外延(MBE)、液相外延(LPE)和气相外延(VPE)的工艺技术的外延生长来形成第一半与要形成有源层EML等的区(例如，具有包括要形成发光元件LE的区的中心的可选形状和/二钝化层PSV2的方法不限于此。蚀刻停止层EST的一部分可以通过第二钝化层PSV2的开口EST可以被图案化以具有具备位置和尺寸与要形成有源层EML的区对应的开口。根据实施层EST的方法不限于此。第一钝化层PSV1的一部分(例如，与要形成有源层EML的区对应的[0135]结合图1至图15参考图16至图19，可以在第一钝化层PSV1的一部分被暴露的图案PSV3可以由具有与包括在有源层EML中的半导体材料的晶格匹配或相同的晶格并且具有比钝化层PSV3上交替地形成包含AlGaInP的屏障层QBR和包含GaInP的量子阱层QWL来形成具PSV4可以由具有与包括在有源层EML中的半导体材料的晶格匹配或相同的晶格并且具有比[0142]图20至图24是示出根据实施例的制造发光元件LE的方法图20至图24是示出根据图5和图6的实施例的制[0144]结合图1至图20参考图21和图22，可以顺序地蚀刻掉发光区域LEA之间的绝缘层直蚀刻发光区域LEA之间的绝缘层INS和第二钝化层PSV2来制造根据图5的实施例的发光元虑发光元件LE的发射效率来调节形成倾斜表面ICS的角[0147]图25至图27是示出根据实施例的制造发光元件LE(见图24)的方法的示意性截面这种方式，辅助发光元件LEa、LEb和LEc可以在第一半导体层SEM1的给定高度上方彼此分个中形成接触电极CTE的工艺。各自包括至少两个辅助发光元件LEa、LEb和LEc的发光元件LE可以同时制造在包括发光区用硅晶圆的半导体工艺形成的半导体电路基底101(见图31)上设置有发光二极管作为发光素PX中的每一个可以被定义为能够通过组合从发光元件LE发射的光显示白光的最小发光第二光的主峰值波长G一峰值可以在大约480nm至大约560nm的范围内，但是实施例不限于[0162]在显示区域DA中，第一发光元件LE1和第三发光元件LE3可以在第一方向DR1上交发光元件LE4可以在第一斜线方向DD1和第二斜线方向DD2上顺序且重复地布置。第一斜线个像素PX中的每一个中，第一发光元件LE1和第二发光元件LE2可以布置在第一斜线方向邻的第二发光元件LE2与第三发光元件LE3之间的距离、彼此相邻的第一发光元件LE1与第四发光元件LE4之间的距离以及彼此相邻的第三发光元件LE3与第四发光元件LE4之间的距修改多个发光元件LE中的每一个的尺寸和/或[0168]非显示区域NDA可以包括第一公共电压供应区域CVA1、第二公共电压供应区域供应区域CVA1和第二公共电压供应区域CVA2中的每一者可以包括连接到公共电极(例如，[0170]第一公共电压供应区域CVA1的公共电极连接器CVS可以电连接到第一焊盘区域PDA1的多个第一焊盘PD1中的一个。例如，第一公共电压供应区域CVA1的公共电极连接器CVS可以从第一焊盘区域PDA1的多个第一焊盘PD1中的一[0171]第二公共电压供应区域CVA2的公共电极连接器CVS可以电连接到第二焊盘区域以从第二焊盘区域PDA2的多个第二焊盘中的一盘区域PDA1可以包括连接到外部电路板的第[0177]像素PX的第一发光元件LE1、第二发光元件LE2和第三发光元件LE3可以在第一方可以布置在第一方向DR1上。第一发光元件LE1可以布置在第二方向DR2上。第二发光元件[0178]图31是示出沿着图30的线X1_X1'截取的显示面板100的截面的示例的示意性截面[0179]结合图1至图30参考图31，显示面板100可以包括半导体电路基底101和发光元件[0182]多个像素电路PXC中的每一个可以设置在第一基底110上。多个像素电路PXC中的电极ET1一一对应地连接。多个像素电路PXC可以分别向与其连接的第一电极ET1施加像素[0184]第一电极ET1可以设置在显示区域DA中。第一电极ET1可以设置在各个像素电路可以从像素电路PXC的上表面突出。多个第一电极ET1中的每一个可以从像素电路PXC接收[0185]公共电极连接器CVS可以设置在非显示区域NDA的公共电压供应区域(例如，第一的相应一个暴露的电极。例如，多个公共电极连接器CVS中的每一个可以从多个像素电路[0186]第一焊盘PD1可以设置在非显示区域NDA的第一焊盘区域PDA1中。多个第一焊盘[0187]电路板300可以是柔性印刷电路板(FPCB)、印刷电路板(PCB)、柔性印刷电路合构件将半导体电路基底101和电路板300附接到下基[0189]多个发光元件LE可以分别设置在多个第一电极ET1上。多个发光元件LE中的每一个可以连接在多个第一电极ET1中的相应一个与第二电静电方式或者通过使用诸如聚二甲基硅氧烷(PDMS)和硅的弹性聚合物材料作为转移基底具有根据上面参考图1至图27描述的多个实施例中的至少一个的结构的第一发光元件LE1以及具有与第一发光元件LE1的结构不同的结构的第二发光元件LE2和第三发光元件LE3。一者可以具有与第一发光元件LE1的结构基本上相似或[0195]第一发光元件LE1的钝化层PSV可以包括具有与包含在有源层EML中的半导体材料第一发光元件LE1的表面缺陷，并且改善第一发光元件LE1和包括第一发光元件LE1的像素[0196]第一发光元件LE1的钝化层PSV可以由具有比包含在有源层EML中的半导体材料的并且可以改善第一发光元件LE1和包括第一发光元件LE1的层INSa和接触电极CTEa中的至少一者。绝缘层INSa可以围绕第一半导体层SEM1a、有源层EMLa和第二半导体层SEM2a。接触电极CTEa可以设置在第二发光元件LE2的第二半导体层极ET1与第二发光元件LE2的第二半导体层SE层INSb和接触电极CTEb中的至少一者。绝缘层INSb可以围绕第一半导体层SEM1b、有源层EMLb和第二半导体层SEM2b。接触电极CTEb可以设置在第三发光元件LE3的第二半导体层极ET1与第三发光元件LE3的第二半导体层SE发光元件。例如，第二发光元件LE2和第三发光元件LE3可以是由磷化物半导体材料(诸如[0200]根据实施例，第二发光元件LE2可以是由氮化物半导体材料形成并发射绿光的绿[0201]根据实施例，第三发光元件LE3可以是由氮化物半导体材料形成并发射蓝光的蓝[0202]第二发光元件LE2和第三发光元件LE3的绝缘层INSa和INSb可以包括选自氧化硅2)和氧化铪(HfOx)中的至少一种绝缘材料或其他绝缘材料。第一发光元可以在制造工艺期间用作用于将发光元件LE与第一电极ET1粘附和/或连接的接[0205]第二电极ET2可以通过设置在公共电压供应区域(例如，第一公共电压供应区域CVA1和/或第二公共电压供应区域CVA2)中的连接电极CNE电连接到半导体电路基底101的公共电极连接器CVS。因此，第二电极ET2可以通过半导体电路基底101的公共电极连接器[0211]尽管图32示出了包括眼镜腿30a和30b的虚拟现实装置1，但是作为根据实施例的显示装置10_1中的图像可以由反射构件40反射并通过左眼镜片10a提供到用户的左眼。因的仪表组和中央仪表盘的示例。图34示出了其中应用根据实施例的显示装置10_a、10_b、以应用于车辆的中央仪表盘，或者可以应用于车辆的设置在仪表板上的中心信息显示器显示在显示装置10_3中的图像IM，而且可以观察定位在透明显示装置后侧的物体RS或背