CN119403339A 防串扰的微显示发光像素及其制作方法 （诺视科技(苏州)有限公司）

本发明公开一种防串扰的微显示发光像素21.一种防串扰的微显示发光像素，其特征在于，所述微显示发光像素尺寸在0.5um~显示模组，所述显示模组设于所述驱动背板之上，所述显示模单元通过填充有金属材料的所述通孔与所述驱动背第一沟槽结构，所述第一沟槽结构贯穿于所述第一绝缘层中，端与所述第一发光单元中的第一N型欧姆接触层相连，另一端与所述驱动背板的上表面相第二绝缘层，所述第二绝缘层填充形成在所述第一显示器件层第二沟槽结构，所述第二沟槽结构贯穿于所述第二绝缘层、所述第一N型欧姆接触层所述第二沟槽结构的宽度小于所述第一沟槽结构第二发光单元，所述第二发光单元中的第二P型欧姆接触层与所述驱动背板之间具有二发光单元中的第二N型欧姆接触层的表面覆设有部分的第三沟槽结构，所述第三沟槽结构贯穿于所述第三绝缘层中，所述第二发光单元的侧壁、所述驱动背板的表面覆设有钝化层，所所述侧边阴极层覆设于所述第三绝缘层远离所述驱动背板的在所述侧边阴极层覆设于所述第三绝缘层远离所述3述第二发光单元的侧壁及所述驱动背板的表面还覆设所述沟槽结构的整体深度不低于所述发光单元的整所述沟槽结构的深度在0.4um～5um所述沟槽结构的角度沿远离所述驱动背板的方向制备结合于所述驱动背板之上的显示模组，所述显示模组中包括发光单元和沟槽结对所述第一绝缘层进行刻蚀，形成与所述第一发光单元中第一P型欧姆接触层连接的4通过混合键合工艺，将所述第一显示器件层与所述驱动背板结合，光单元通过填充有金属材料的所述通孔与所述驱动背板中的阳对所述第二沟槽结构填充金属材料，所述第二绝缘层、所述第二沟槽结通过混合键合工艺，将制备有键合层的无机化合物半导体、制备有键使用绝缘材料对所述第二发光单元进行台阶填充，形成第三充金属材料；采用图形化工艺去除所述第二发光单元的顶部表面的部分所述第三绝缘层，述第三绝缘层远离所述驱动背板的一侧表面覆在所述第二发光单元的表面、所述驱动背板的表面覆设钝所述第二发光单元的顶部表面的部分所述钝化层，以暴露所述第二发光单元中的第二N型5[0004]相关技术中，多采用像素间黑矩阵(BlackMatrix，BM)或者制作微透镜(Micro发光单元通过填充有金属材料的所述通孔与所述驱动6的一端与所述第一发光单元中的第一N型欧姆接触层相连，另一端与所述驱动背板的上表[0020]第二发光单元，所述第二发光单元中的第二P型欧姆接触层与所述驱动背板之间述第二发光单元中的第二N型欧姆接触层的表面覆设有部分所述中间阴极层覆设于所述第二N型欧姆接触7[0049]对所述第一绝缘层进行刻蚀，形成与所述第一发光单元中第一P型欧姆接触层连一发光单元通过填充有金属材料的所述通孔与所述驱动背板中[0052]在一种可选的实施方式中，在将所述第一显示器件层与[0057]对所述第二绝缘层进行刻蚀，形成一端与所述第一沟槽结构相连的第二沟槽结8所述第三绝缘层远离所述驱动背板的一侧表面覆[0070]通过在微显示发光像素的显示模块中刻蚀沟槽结构并在沟槽结构中填充金属材[0079]图7是本申请实施例中提供的一种正面沟槽结构设计思路下微显示发光像素的结[0082]图10是本申请实施例中提供的一种背面沟槽结构设计思路下微显示发光像素的[0083]图11是本申请实施例中提供的一种背面沟槽结构设计思路下微显示发光像素的9[0084]图12是本申请实施例中提供的一种背面沟槽结构设计思路下微显示发光像素的[0085]图13是本申请实施例中提供的一种背面沟槽结构设计思路下微显示发光像素的[0090]图18是本申请实施例中提供的一种正背面沟槽结构结合设计思路下微显示发光[0095]图23是本申请实施例中提供的一种台阶刻蚀后的无机化合物半导体的结构示意[0096]图24是本申请实施例中提供的一种沟槽结构制备后的无机化合物半导体的结构[0097]图25是本申请实施例中提供的一种金属填充后的无机化合物半导体的结构示意[0098]图26是本申请实施例中提供的一种无机化合物半导体与驱动背板结合后的结构[0100]图28是本申请实施例中提供的一种台阶刻蚀后的无机化合物半导体的结构示意[0101]图29是本申请实施例中提供的一种制备有键合层的无机化合物半导体的结构示[0103]图31是本申请实施例中提供的一种无机化合物半导体与驱动背板结合后的结构[0107]图35是本申请实施例中提供的一种沟槽结构制备后的键合结构的结构示意图的和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有其垂直结构具有常规LED器件最小的发光角±55°,低于水平结构和倒装结构LED器件±60矩阵的分辨率以及金属图形化撕金的光刻胶掩模掉胶问题都对良率和可量产能力带来的[0119]可以理解的是，本申请实施例中的沟槽结构是应用于微显示(Micro_LED)领域的[0122](1)CN110969952A中的像素间距和像素尺寸普遍偏大，基本在几百微米甚至几个N_AIGaInP供有3种不同的微显示发光像素的具体结构发光单元31通过填充有金属材料的通孔312与驱动背板10中的阳极触点相导通；第一绝缘贯穿于第一绝缘层61中，第一沟槽结构41的一端与第一发光单元31中的第一N型欧姆接触10之间具有键合层322，第二发光单元32通过键合层322与驱动背板10中的阳极触点相导12所示直接相连于驱动背板10的表面，不在第三绝缘层63和驱动背板10间设置钝化层80，[0160](3)微显示发光像素采用正背面沟槽结构结合设计思路，此结构设计对应的制备体进行台阶刻蚀，刻蚀至第一N型欧姆接触层313，以制备第一发光单元31，刻蚀深度在元通过填充有金属材料的通孔与驱动背板中的金属材料对应的种子层还可以是等金属的单层或多层或其氮的介质层承受过刻，刻蚀后进行金属填充，比如：在第三沟槽结构43中依次沉积金属Al、光像素的显示模块中刻蚀沟槽结构并在沟槽结构中填充金属材料，通过贯穿式的沟槽结