GB/T 42709.36-2026半导体器件微电子机械器件第36部分：MEMS压电薄膜的环境及介电耐压试验方法

ICS31200

CCSL.55

中华人民共和国国家标准

GB/T4270936—2026/IEC62047-362019

.:

半导体器件微电子机械器件

第36部分MEMS压电薄膜的环境及

:

介电耐压试验方法

Semiconductordevices—Micro-electromechanicaldevices—

Part36Environmentalanddielectricwithstand

:

testmethodsforMEMSpiezoelectricthinfilms

IEC62047-362019IDT

(:,)

2026-07-30发布2027-02-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T4270936—2026/IEC62047-362019

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

试验程序

4…………………1

通则

4.1…………………1

初始测试

4.2……………2

试验

4.3…………………2

试验后处理

4.4…………………………2

最终测试

4.5……………3

环境试验和介电耐压试验

5………………3

环境试验

5.1……………3

介电耐压试验

5.2………………………7

附录资料性试验结果报告

A()…………8

通则

A.1…………………8

环境试验

A.2……………8

介质耐压试验

A.3………………………8

参考文献

……………………10

Ⅰ

GB/T4270936—2026/IEC62047-362019

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半导体器件微电子机械器件的第部分已经发布了以

GB/T42709《》36。GB/T42709

下部分

:

第部分薄膜材料拉伸试验方法

———2:;

第部分拉伸试验用薄膜标准试验片

———3:;

第部分射频开关

———5:MEMS;

第部分薄膜材料轴向疲劳试验方法

———6:;

第部分用于射频控制和选择的体声波滤波器和双工器

———7:MEMS;

第部分带状薄膜拉伸特性测量的弯曲试验方法

———8:;

第部分采用结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳试验方法

———12:MEMS;

第部分电子罗盘

———19:;

第部分薄膜材料泊松比测试方法

———21:MEMS;

第部分柔性衬底导电薄膜机电拉伸测试方法

———22:;

第部分室温下悬空导电薄膜的机电松弛试验方法

———29:;

第部分柔性器件弯曲形变下的电特性测试方法

———35:MEMS;

第部分压电薄膜的环境及介电耐压试验方法

———36:MEMS;

第部分互连中金属粉末膏体粘附强度测试方法

———38:MEMS;

第部分惯性冲击开关阈值测试方法

———40:MEMS。

本文件等同采用半导体器件微电子机械器件第部分压电薄

IEC62047-36:2019《36:MEMS

膜的环境及介电耐压试验方法

》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

中试验时长的表示形式由原来的统一修改为+B

———4.3.3,,“Ah(+Bh,-Ch)”“A-Ch”。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国集成电路标准化技术委员会和全国微机电技术标准化技术委员会

(SAC/TC599)

共同归口

(SAC/TC336)。

本文件起草单位工业和信息化部电子第五研究所中国电子技术标准化研究院广东工业大学

:、、、

中国科学院微电子研究所电子科技大学

、。

本文件主要起草人黄钦文刘若冰何春华路国光周斌焦斌斌苏伟涂程董显山韦覃如

:、、、、、、、、、、

黄鑫龙

。

Ⅲ

GB/T4270936—2026/IEC62047-362019

.:

引言

本文件规定了评估压电薄膜材料及压电执行器在温度湿度环境应力和电应力下

MEMSMEMS、

的耐久性测试方法等有利于更好指导相关行业从业人员进行产品开发测试使用等工作

,、、。

半导体器件微电子机械器件拟由个部分构成

GB/T42709《》23。

第部分薄膜材料拉伸试验方法目的在于规定薄膜材料的拉伸试验方法

———2:。MEMS。

第部分拉伸试验用薄膜标准试验片目的在于规定薄膜材料拉伸试验用试验片的

———3:。MEMS

相关要求

。

第部分射频开关目的在于规定射频开关的术语定义特性要求测试方

———5:MEMS。MEMS、、、

法等

。

第部分薄膜材料轴向疲劳试验方法目的在于规定薄膜材料的轴向疲劳试验

———6:。MEMS

方法

。

第部分用于射频控制和选择的体声波滤波器和双工器目的在于规定体

———7:MEMS。MEMS

声波谐振器滤波器和双工器的术语定义特性要求测试方法等

、、、、。

第部分带状薄膜拉伸特性测量的弯曲试验方法目的在于规定用于测量带状薄膜拉伸特

———8:。

性的弯曲试验方法

。

第部分晶圆间键合强度测量目的在于规定晶圆的键合强度试验方法

———9:。MEMS。

第部分悬空微电子机械系统材料的线性热膨胀系数测试方法目的在于规定悬空

———11:。

材料的线性热膨胀系数测试方法

MEMS。

第部分采用结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳试验方法目的在于规定薄

———12:MEMS。MEMS

膜材料弯曲疲劳试验方法

。

第部分结构黏附强度的弯曲和剪切试验方法目的在于规定结构的黏附

———13:MEMS。MEMS

强度试验方法

。

第部分膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法目的在于规定膜

———16:MEMS。MEMS

残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度两种试验方法

。

第部分电子罗盘目的在于规定电子罗盘的术语定义特性要求测试方法等

———19:。、、、。

第部分薄膜材料泊松比测试方法目的在于规定薄膜材料的泊松比测试

———21:MEMS。MEMS

方法

。

第部分柔性衬底导电薄膜机电拉伸测试方法目的在于规定导电薄膜材料的机

———22:。MEMS

电性能拉伸试验方法

。

第部分微沟槽和针结构的描述和测量方法目的在于规定微沟槽和针结构的描

———26:。MEMS

述和试验方法

。

第部分玻璃浆料键合强度的微型形试验测量方法目的在于规定玻璃浆料键

———27:V(MCT)。

合强度的试验方法

MCT。

第部分室温下悬空导电薄膜的机电松弛试验方法目的在于规定器件的悬空导

———29:。MEMS

电薄膜在室温下的机电松弛试验方法

。

第部分谐振器非线性振动测试方法目的在于规定谐振器的非线性振动

———32:MEMS。MEMS

性能测试方法

。

第部分柔性器件弯曲形变下的电特性测试方法目的在于规定柔性机电器件的

———35:MEMS。

弯曲变形状态电特性测试方法

。

Ⅳ

GB/T4270936—2026/IEC62047-362019

.:

第部分压电薄膜的环境及介电耐压试验方法目的在于规定压电薄膜的

———36:MEMS。MEMS

环境及介电耐受性能试验方法

。

第部分互连中金属粉末膏体粘附强度测试方法目的在于规定互连中金

———38:MEMS。MEMS

属粉末膏体粘附强度的测试方法

。

第部分惯性冲击开关阈值测试方法目的在于规定惯性冲击开关的阈值

———40:MEMS。MEMS

测试方法

。

第部分谐振电场敏感器件动态特性测试方法目的在于规定用于评估和确定

———44:MEMS。

谐振电场敏感器件动态性能的术语定义和测试方法

MEMS、。

Ⅴ

GB/T4270936—2026/IEC62047-362019

.:

半导体器件微电子机械器件

第36部分MEMS压电薄膜的环境及

:

介电耐压试验方法

1范围

本文件描述了评估压电薄膜材料在温度湿度环境应力和电应力条件下的耐受试验方

MEMS、

法以及进行质量评估的试验条件即规定了在温度湿度和外加电压条件下评价试验器件耐久性的试

,,、

验方法和试验条件主要应用于硅基上形成的压电薄膜即用作执行器的压电薄膜的逆压电性能的

。()

评价

。

本文件不包括可靠性评估如基于威布尔分布预测压电薄膜寿命的方法

,。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文