产业赛道投资图谱：算力金属AI浪潮下的需求重构

内容目录AI浪潮驱动材料体系重构，算力金属从小众品种走向“关键资源” 3算力金属投资图谱 3锡：算力互连耗锡量跃升，供给扰动助推锡价上行 3钨：六氟化钨成先进互连关键材料，原料出口收紧加剧短缺预期 4钽：AI服务器电容用量需求扩张，非洲供给风险推涨钽价 5铟：光模块升级拉动磷化铟需求，出口管制叠加刚性供给推涨铟价 6钼：存储技术升级驱动材料切换，钼替代钨打开增量空间 8锗：数据中心光纤需求快速增长，中国主导供给强化战略价值 8镓：AI射频与功率器件拉动氮化镓放量，中国原生镓产量占全球99 9风险提示 图表目录图1：预估2026年全球AI服务器出货年增逾28 3图2：光模块出货量快速增长（单位：百万只） 3图3：锡价自年初4万美元/吨持续上行，至8月初已突破5.5万美元/吨 4图4预计2032年全球电子级锡焊料市场销售额将达到826.9亿元年复合增长GR）为6.3（2026-2032） 4图5：六氟化钨图解 4图6：黑钨精矿价格情况 5图7：六氟化钨价格情况（单位：美元/千克） 5图8：六氟化钨产业链 5图9：2022年钽消费终端领域 5图10：2024年刚果（金）与卢旺达等非洲国家合计占据全球超80的产量 6图11：钽铁矿价格自2026年初呈现持续上行态势 6图12：铟生产产业链 7图13：2026年至2031年间磷化铟晶圆市场年均复合增长率约为11.73 7图14：铟价自2026年年初起步入上行通道 8图15：不断增长的智算需求推动数据中心光缆部署进程持续提速 8图16：锗相关政策 9图17：镓产业链 10图18：全球低纯度镓原生产量及产能表 10表1：全球重要存储厂商的技术路线 8AI键资源”当前，全球AI产业正从模型训练向规模化推理部署跨越，算力基础设施的硬件形态与材料需求随之发生变化。我们认为，这一趋势将对部分金属需求结构进行重构，需求端逻辑可归纳为两条主线：其一，AI硬件数量扩张带动金属消耗总量抬升。智算中心集中建设直接拉动服务器、光TedFoce预估2026年全球AI服务器出货量年增逾SMM200亿美元。硬件数量的增长构成金属需求的基础增量——据SMMAI服务器年耗锡量预计从2025年的6000—8000吨增至2030年的22000—25000吨。其二，技术代际演进引发材料升级与单位耗量提升。芯片与存储AI服务器PCB面积较传统服务器扩133—7001.322—8倍；800G1.6T2.73倍。与需求端的结构性扩张相伴随，供给端约束日益凸显。上述品种普遍具有储量集中、伴生开采、供应易受扰动的共性特征：中国在钨、锗、镓、铟等品种的产出端占据绝对主导地位，近年来出口管制政策持续收紧；刚果（金）与卢旺达等非洲国家合计贡献全球超的钽矿产量，东部矿区冲突与安全事故频发；印尼锡供应受到出口政策扰动，缅甸锡供应则受矿山复产进度制约。在此背景下，2026年以来锡、钽、铟等品种价格均已呈现明显上行态势。算力金属投资图谱锡：算力互连耗锡量跃升，供给扰动助推锡价上行锡是电子工业的“万能胶水”——锡基焊料导电性好、熔点低、焊接稳定性强，可以用于电子元器件与印制电路板（PCB）间机械连接与电气互连。当前锡焊料需求增量主要来自AI服务器与高速光模块两大领域。相较传统服务器，AI服务器PCB面积及层数显著提升，锡焊料消耗随之增加SMI服务器CB用量较传统增加1.32NVL723.724.71公斤。2025213万台，2026年预计持续增长，对应锡需求0.42100G400G800G1.6TSMM锡测算，2026年全球光模块市场规模预计突破2002025年AI服务器年耗锡量约为6000至8000吨，预计到2030年耗锡量将增至22000至25000吨。图1：预估年球服务器出年增逾28% 图2：光模块货量快增长单位：万只）TrendForce集邦咨询公众号 TrendForce集邦资讯公众号全球锡储量高度集中且主产国供应扰动频发，2026年上半年LME锡期货价最大涨幅约40%。全球已探明锡储量约600。2026年以来，主产国供应扰动持续加剧：缅甸佤邦矿区受地震18%，并计划加征出口关税；刚果（金）6%的供应。与此同时，受安全规制趋严及资源品位下滑制约，锡矿扩产难度较大，供给弹性有限。供需格4万美元/85.5万美元/吨。图48万美元/吨

图269亿元，年复合增长率（CAGR）为6.3%（2026-2032）iFind QYResearch钨：六氟化钨成先进互连关键材料，原料出口收紧加剧短缺预期六氟化钨是半导体制造（化学气相沉积P、GPU以及存储芯片领域的3DNAND闪存、HBM（高带宽存储）均依赖该工艺环节。在高温还原反应下，六氟化钨会分解并在晶圆表面沉积出高纯度金属钨薄膜，该薄膜能够无空隙填充芯片内部纳米级的接触孔和通孔，从而将芯片内部数以百亿计的晶体管彼此连接起来。图5：六氟化钨图解科工力量公众号AI20-25年接近翻倍。7nm、5nm、3nm乃至更先进制程演进，芯片内部线路间距被压缩至物理极限，铝、铜互连材料面临严重的电阻和可靠性瓶颈。而以六氟化钨为前驱体沉积的高纯度钨薄膜，凭借导电、热稳及填充性能，成为纳米级接触孔填充的AIHBM堆叠层数向12层、16层及以上演进，3DNAND128300层以上升级，单片晶圆六氟化钨消耗量显著抬升。据中国新闻周刊，全球六氟化钨需求已从2020年约4600吨增至2025年近9000吨，年复合增速约14，2026年预计突破万吨。图6：黑钨精价格情况 图7：六氟化价格情（单：美元千克）iFind iFind中国对日钨原料出口收紧，导致日本两家主要厂商约吨六氟化钨年产能面临供应风险，约占全球总产能。本的60至70。中国拥有全球过半钨资源储量，产量占比近八成，是最主要的钨资源应国。随着商务部对日两用物项出口管制收紧，高纯钨粉对日审批难度加大，海外厂商获取原料的难度显著上升。266月，日本关东电化（1400吨）与中央硝子（年700吨56月底，下半年供应风险上升，占全球总产能约25。8中国制造公众号钽：AI服务器电容用量需求扩张，非洲供给风险推涨钽价AI服务器驱动聚合物钽电容需求增长。是钽在电子行业最重要的终端用途之一。当前，钽电容正加快向聚合物方向演进；相较，聚合物钽电容更易实现100μF–2200μF等中高容值，并可通过减少并联器件数量降低整体方案成本。AI服务器芯片负载可在纳秒至微秒级快速变化，聚合物钽电容可提供大MLCCVishayPolytech生产的T55vPolyTanVishay服务器电源的元器aretRersWold2026年全球钽电容市场规模约29.04亿美元，203548.42亿美元，2026–20355.9。图9：2022年钽消费终端领域USGS非洲供给中枢扰动加剧，钽矿价格大幅上行。全球钽矿供应高度集中，2024年刚果（金）与卢旺达等非洲国家合计占据全球超80（金以约1270（占250051）20244月以来，刚果（金）反政府武装“M23运动”球供应总量的15以上，对全球钽原料供给构成显著影响。与此同时，当地矿山安全形势20263月发生山体滑坡，这是两个月内该地区第二次重大塌方事故，进一步加剧了供应的不确定性。受地缘冲突与生产中断双重因素推动，钽铁矿2026110620267月已大幅上涨至每磅280美元。（金80%的产量

图11：钽铁矿价格自2026年初呈现持续上行态势MineralCommoditySummaries2026 iFind铟：光模块升级拉动磷化铟需求，出口管制叠加刚性供给推涨铟价磷化铟（InP）电子迁移率可达硅的10倍以上，已成为AI数据中心高速光模块的核心衬底材料，是铟需求增量的主要驱动力。铟因低熔点、高沸点、低电阻及高抗腐蚀性等物理化学特性，在电子半导体、焊料、核能等领域获得广泛应用。目前，氧化铟锡（ITO）生产仍占全球铟消费的大部分，其薄膜涂层主要用于各类平板显示器的导电功能，其中以液晶显示器（LCD）最为常见。近年来，随着AI数据中心算力需求增长，磷化铟（InP）消10（1.2×10⁴cm²/V·且兼具高饱和电子漂移速度、优良导热性与光电转换效率，可支持100GHz以上的超高频信号处理，能适配高频高速光电融合场景。同时，据电子发烧友网Elecfans公众号，磷化铟是光通信领域的核心衬底材料，光纤通信两大超低损耗窗口（1310nm、1550nm）恰在InP衬底上外延生长InGaAsP或InGaAlAs等合金有源区，即可将发光波长精确调至通信窗口。图12：铟生产产业链余金杰等《中国铟资源的矿床类型划分、空间分布和开发利用现状光模块速率升级与部署总量扩张共同驱动磷化铟需求增长。光模块速率方面，从800G向1.6T3.2TElecfans公众号，光模块需配备4–81.6T光模块对磷化铟衬底的需800G273倍。总量方面，AI数据中心万卡集群的规模化部署推动光模块数量AXT2026年将增长近一倍，2027YoleGroup26030080%AI数据中心。另据MordorIntelligence数据，磷化铟晶圆市场1.9820262.2120313.9203111.73%。图13：2026年至2031年间磷化铟晶圆市场年均复合增长率约为11.73%MordorIntelligence铟供给刚性约束叠加中国出口管制，铟价自年年初起步入上行通道。铟属于稀散金属，无独立矿床，原生铟中约90%70%。202524日，我国商务部与202510号公告，正式将铟相关物项纳入两用物项出口管制清单，其中磷化铟、三甲基铟、三乙基铟三类化合物被明确列入，所有出口均须取得许可证。政策实施后，部分企业的许可审批与交付周期延长，AXT20256月才获得首批磷化铟出口许可，后续仍面临许可数量不足的问题，依赖中国货源的海外客户供应不确定性随之上升。由于磷化铟衬底新增产能建设周期较长，短期内其他地区难以迅速补充供给。在AI2025年下半年走强，并于2026年初加速上涨，市场投机活动则进一步放大了短期价格波动。图14：铟价自2026年年初起步入上行通道iFind钼：存储技术升级驱动材料切换，钼替代钨打开增量空间钼在半导体存储领域的应用边界拓展，NAND技术迭代驱动材料升级。海力3753DNAND闪存的生产验证，并正推进产线落地。此次迭代中，字线（连接存储单元控制栅极的水平控制线传统钨在字线细化后电阻上升影响信号传输，且制程中需额外铺设阻挡辅助层，逐层叠加占用空间制约集成密度；而钼在同等微缩尺寸下电阻更低，且无需阻挡层可直接填充，有利于提升存储密度。但钼前驱体常温下为固态，生产时须借助专用设备进行高温加热并控制物料供给量与输送速率，对设备和制程管控要求更高。表1：全球重要存储厂商的技术路线厂商钼材料应用进展技术路线量产时间三星286层NAND已用钼全面替代2024年4月SK海力士375层NAND部分替代混合架构→全面替代2026年底美光DRAM与NAND同步研发钼+钌混合方案2027年规划铠侠/西部数据技术验证阶段评估中待定半导体行业观察公众号锗：数据中心光纤需求快速增长，中国主导供给强化战略价值在光纤需求高速增长的背景下，作为光棒制造不可或缺的掺杂材料，锗的需求或将迎来结构性增长。超高纯四氯化锗是光纤预制棒的核心掺杂剂，而在光纤产业链的利润分配中，光棒环节占据了约70的份额，同时，光纤是锗的第一大消费领域。2020—2022年，光纤约占全球锗消费量的30。这意味着锗作为关键原材料，其需求与光纤市场景气度高度定。当前，AI基础设施建设的快速增长正在重塑光纤需求格局——CRU数据，2025年数据中心光纤需求同比增长约，预计到2027年该板块将占全球光纤总需求的30，2024年这一比例尚不足5。这一增长并非渐进式的，而是源于比传统云基础设施更密集的互连架构STLAI数据中心所需的光纤数量约为传统CU36倍。图15：不断增长的智算需求推动数据中心光缆部署进程持续提速CRU'sOpticalFibreandCableMarketOutlook,LightCounting，C114通信网公众号中国凭借资源储量与产业链优势主导全球锗供给。锗是一种稀缺的战略性金属，全球探明储量仅为8600吨左右，资源分布高度集中，美国45、中国（41）和俄罗斯几乎垄断了全球储量。然而，储量并不等同于实际供应能力——中国凭借丰富的伴生矿资源和完善的产业链配套，在实际产出层面占据绝对主导地位，贡献了全球65-70产量，并在深加工领域拥有更大份额，从而掌握了全球锗市场的定价权和供应主导权。为保障战略资源安全，中国已于2023年将锗列为战略金属并收紧出口管制，进一步强化了对上游供应的把控。中国企业云南锗业和驰宏锌锗已实现从矿山到终端的全产业链覆盖。锗产业形成了清晰的梯队分化。第一梯队由中国的云南锗业和驰宏锌锗领衔，这两家企业不仅掌控了国内最优质的伴生矿资源，更在超高纯提纯、大尺寸单晶生长及化合物半导体领域构建了深厚的技术壁垒，实现了从矿山开采到终端器件的全产业链覆盖。第二梯队则包括比利时的Umicore（专注回收与高端深加工、加拿大的TeckResources（以原矿供应为主以及美国的聚焦衬底制造图16：锗相关政策政策时间相关部门政策名称主要内容2026.02国务院《关于加快人工智能与实体经济深度融合发展的指导意见》实施“AI硬件筑基工程”，重点支持高速光模块、智能传感及量子计算硬件，保障锗等关键材料供应链安全，鼓励上下游建立联合创新机制。2025.10-2026.01中共中央《“十五五”国民经济和社会发展规划建议》（草案/前瞻）品出口。2025.03国家发改委、自然资源部、财政部《国家战略矿产资源储备体系建设实施方案（2025-2030年）》将锗列为首批“实物+产能”双轨储备矿产，建立中央储备库，目标满足6个月紧急需求，给予承储企业贴息与税收优惠。2024.09国家发改委、自然资源部《关键矿产供应链安全行动计划》2024.09工信部、国防科工局、发改委》加速“GW星座”和“G60星链”建设，目标2027年发射超1万颗卫星，设立专项资金支持大尺寸锗衬底产能。2023.07商务部、海关总署《关于对镓、锗相关物项实施出口管制的公告》2022.06国务院《关于促进稀土行业持续健康发展的若干意见》（参照执行至稀散金属）2022.04自然资源部（2021-2025）》将锗列入国家战略性矿产目录，实施开采总量控制指标（配额），严禁无证开采和超指标生产。2021.12工信部、发改委、科技部《“十四五”原材料工业发展规划》普华有策

镓：AI99算力与通信升级驱动需求向高附加值领域迁移。镓的下游需求主要集中在半导体领域，主要以砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）两种化合物形式应用。其中，砷化镓具有高电子迁移率、低噪声和直接带隙等特点，在高频、高速及光电转换场景中相较硅材料具有一定优势，主要用于射频及高速集成电路、激光二极管、发光二极管（ED场强和高功率密度等特性，主要用于功率电子器件、射频器件以及LED和激光二极管。总体来看，镓基集成电路和