CN119404262A 导电性膜以及导电性膜的制造方法 （郡是株式会社）

2024.12.19PCT/JP2023/0162562023.04.25WO2024/034195JA2024.02.15丸山恭资本发明提供一种导电性膜以及导电性膜的TD(TraverseDirection)中的至少一方的杨氏2纵向和横向中的至少一方的杨氏模量为1200M纵向和横向的双方的杨氏模量为1200M所述导电性膜中的所述导电性填料的重量百分比浓度为20wt％以上且50wt通过使从所述模头挤出的所述熔融材料与冷却辊接触来冷所述冷却辊的温度为50℃以上且120℃以下，所述导电性膜的纵向和横向中的至少一方的杨氏模量为1200M3面电阻率为10000Ω/□以下。在该导电性膜中，MD(MachineDirection，纵向)和TD[0007]在该导电性膜中，MD(MachineDirection)和TD(TraverseDirection)中的至少4MD和TD中的至少一方的杨氏模量为1200MPa5[0029]另外，导电性膜10的MD(MachineDirection)以及TD(TraverseDirection)中的6[0033]例如，浇铸辊210的温度如上所述，在本实施方式1的导电性膜10中，MD和TD中的至少一方的杨氏模量为膜10A包含第一层100A、第二层110A、以及由第一层100A以及第二层110A夹持的中间层烯烃类树脂以及导电性碳填料的各个，能够应用与在上述实施方式1中列举过的物质相同[0039]中间层120A例如包含具有比第一层100A以及第二层110A的各层中包含的烯烃类式1中列举过的导电性碳填料相同的导电性碳填料。作为具有比第一层100A以及第二层110A中包含的烯烃类树脂高的柔软性的树脂的一例，例如可以举出LDPE(LowDensity[0040]本实施方式2的导电性膜10A的表面电阻率为10[0041]另外，导电性膜10A的MD和TD中的至少一方的杨氏模量为1200MPa以上，优选为7[0042]另外，导电性膜10A的MD和TD中的至少一方的撕裂强度为30kN/m以上，优选为本实施方式2的导电性膜10A的制造装置，与上述实施方式1的导电性膜10的制造[0044]图4是示意性地表示本实施方式2的导电性膜10A的制造装置所包含的T型模头[0045]将用于形成第一层100A的原料投入原料投入部240。例如将烯烃类树脂以及导电烯烃类树脂以及导电性碳填料投入原料投入部260。将用于形成中间层120A的原料投入原料投入部250。例如将具有比第一层100A以及第二层110A的各层中包含的烯烃类树脂高的出，使投入各原料投入部的原料的熔融物彼此熔合而成为一个一体化了的膜(熔融材料)。8[0059]使用包括图4所示的T型模头200A的制造装置(T型模头200以外具备图2所示的制性膜。利用PPB以及CBa形成了实施例8的导电性膜的第一层以及第二层的各层。利用PP9技株式会社(NittoseikoAnalytechCo.,Ltd.)制简易型低电阻计LorestaAXMCP_T370过按照JISK6732的方法，测定了样品伸长了2％时的拉伸应力，通过将该拉伸应力除以过按照JISK6732的方法测定了各导电性膜的[0068]图5是示意性地表示用于撕裂强度的测定的试验片(样品)的形状的图。在撕裂强地将如图5所示那样切出的试验片正确