CN119413084A 检测方法 （杭州长川科技股份有限公司）

高度Zl得到芯片有无参数Zyw；将芯片有无参数Zyw与预设阈值进行对比，以判断实际坑位中的2获取基准坑位内芯片处于正常状态的基准高度Zpj，或者，获取单个芯片的芯片高度根据所述实际芯片高度Zp和所述基准高度Zpj得到芯片有无参数Z移动所述激光位移传感器分别至各个所述基准点的上方，4.根据权利要求3所述的检测方法，其特征在于，所述将所选取所述实际坑位中m个实际检测点，并获取各个所述实际检测点对应的实际检测高将所述芯片有无参数Zyw和所述实际高度差值Zm分别与对应的所述预设阈值进行对所述将所述芯片有无参数Zyw和所述实际高度差值Zm分别与对应的所述预设阈值进行在所述实际高度差值Zm与所述高度差阈值相匹配的情况下，对比所述芯片有无参数在所述实际高度差值Zm与所述高度差阈值不匹配的情况下，3所述将所述芯片有无参数Zyw和所述实际高度差值Zm分别与对应的所述预设阈值进行在所述实际高度差值Zm与所述高度差阈值相匹配的情况下，对比所述芯片有无参数在所述实际高度差值Zm与所述高度差阈值不匹配的情况下，8.根据权利要求7所述的检测方法，其特征在于，选取所述实际坑位中m个实际检测点，并获取各个所述实际检测点对应的实际检测高所述将所述芯片有无参数Zyw与预设阈值进行对比，以判断所述实际坑位中的芯片状在所述翘料参数Zh与所述翘料阈值相匹配的情况下，将所述芯片有无参数Zyw与所述在所述翘料参数Zh与所述翘料阈值不相匹配的情况下，所述实获取各个所述实际检测高度中的最大值Zmax和最小值Zmin，则所述实际高度差值Zm=获取所述实际坑位中不同位置对应实际检测高度结合所述实际芯片高度Zp和所述高度集合Z4所述将所述芯片有无参数Zyw与预设阈值进行对比，以判断所述实际坑位中的芯片状在所述高度偏移比例Zz与所述偏移阈值相匹配的情况下，将所述芯片有无参数Zyw与在所述高度偏移比例Zz与所述偏移阈值不相匹配的情况在所述激光位移传感器发射点激光的情况下，选取所述实际坑在所述激光位移传感器发射点激光的情况下，选取所述实际坑位中多个实际检测点，在所述激光位移传感器发射线激光的情况下，获取所述实际坑5[0010]将所述芯片有无参数Zyw与预设阈值进行对比，以判断所述实际坑位中的芯片状检测时，可以基于芯片处于正常状态时的基准高度和实际状态时的实际芯片高度进行比[0012]在其中一些实施例中，所述获取基准坑位内芯片处于正常状态的基准高度Zpj包6[0016]在其中一些实施例中，所述根据所述实际芯片高度Zp和所述基准高度Zpj得到芯[0019]选取所述实际坑位中m个实际检测点，并获取各个所述实际检测点对应的实际检[0021]将所述芯片有无参数Zyw和所述实际高度差值Zm分别与对应的所述预设阈值进行[0023]所述将所述芯片有无参数Zyw和所述实际高度差值Zm分别与对应的所述预设阈值[0028]所述将所述芯片有无参数Zyw和所述实际高度差值Zm分别与对应的所述预设阈值7[0035]选取所述实际坑位中m个实际检测点，并获取各个所述实际检测点对应的实际检[0039]所述将所述芯片有无参数Zyw与预设阈值进行对比，以判断所述实际坑位中的芯[0041]在所述翘料参数Zh与所述翘料阈值相匹配的情况下，将所述芯片有无参数Zyw与[0050]所述将所述芯片有无参数Zyw与预设阈值进行对比，以判断所述实际坑位中的芯[0052]在所述高度偏移比例Zz与所述偏移阈值相匹配的情况下，将所述芯片有无参数89包括一个或多个相关的所列项目的任意的和[0075]获取基准坑位内芯片处于正常状态的基准高度Zpj，获取实际坑位内芯片对应的[0089]移动激光位移传感器分别至各个基准点的上方，并发射[0096]选取实际坑位中m个实际检测点，并获取各个所述实际检测点对应的实际检测高[0098]将芯片有无参数Zyw和实际高度差值Zm分别与对应的预设阈值进行对比，以判断各个实际检测点对应的实际芯片高度Zp可能小于基准高度Zpj，此时得到的芯片有无参数[0108]在实际高度差值Zm与高度差阈值Za相匹配的情况下，对比芯片有无参数Zyw与有[0109]在实际高度差值Zm与高度差阈值Za不匹配的情况下，则实际坑位内处于翘料状[0113]如若实际坑位内没有芯片，则对应的实际高度差值Zm为0，并作为高度差阈值Za[0117]基于此，则将芯片有无参数Zyw和实际高度差值Zm分别与对应的预设阈值进行对[0119]在实际高度差值Zm与高度差阈值相匹配的情况下，对比芯片有无参数Zyw与有料[0120]在实际高度差值Zm与高度差阈值Za不匹配的情况下，则实际坑位内处于翘料状[0132]进一步地，由于在翘料状态，实际芯片高度Zp与单个芯片高度Zic之间的差值较实际芯片高度Zp、芯片高度Zic及坑位高度Zl得到芯片有无参数Zyw＝100%×|Zp_Zl|/