CN119403774A 接合体、陶瓷电路基板、半导体装置、以及接合体的制造方法 （株式会社东芝）

2024.12.19PCT/JP2023/0238312023.06.27WO2024/009851JA2024.01.11本发明提供一种在维持了接合强度的基础素为选自Sn及In中的1种或2种。在通过SEM_EDX大的地方作为第1测定点时，在所述第1测定点测定点中的第1元素的检测量(质量％)/Ag的检2量％)/Ag的检测量(质量％)在0.05以上且0.23.根据权利要求1或2所述的接合体，其中斜率相对于所述第1区域中的Cu的所述检测量的斜率之比为0.54.根据权利要求1或2所述的接合体，其中，所述第1测定点的5.根据权利要求1或2所述的接合体，其中，所述第1测定点的活性金属的检测量(质量％)/Ag检测量(质量％)在0以上且0.1所述第2测定点中的Ag的检测量(质量％)/所述第1测定点中的Ag的检测量在0.1以上量％)/Ag的检测量(质量％)在0以上且0.18.根据权利要求6所述的接合体，其中，在所述第2测定点中，活性金属的检测量(质量％)/Ag的检测量(质量％)在0以上且0.19.根据权利要求1或2所述的接合体，其中，Ag318.一种陶瓷电路基板，其是对权利要求14所述的接合体的所述铜板赋予了电路形状19.一种陶瓷电路基板，其是对权利要求15所述的接合体的所述铜板赋予了电路形状20.一种陶瓷电路基板，其是对权利要求16所述的接合体的所述铜板赋予了电路形状采用连续炉对所述陶瓷基板和所述铜板进行加热接合4[0003]专利文献1及专利文献2的陶瓷电路基板具有优异的TCT(耐热循环)特性。半导体[0012]本发明的实施方式是为解决这样的课题而进行的，用以提供一种抑制了AgSn合5[0023]采用扫描式电子显微镜_能量色散X射线光谱法(SEM_EDX)对接合体的任意的截面6层3的界面的粗略的位置可基于SEM图像中的对比度的差进行检测量为0质量％的地方作为陶瓷基板2和接合层3的界面。Cu的曲线图的纵轴为Cu的质7地方作为陶瓷基板2和接合层3的界面。曲线图的斜率可通过执行二阶微分的软件进行计[0037]实施方式涉及的接合体1的特征在于，在第1测定点中，第1元素的检测量(质量％)/Ag的检测量(质量％)在0以上且0.4以下的范围内。这表示在第1测定点中Sn量或In[0039]在第1测定点中，第1元素的检测量(质量％)/[0040]在JIS_H_3100(ISO1337等)中，将无氧铜的导电率规定为98％IACS以上。与此相散量增大，则在铜板4中形成导电性低的部分。在第1元素的检测量(质量％)/Ag的检测量8[0043]在实施方式涉及的接合体1中，无论在哪个第1测定点上，第1元素的检测量(质[0044]此外，第1测定点实质上位于接合层3和铜板4(或铜板5)的边界处。接合层3含有接合层3向铜板4的扩散对于提高接合强度是有效的。另一方面，如果Ag过于向铜板4中扩第2测定点中的Ag的检测量(质量％)/第1测定点中的Ag的检测量优选为0.1以上且0.7以下朝铜板4的表面偏移10μm的地方为第2测定点。以从第1测定点的测定区域的厚度方向的中[0049]第2测定点中的Ag的检测量(质量％)/第1测定点中的Ag的检测量在0.1以上且0.7[0052]优选Ag扩散区域存在于陶瓷基板2与从第1测定点朝铜板4表面偏移30μm的点之9[0069]Ag的比率优选为40质量％以上且95质量％以下的范围内。Cu的比率优选为3质量％以上且50质量％以下的范围内。活性金属及活性金属氢化物的合计的比率优选为1质量％以上且15质量％以下的范围内。Sn及In的合计的比率优选为1质量％以上且30质量%与陶瓷基板2发生反应可得到强固的接合的成分。Sn或In具有降低活性金属钎料的熔点的[0072]上述的活性金属钎料的成分比率是将各金属成分的合计设定为100质量％时的比板/活性金属钎料糊剂层/陶瓷基板/活性金属钎料糊剂层/铜板/活性金属钎料糊剂层/陶性金属或第1元素向铜板4中的扩散量增加的可能性。因此，接合温度优选为700℃以上且序及降温工序花费时间。间歇炉的升温速度及降温速度为1～3℃/分钟的范围。在间歇炉[0079]在采用连续炉进行加热接合工序时，活性金属钎料的活性金属含量优选为5质通过将活性金属钎料中的活性金属的含量设定为5质量％以上，能够在不与氮气氛发生反[0080]在采用连续炉时，能够使层叠体的升温速度及接合体的降温速度在15℃/分钟以体1的哪个第1测定点，都能够使第1元素的检测量(质量％)/Ag的检测量(质量％)在0以上在实施方式涉及的接合体的制造方法中，在升温工序中对从200℃到接合温度的升温速度进行控制。在最初的处理区中，通过使层叠体的5cm/分钟的传送速度进行60分钟的传送和进行30分钟的停止传送时，平均传送速度为222220.30.8[0108]由表6得知，在实施例涉及的接合体中，在第1测定点中，第1元素的检测量(质量％)/Ag的检测量(质量％)在0以上且0.4以下的范围内。第2测定点中的Ag的检测量(质的检测量的斜率/第1区域中的Cu的检测量的斜及的接合体的Cu的曲线图中，第2区域中的Cu的检测量的斜率/第1区域中的Cu的检测量的量％)/Ag的检测量(质量％)在0.05以上且0.2率相对于所述第1区域中的Cu的所述检测量的斜率之比为0[0139]所述第2测定点中的Ag的检测量(质量％)/所述第1测定点中的Ag的检测量在0.1量％)/Ag的检测量(质量％)在0以上且0.1[0143]根据构成6所述的接合体，其中，在所述第2测定点中，活性金属的检测量(质量％)/Ag的检测量(质量％)在0以上且0.1