CN119403324A 光学部件的制造方法和发光装置 （日亚化学工业株式会社）

本发明提供一种与覆盖部件之间的密合性第1表面和位于所述第1表面的相反侧的第2表所述波长转换部件的内部形成改质部的形成步骤；及从所述第1表面侧按压所述波长转换部件并以所述改质部为起点来切断所述波长转换部2准备包含荧光体颗粒的多晶体的波长转换部件将激光聚光于所述波长转换部件的内部以在所述波长转换部件的内部形成改质部的从所述第1表面侧按压所述波长转换部件并以所述改质部为起点来切断所述波长转换从所述第1表面侧对所述波长转换部件进行所述形成步骤中，所述改质部形成在自所述波长转换部件的所述第2表面起的深度为所述改质部的在所述波长转换部件的深度方向上的长度为所述波长转换部件的厚度所述改质部的在与所述波长转换部件的所述第2表面平行的方向上的宽度为1μm以上覆盖部件，露出所述光学部件的上表面，并覆盖所述光学部件所述光学部件为包含荧光体颗粒的多晶体的波长转换部件，在所述波面的高度方向上的不同位置处包括所述荧光体颗粒的颗粒表面露出的第1区域和所述荧光所述第1区域的表面粗糙度大于所述第2区域的表面所述第1区域的表面粗糙度的算术平均粗糙3所述第1区域沿所述光学部件的下表面的外缘配置在所述光学部件的所有4表面上形成分割沟并沿分割沟切断基材以获得波长转换部件的方法以及由树脂等的反射[0009]本公开的一个实施方式的光学部件的制造方法具有：准备具有第1表面和位于所及从所述第1表面侧按压所述波长转换部件并以所述改质部为起点来切断所述波长转换部5[0050]下面参见附图对本发明的实施方式的制造方法和藉由该制造方法而得的光学部6用省略了一部分要素的图示的示意图或者作为[0053]图1是对第1实施方式的光学部件进行示意表示的斜视图。图2是沿图1的II_II线作构成发光装置的发光面的部件。光学部件50使从发光元件射出的光自第2表面50b入射，[0058]光学部件50在侧面50c的高度方向(Z方向)上的不同位置处包括(具有)荧光体颗[0059]光学部件50具备沿光学部件50的第1表面50a的外缘连续配置在光学部件50的所束)来形成改质部50d。改质部50d是构成包含荧光体颗粒的多晶体的光学部件50的各个材7[0062]这样，光学部件50在侧面50c的高度方向上的不同位置处具有荧光体颗粒的颗粒面50c中由第1区域51构成的面积大于由第2区域52构成的面积。在具备光学部件50和覆盖51中的表面凹凸形状的锚定效果(anchoreffect)可提高与覆盖部件6藉由使光学部件50在侧面50c的与侧面50c的上端平行的位置处具有第2区域52，可抑制未5O123O12O12)6Cl24Al14O25：N)42Si5N8N42SiF62满足0<x<1)或MGF系2FA和MA分别表示甲脒(formamidinium)和等。[0068]光学部件50中所含的荧光体颗粒的平均粒径例如可为1μm以上且30μm以下。光学8学部件50的剖面进行拍摄而得的SEM图像中，对由晶界分隔的结晶相的剖面中的最大宽度度的平均值作为粒径，并将相同倍率的SEM图像中的特定范围内的粒径的算术平均值作为件具有第1表面和位于第1表面的相反侧的第2表面，且为包含荧光体颗粒的多晶体的波长转换部件；向波长转换部件的内部汇聚激光以在波长转换部件的内部形成改质部的步骤；及从第1表面侧按压波长转换部件并以改质部为起点对波长转换部件进行表面50a和位于第1表面50a的相反侧的表面即第2表面50b以及与第1表面50a和第2表面50b域50R的边界藉由沿X方向延伸的直线形状的两点划线和沿Y方向延伸的直线形状的两点划垂直的方向照射激光La。激光La的照射位置位于第2表面50b中表示区域50R的边界的两点部50d的位置(部分)以改质部50d为起点沿晶界破裂，为此改质部50d在俯视图中形成为直9表示区域50R的边界的两点划线沿X方向存在多条(此处为3条)，则沿这些线照射激光La以的配置，可降低形成改质部50d时因激光La的照射而造成的对第1表面50a和第2表面50b的面50b至改质部50d的最接近第2表面50b的位置为止[0085]考虑到波长转换部件50S的切断的容易性以及与发光装置1中的覆盖部件60之间[0086]通过将改质部50d的长度L设为波长转换部件50S的厚度T的2％以上，并将改质部取效率的观点来看，改质部50d的长度L和波长转换部件50S的厚度T也优选位于上述范围[0088]需要说明的是，改质部50d是在激光La的聚光位置处的能量超过构成波长转换部压部件320从第1表面50a侧对波长转换部件50[0094]按压部件320可一次性按压整个第1表面50a，也可按压第1表面50a的一部分。其[0096]需要说明的是，从第1表面50a侧难以观察到在波长转换部件50S的内部形成的改按压部件320一边在第1表面50a上移动一边沿一个方向进行按压，即使不确切知道改质部50d的形成方向的标记，也可容易使改质部50d的形成方向与按压部件320的按压位置的移[0097]如图1和图2所示，藉由切断而得的每个光学部件50在侧面50c的高度方向上的不同位置处均具有荧光体颗粒的颗粒表面露出的第1区域51和荧光体颗粒的颗粒剖面露出的[0109]图7是对第2实施方式的发光装置进行示意表示的斜视图。图8是沿图7的VIII_光元件20具有4个大致为矩形或梯形的侧面20c。发光元件20的上表面20a的形状也可为三[0113]导光部件40连续覆盖与发光元件20的上表面20a和上表面20a相连的多个侧面面20c和光学部件50的下表面相接的侧面40c。导光部件40优选覆盖发光元件20的各侧面50为包含荧光体颗粒的多晶体的波长转换部件，在侧面50c的高度方向上的不同位置处具[0115]光学部件50的第1表面50a构成作为发光装置1的光提取面的发光装置1的上表面配置为使得光学部件50的第2表面50b与发光元件20的上表面20a大致平行。光学部件50的学部件50优选被配置为使得在俯视图中光学部件50的第2表面50b内包(包含)发光元件20。光部件40优选在俯视图中覆盖与发光元件20的上表面20a不重叠的光学部件50的第2表面由导光部件40从光学部件50的第2表面60也可覆盖从发光元件20的导光部件40露出的侧面20c和发光元件20的下表面2覆盖部件60由第1覆盖部件61和第2覆盖部件62构成。第1覆盖部件61例如设置在配线基板盖部件62可覆盖光学部件50的侧面的一部分和保护元件30的侧面的一部[0121]第2覆盖部件62的侧面与配线基板10的基材11的侧面一起构成发光装置1的侧的上表面上设置的上表面配线12和在与上表面的相反侧的下表面上配置的下表面配线13。外，配线基板10在基材11的内部和/或侧面上还可具备用于连接上表面配线12和下表面配[0130]发光元件20优选可使用发光二极管(LED)芯片、半导体激光(LD)芯片等的半导体向配线基板10侧的方式倒装(flip-chipmounted)在配线基板10上。发光元件20的多个电体结构体包含n侧半导体层、p侧半导体层及夹在n侧半导体层和p侧半导体层之间的活性体包括由氮化物半导体构成的多个半导体层。氮化物半导体包含所有具有由化学式[0132]发光元件20可在1个支撑基板上具有1个半导体结构体，也可在1个支撑基板上具具有多个发光层的半导体结构体的结构可为在1个n侧半导体层和1个p侧半导体层之间包接的n电极和与p侧半导体层连接的p电极。p电极和n电极可配置在半导体层叠体的不同表覆盖部件61和第2覆盖部件62中的每一个均可使用从作为覆盖部件60的材料而例示的上述件20的下表面20b的第1覆盖部件61可使用低弹性和低线性膨胀的材料来减轻树脂膨胀而光被覆盖部件60和配线基板10反射，经由导光部件40和光学部件50被提取至发光装置1的荧光体颗粒的颗粒表面露出的第1区域51和荧光体颗粒的颗粒剖面露出的第2区域。并且，区域51与成为发光装置1的发光面的光学部件50的上表面相连地进行配置，可抑制发光装的高度方向上的不同位置处均确认到了荧光体颗粒的颗粒表面露出的第1区域和荧光体颗[0158]准备具有第1表面和位于所述第1表面的相反侧的第2表面且包含荧光体颗粒的多[0159]将激光汇聚于所述波长转换部件的内部以在所述波长转换部件的内部形成改质[0160]从所述第1表面侧按压所述波长转换部件并以所述改质部为起点来切断所述波长[0172]所述形成步骤中，所述改质部形成在自所述波长转换部件的所述第2表面起的深[0175]所述改质部的在所述波长转换部件的深度方向上的长度为所述波长转换部件的[0178]所述改质部的在与所述波长转换部件的所述第2表面平行的方向上的宽度为1μm换部件的侧面的高度方向上的不同位置处包括所述荧光体颗粒的颗粒表面露出的第1区域[0198]所述第1区域沿所述光