CN119403332A 一种鳍型三色集成Micro-LED显示器件及其制备方法 （湖南大学）

一种鳍型三色集成Micro-LED显示器件及其本发明公开了一种鳍型三色集成Micro_LED电极层，LED单元与电极层穿插排列且呈鳍型固定在驱动基板凹槽区内，两电极层分别组成LEDbar单元的最外侧两层；该方法是通过晶圆垂直蚀刻后的LEDbar单元旋转水平放置在驱动基板而提高LED像素22.根据权利要求1所述的鳍型三色集成Micro_LED3.根据权利要求1所述的鳍型三色集成Micro_L5.根据权利要求1所述的鳍型三色集成Micro_LED显示器件，其特征在于：所述LED6.根据权利要求1所述的鳍型三色集成Micro_LED显示器件，其特征在于：所述LED单元的材料体系为AlGaInN或AlGaInP或AsGaInP基Ⅲ_Ⅴ族化合物中的一种，每个所述LED8.一种鳍型三色集成Micro_LED显示器件的制作S4、在绿光LED表面沉积第二电极层，将蓝光LED键合S7、通过巨量转移的方式将LEDbar单元转移至驱动基板的凹槽区，快速退火将LED3对于LEDbar单元的电极层与驱动基板上的焊点对准后采用快速退火对焊点进行热处理，4[0001]本发明涉及光学半导体领域，尤其是涉及一种鳍型三色集成Micro_LED显示器件强现实等技术领域具有重大的商业价值。但是目前主流应用的垂直堆叠三色Micro_LED存在不同波长LED键合金属遮挡出光面的问题，亦或是不同波长LED之间光串扰以及短波长[0004]如何在保证良率的前提下提高三色集成LED的出光效率以及显示饱和度是一项亟。。5。[0012]可选的，每个所述LED单元的材料体系为AlGaInN或AlGaInP或AsGaInP基Ⅲ_Ⅴ族S7、通过巨量转移的方式将LEDbar单元转移至驱动基板的凹槽区，快速退火将可选的，对于LEDbar单元的电极层与驱动基板上的焊点对准后采用快速退火对该项制备方法对比现有主流垂直堆叠三色Micro_LED，由于该工艺方法是晶圆堆叠键合后图3是本申请鳍型三色集成Micro_LED显示器件的制备方法中第一步的结构示意图4是本申请鳍型三色集成Micro_LED显示器件的制备方法中第二步的结构示意图5是本申请鳍型三色集成Micro_LED显示器件的制备方法中第三步的结构示意6图6是本申请鳍型三色集成Micro_LED显示器件的制备方法中第四步的结构示意图7是本申请鳍型三色集成Micro_LED显示器件的制备方法中第五步的结构示意图8是本申请鳍型三色集成Micro_LED显示器件的制备方法中第六步的结构示意图9是本申请鳍型三色集成Micro_LED显示器件的制备方法中第七步的结构示意[0019]驱动基板1中设有驱动电路，驱动电路用于将电信号提供给LEDbar单元2以控制[0021]可以理解的是，本申请通过使凹槽区102与LEDbar单元2高度的差值，满足：7[0024]可以理解的是，本申请通过使凹槽区102与LEDbar单元2宽度和长度的差值，满[0025]如图11所示，红光LED203、绿光LED202及蓝光LED201的材料体系为AlGaInN或[0026]请参见图3至图9，本申请的第二方面提供一种鳍型三色集成Micro_LED显示器件分步沉积热熔性连接层4及第四电极层214，热熔性连接层4材料可以是低熔点合金或者有光对准加热将LEDbar单元2准确地从暂态基板3上火将LEDbar单元2的电极层21与驱动基板1上的焊点101连接，并在驱动基板1表面沉积一[0028]对于驱动基板1表面的钝化层8可以是sio2、Al,03、zro2、AlN、Tio2、8[0029]该项制备方法对比现有主流垂直堆叠三色Micro_LED，由于该工艺方法是晶圆堆9