SEMI F63-24 中文版（详细解读）半导体工艺用超纯水标准指南

SEMIF63-24中文版（word版详细解读）半导体工艺用超纯水标准指南一、标准概况1.1标准基本信息本标准全称为《SEMIF63-24半导体工艺用超纯水标准》，是由国际半导体设备与材料协会（SEMI）主导制定和修订，于2024年正式发布实施，现行有效，全面替代SEMIF63-19（2019年版）半导体工艺用超纯水相关标准内容。作为全球半导体行业公认的核心技术标准，SEMIF63-24中文版结合我国半导体产业发展实际，对标准内容进行了精准翻译和本土化适配，兼顾国际通用性与国内产业适用性，是国内半导体制造企业、半导体设备厂商、超纯水制备企业、第三方检测机构及行业监管部门开展相关工作的核心依据。SEMI协会结合全球半导体技术的快速迭代，尤其是先进制程（7nm及以下）、第三代半导体（碳化硅、氮化镓）等领域对超纯水纯度的极致要求，对2019版标准进行了全面优化修订。2024版标准在保留原有核心框架的基础上，重点强化了微小颗粒物、痕量金属杂质、低分子有机物的控制要求，新增了先进制程专用超纯水的质量指标，优化了在线监测与离线检测的联动要求，完善了超纯水制备、输送、使用全流程的合规管控，同时兼顾节能环保与产业成本控制，既贴合当前半导体产业的生产需求，又为未来技术升级预留了空间，进一步提升了标准的科学性、严谨性和可操作性。本标准的归口管理部门为SEMI中国标准化委员会，起草单位涵盖全球知名半导体制造企业、超纯水设备厂商、检测机构及高校科研院所，其中国内参与单位包括中芯国际、长江存储、北方华创等龙头企业，确保标准能够充分适配不同规模、不同制程半导体企业的生产需求，兼顾国际合规性与国内产业实用性，为半导体工艺用超纯水的生产、制备、检验、输送、使用全生命周期管理提供系统、全面的技术规范和指导依据。超纯水是半导体工艺不可或缺的核心辅助物料，其质量直接决定半导体芯片的良率、性能和可靠性，尤其是在晶圆清洗、光刻、蚀刻、离子注入等关键工艺环节，超纯水中的微小杂质（颗粒物、金属离子、有机物等）会导致芯片短路、漏电、性能衰减等严重问题，甚至造成整批次产品报废。SEMIF63-24标准聚焦半导体工艺用超纯水的核心质量要求，覆盖超纯水的制备、检测、贮存、输送、使用等全环节，不涉及其他工业用水、民用用水的相关要求，针对性服务于半导体产业的高质量发展需求。1.2标准制定目的与适用范围制定本标准的核心目的，是为全球半导体行业提供统一、规范的半导体工艺用超纯水质量标准和操作指南，明确超纯水的质量限值、制备要求、检测方法、输送规范及质量控制要点，解决以往不同企业因标准执行不统一、操作不规范导致的超纯水质量偏差、芯片良率偏低、生产成本上升及国际合规风险等问题，确保半导体工艺用超纯水的质量稳定、可控，为半导体芯片的高质量生产提供坚实保障；同时，通过标准修订，推动超纯水制备技术、检测技术的创新升级，规范行业管理，助力全球半导体产业的协同发展，推动我国半导体企业与国际标准接轨，提升我国半导体产业的核心竞争力。本标准的适用范围覆盖全球所有涉及半导体工艺用超纯水生产、制备、检测、输送、使用的场景，重点适用于半导体制造企业（包括集成电路、分立器件、光电子器件、传感器等半导体产品生产过程中所用的超纯水）、超纯水制备企业（半导体专用超纯水的研发、生产、销售）、半导体设备厂商（超纯水输送系统、在线监测设备的研发、制造）、第三方检测机构（半导体超纯水的专项检测、监督检测），以及行业监管部门的监督检查、合规核查工作。本标准明确不适用于非半导体领域的超纯水（如光伏产业、电子器件组装、实验室通用超纯水等），此类超纯水需参照SEMI其他相关标准或对应行业专项标准执行；同时，不适用于半导体封装测试环节所用的普通纯水，此类用水需参照SEMIF65相关标准执行。此外，本标准可作为半导体企业制定内部超纯水生产操作规程（SOP）、质量控制规范的核心依据，也为行业技术交流、人才培训、设备研发提供统一的标准支撑。二、规范性引用文件本标准的实施依赖于一系列配套的国际标准、行业标准及技术规范，凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件；凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。这些引用文件为半导体工艺用超纯水的制备、检测、输送、质量控制提供了重要的技术支撑，确保标准的可操作性和科学性，具体引用文件如下：SEMI相关标准：SEMIF34-23《半导体工艺用超纯水颗粒物检测方法》，明确了超纯水中颗粒物的检测原理、操作步骤、设备要求及数据处理规范，为超纯水颗粒物指标的检测提供核心依据；SEMIF40-22《半导体工艺用超纯水痕量金属杂质检测方法》，规范了超纯水中痕量金属离子的检测流程、仪器精度要求及结果判定标准；SEMIF52-23《半导体工艺用超纯水有机物检测方法》，细化了超纯水中低分子有机物、TOC的检测方法及质量控制要点；SEMIF100-24《半导体工艺用超纯水输送系统技术要求》，补充了超纯水输送管道、阀门、储存设备的材质、安装、维护等规范。国际相关标准：ASTMD1125-22《水的电阻率和电导率标准测试方法》，为超纯水电阻率、电导率的检测提供国际通用方法；ISO11930-2021《水质微生物限度检测方法》，规范了超纯水中微生物的检测流程、培养条件及判定标准；ISO14726-2022《电子级水金属杂质检测电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）》，明确了超纯水中痕量金属杂质的精准检测方法。国内相关标准：GB/T11446.1-2013《电子级水第1部分：技术要求》，为我国半导体企业超纯水质量控制提供本土化参考；GB/T19249-2017《反渗透水处理设备》，规范了超纯水制备中反渗透设备的技术要求、性能指标及维护规范；GB/T20889-2017《电子级水中颗粒物含量的测定光散射法》，补充了超纯水颗粒物检测的本土化操作规范。其他相关文件：SEMI中国发布的《半导体工艺用超纯水质量管理指南》，补充了超纯水生产、使用过程中的风险控制要点、设备验证要求；中国半导体行业协会发布的《半导体超纯水检测操作实操指南》，为国内企业、检测机构的检验操作提供针对性指导。三、核心术语与定义本标准明确了25个核心术语和定义，涵盖超纯水、制备工艺、检测指标、输送使用等相关概念，为标准的理解和实施奠定基础，避免因术语歧义导致的操作偏差和合规风险，结合半导体行业特性，关键术语定义如下：3.1半导体工艺用超纯水指通过多级纯化工艺（预处理、反渗透、电除盐、超滤等）去除原水中的杂质离子、颗粒物、有机物、微生物等各类污染物后，符合本标准质量要求，专门用于半导体芯片生产各工艺环节（晶圆清洗、光刻、蚀刻等）的高纯度水。其核心特征是纯度极高，杂质含量控制在ppb（10⁻⁹）或ppt（10⁻¹²）级别，无可见杂质，不含有任何影响半导体芯片性能的污染物，且具有稳定的电阻率、电导率等理化指标。3.2电阻率指单位长度、单位截面积的超纯水所具有的电阻能力，是衡量超纯水纯度的核心理化指标之一，单位为兆欧·厘米（MΩ·cm），测试温度标准为25℃。电阻率数值越大，表明水中杂质离子含量越低，水的纯度越高；半导体工艺用超纯水的电阻率通常要求不低于18.2MΩ·cm（25℃），此时超纯水的纯度接近理论纯水纯度。电阻率与电导率呈倒数关系，即电阻率（MΩ·cm）=1/电导率（μS/cm）（25℃条件下），本标准同时规定了两者的限值，形成双重控制。3.3痕量金属杂质指超纯水中含量极低的金属离子（如钠、钾、铁、铜、铝、重金属等），单位为微克/升（μg/L，即ppb）或纳克/升（ng/L，即ppt）。此类杂质即使含量极低，也会对半导体芯片的性能产生严重影响，如导致芯片漏电、短路、阈值电压偏移等，是半导体工艺用超纯水的核心控制指标之一，本标准对各类痕量金属杂质的限值进行了严格规定。3.4颗粒物指超纯水中悬浮的微小固体颗粒，粒径通常以微米（μm）或纳米（nm）为单位，包括尘埃、胶体颗粒、微生物体等。半导体工艺中，尤其是先进制程，颗粒物的粒径越小、含量越低，对芯片的影响越小，本标准重点控制粒径≥0.1μm、≥0.05μm的颗粒物含量，确保其不会附着在晶圆表面，避免影响光刻、蚀刻等工艺的精度。3.5总有机碳（TOC）指超水中所有有机物质的碳含量，单位为微克/升（μg/L），是衡量超水中有机物污染程度的重要指标。超纯水中的有机物主要来源于原水、制备设备、输送管道等，会与半导体工艺中的化学试剂发生反应，产生污染物，影响芯片质量，本标准对TOC的限值进行了严格控制，尤其是先进制程用超纯水，TOC限值要求更为严苛。3.6其他关键术语电除盐（EDI）：指通过离子交换树脂与电渗析技术结合，去除水中杂质离子，获得高纯度水的制备方法，是半导体超纯水深度纯化的核心工艺之一；反渗透（RO）：指利用半透膜的选择透过性，在压力作用下将原水中的杂质离子、有机物、颗粒物等分离，得到初级纯化水的制备方法；超滤（UF）：指利用超滤膜的筛分作用，去除水中粒径≥0.01μm的颗粒物、胶体、微生物等杂质，是超纯水终端纯化的关键工艺；在线监测：指在超纯水制备、输送过程中，通过专用监测设备实时监控电阻率、电导率、TOC、颗粒物等核心指标，及时发现质量异常；输送系统：指用于超纯水储存、输送的管道、阀门、储存罐等设备的总称，其材质、安装、维护直接影响超纯水的质量；设备验证：指通过一系列试验，确认超纯水制备、输送、检测设备能够稳定生产、输送、检测出符合标准要求的超纯水，是半导体企业合规生产的核心要求之一。四、半导体工艺用超纯水标准（核心内容）SEMIF63-24标准围绕超纯水的制备工艺、质量指标、检验方法等核心环节制定了明确要求，兼顾实用性、合规性和先进性，结合半导体不同制程的需求，分通用型超纯水和先进制程专用超纯水，明确了不同的质量控制要求，确保超纯水质量稳定、可控，具体要求如下：4.1制备工艺要求半导体工艺用超纯水的制备需以符合GB5749-2022《生活饮用水卫生标准》的饮用水为原水，制备工艺需采用多级纯化组合工艺，根据原水水质、生产规模、半导体制程需求等因素合理配置，核心制备流程分为预处理、初级纯化、深度纯化、终端处理四个环节，各环节的工艺要求如下：预处理环节：主要用于去除原水中的大颗粒杂质、悬浮物、胶体、有机物、余氯等，为后续纯化工艺提供合格的进水。常用工艺包括石英砂过滤、活性炭吸附、精密过滤（5μm）、软化处理等，预处理后的水质需满足：颗粒物（≥1μm）≤100个/mL，COD≤5mg/L，余氯≤0.05mg/L，硬度≤50mg/L（以CaCO₃计），确保后续纯化工艺的稳定运行，避免杂质对反渗透膜、EDI模块等核心设备造成污染或损坏。初级纯化环节：核心目的是去除原水中的大部分杂质离子、有机物、颗粒物等，常用工艺为反渗透（RO），可采用单级或双级反渗透组合，双级反渗透更适用于先进制程超纯水的制备。反渗透膜需选用半导体专用级低压或超低压膜，材质为聚酰胺，截留率≥99.9%，初级纯化后的水质需满足：电阻率≥1.0MΩ·cm（25℃），电导率≤1.0μS/cm（25℃），TOC≤50μg/L，颗粒物（≥0.1μm）≤10个/mL，痕量金属杂质总量≤100ppb。深度纯化环节：是提升超纯水纯度的核心环节，主要用于去除初级纯化水中残留的微量杂质离子、有机物等，常用工艺为电除盐（EDI）与混床离子交换组合，优先选用EDI工艺（节能环保、无需化学再生）。EDI模块需选用半导体专用级，离子去除率≥99.99%，混床树脂需选用高纯度凝胶型树脂，深度纯化后的水质需满足通用型超纯水的核心指标要求，先进制程超纯水需在此基础上进一步优化。终端处理环节：主要用于去除深度纯化水中的微小颗粒物、微生物等，确保超纯水符合半导体工艺的最终使用要求，常用工艺为超滤（UF），超滤膜的孔径≤0.01μm，截留率≥99.9%，同时可根据需求增设紫外杀菌装置（波长254nm），去除微生物及部分有机物。终端处理后的超纯水需直接输送至使用终端，避免二次污染。制备设备需选用半导体专用级材质，核心设备（反渗透膜、EDI模块、超滤膜、储存罐、管道、阀门）需选用耐腐蚀、无溶出、无吸附、无颗粒脱落的材质，如316L不锈钢（抛光处理）、聚四氟乙烯（PTFE）、石英、氟塑料等，设备内壁需光滑、无死角，便于清洗、消毒和维护；制备系统需具备完善的在线监测功能，实时监控电阻率、电导率、TOC、颗粒物、温度等核心指标，监测数据需实时记录、可追溯，同时配备异常报警装置，当指标超标时及时报警并启动应急处理流程。制备环境的洁净度等级不低于Class1级（ISO14644-1），环境温度控制在20~25℃，相对湿度控制在40%~55%，避免环境中的灰尘、颗粒物、有机物污染制备系统和成品超纯水；制备区域需远离腐蚀性气体、强电磁干扰源、粉尘源，防止对设备运行和超纯水质量产生影响；制备区域的地面、墙面、天花板需采用防静电、防颗粒脱落的材质，定期进行清洁、消毒。制备设备需定期进行清洗、消毒、维护和验证，EDI模块、反渗透膜每3~6个月清洗一次，超滤膜每月清洗一次；设备全面验证每半年至少进行1次，当设备出现故障、维修后或原水水质发生重大变化时，需重新进行验证，确保设备运行稳定、可靠，能够持续生产出符合标准要求的超纯水。4.2质量指标要求SEMIF63-24标准将半导体工艺用超纯水分为通用型超纯水（适用于28nm及以上制程）和先进制程专用超纯水（适用于28nm以下先进制程，含7nm、5nm等），两类超纯水的质量指标均涵盖理化指标、颗粒物指标、痕量金属杂质指标、有机物指标、微生物指标五大类，所有指标均需符合以下要求，无任何一项超标：4.2.1通用型超纯水（28nm及以上制程）理化指标：外观为无色、无味、无臭的澄明液体，无可见杂质，静置后无沉淀、分层现象；电阻率≥18.2MΩ·cm（25℃），电导率≤0.055μS/cm（25℃），温度偏差±1℃时，需进行温度校正，校正后指标需符合要求；pH值控制在5.5~7.5，确保超纯水的酸碱度稳定，避免对半导体工艺产生影响；总溶解固体（TDS）≤10μg/L，控制水中的无机杂质总量。颗粒物指标：粒径≥0.1μm的颗粒物含量≤1个/mL，粒径≥0.05μm的颗粒物含量≤5个/mL，确保超纯水中无明显微小颗粒，避免附着在晶圆表面影响工艺精度。痕量金属杂质指标：各类金属杂质含量均需控制在ppb级别，其中钠（Na）≤1ppb、钾（K）≤1ppb、铁（Fe）≤1ppb、铜（Cu）≤0.5ppb、铝（Al）≤1ppb、铅（Pb）≤0.1ppb、铬（Cr）≤0.1ppb、镍（Ni）≤0.1ppb，其他金属杂质总量≤5ppb，严格控制痕量金属杂质对芯片性能的影响。有机物指标：总有机碳（TOC）≤10μg/L，低分子有机物（如甲醇、乙醇、乙酸等）单个含量≤1μg/L，避免有机物与半导体工艺中的化学试剂发生反应，产生污染物。微生物指标：每1mL超纯水中的细菌数不得过1CFU，霉菌和酵母菌数不得过1CFU，不得检出致病菌（如大肠埃希菌、金黄色葡萄球菌等），避免微生物污染晶圆，导致芯片报废。4.2.2先进制程专用超纯水（28nm以下制程）先进制程专用超纯水的质量指标在通用型超纯水的基础上进一步收紧，重点强化了颗粒物、痕量金属杂质、有机物的控制要求，具体指标如下：理化指标：电阻率≥18.2MΩ·cm（25℃），电导率≤0.055μS/cm（25℃），pH值控制在6.0~7.0，总溶解固体（TDS）≤5μg/L，温度校正要求与通用型一致。颗粒物指标：粒径≥0.1μm的颗粒物含量≤0.1个/mL，粒径≥0.05μm的颗粒物含量≤1个/mL，粒径≥0.03μm的颗粒物含量≤5个/mL，适配先进制程对晶圆表面洁净度的极致要求。痕量金属杂质指标：各类金属杂质含量控制在ppt级别，其中钠（Na）≤0.1ppb、钾（K）≤0.1ppb、铁（Fe）≤0.1ppb、铜（Cu）≤0.05ppb、铝（Al）≤0.1ppb、铅（Pb）≤0.01ppb、铬（Cr）≤0.01ppb、镍（Ni）≤0.01ppb，其他金属杂质总量≤1ppb，最大限度降低金属杂质对先进制程芯片的影响。有机物指标：总有机碳（TOC）≤5μg/L，低分子有机物单个含量≤0.5μg/L，进一步控制有机物污染，避免影响光刻、蚀刻等精密工艺。微生物指标：每1mL超纯水中的细菌数不得过0.1CFU，霉菌和酵母菌数不得检出，不得检出任何致病菌，确保超纯水的无菌性，适配先进制程的严苛要求。4.3检验方法要求半导体工艺用超纯水的检验需严格遵循本标准引用的SEMI、ASTM、ISO及国内相关标准，检验过程需规范、严谨，确保检验结果准确、可靠，检验方法需具备高灵敏度、高准确性，能够检测出ppb、ppt级别的杂质，具体检验方法如下：理化指标检验：外观采用目视观察法，在Class1级洁净环境中，观察超纯水的颜色、澄清度，嗅闻气味，确认无可见杂质、无异味；电阻率与电导率测定：选用精度≥0.001μS/cm的半导体专用电导率仪、电阻率仪，在25℃标准温度下进行测定，若测试温度偏离25℃，需按照本标准附录规定的校正公式进行温度校正，确保测定结果准确，测定过程中需采用无杂质的标准纯水进行空白对照；pH值测定：选用精度≥0.01的pH计，在25℃条件下测定，测定前需用标准缓冲溶液校准pH计，确保测量精度；总溶解固体（TDS）测定：采用高效液相色谱法（HPLC）或离子色谱法，测定超水中的总溶解固体含量，检测精度需达到μg/L级别。颗粒物指标检验：采用半导体专用激光粒子计数器，检测精度需达到0.03μm，在Class1级洁净环境中进行测定，取样后立即检测，避免空气中的颗粒物污染样品，测定时需设置空白对照，扣除环境、设备等因素的影响，确保测定结果真实；测定后需对粒子计数器进行校准，确保设备性能符合要求。痕量金属杂质检验：采用电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS），检测精度需达到ppt级别，选用半导体专用ICP-MS仪器，测定前需对样品进行预处理（如酸化、浓缩），去除样品中的干扰物质，设置空白对照和标准曲线，确保测定结果准确、可靠；对于含量极低的金属杂质（ppt级别），可采用激光诱导击穿光谱法（LIBS）进行辅助检测，提升检测精度。有机物指标检验：总有机碳（TOC）测定采用燃烧氧化-非分散红外吸收法，选用半导体专用TOC测定仪，检测精度≥0.1μg/L，测定前需用标准有机碳溶液校准仪器，设置空白对照，扣除环境、试剂等因素的影响；低分子有机物测定采用气相色谱-质谱联用仪（GC-MS），分离并测定各类低分子有机物的含量，检测精度需达到0.1μg/L。微生物指标检验：采用膜过滤法进行细菌、霉菌和酵母菌计数，选用孔径≤0.22μm的无菌滤膜，在Class1级洁净环境中进行操作，取样、过滤、培养全过程需严格遵循无菌操作规范，避免样品污染；培养条件为30~35℃，培养时间为48~72小时，培养后进行菌落计数；致病菌检测采用选择性培养基，根据致病菌的特性进行分离、鉴定，确保检验结果可靠。所有检验设备需定期进行校准、维护，ICP-MS、激光粒子计数器、TOC测定仪等核心检验设备，每月至少校准1次，校准需采用符合标准要求的校准物质，确保设备性能稳定、检测精度达标；检验过程中需详细记录检验数据、操作步骤、平行样偏差等内容，确保检验结果可追溯。五、检验规则SEMIF63-24标准明确了半导体工艺用超纯水的检验规则，包括取样频次、取样方法、检验项目、判定规则等，确保超纯水质量的规范性、可监控性和可追溯性，所有检验操作均需遵循本标准及相关引用文件的要求，结合半导体生产的连续性特点，具体规则如下：5.1取样频次取样频次需根据超纯水的用途、半导体制程要求、生产规模及质量稳定性确定，确保能够及时监控超纯水质量变化，避免质量隐患，具体频次要求如下：通用型超纯水（28nm及以上制程）：在线监测实时进行，每1分钟记录一次核心指标（电阻率、电导率、TOC、颗粒物）；离线取样频次至少每4小时1次，涵盖制备终端、储存罐出口、使用终端等关键位置；当生产工艺调整、设备改造、原水水质变化或检验结果出现异常时，需增加取样频次，每2小时取样1次，直至水质稳定；企业需定期进行全项目验证，每月至少1次，第三方检测机构的专项检验，需根据检验需求，对每一批次样品进行取样检验。先进制程专用超纯水（28nm以下制程）：在线监测实时进行，每30秒记录一次核心指标；离线取样频次至少每2小时1次，涵盖制备终端、储存罐出口、使用终端、光刻/蚀刻等关键工艺用水点；无菌操作环节使用的超纯水，每1小时取样1次；每一批次制备完成的超纯水，均需取样进行全项目检验；企业需定期进行全项目验证，每两周至少1次，确保超纯水质量稳定，适配先进制程的严苛要求。5.2取样与检验项目取样需在Class1级洁净环境中进行，取样前需对取样设备、取样器皿进行彻底清洗、消毒、灭菌处理，取样器皿需选用无溶出、无吸附、无颗粒脱落的材质（如石英、PTFE），避免污染样品；取样时需采用无菌操作，取样量需满足检验需求，通常不少于1000mL，平行样取样量需一致，取样过程中需详细记录取样信息，包括取样日期、取样时间、取样位置、取样量、取样人、生产批次、水样状态、在线监测数据等，确保样品可追溯。取样后需立即密封样品，标注相关信息，在规定时间内送达检验实验室进行检测，通用型超纯水样品的保存时间不超过8小时，先进制程专用超纯水样品的保存时间不超过4小时，避免样品组分变化导致检验结果偏差；样品保存需采用冷藏（2~8℃）、密封、避光保存，避免与空气接触，防止杂质进入。检验项目需结合超纯水的类型，全面覆盖质量指标，确保超纯水质量可控，具体检验项目如下：通用型超纯水：例行检验项目包括外观、电阻率、电导率、pH值、颗粒物（≥0.1μm、≥0.05μm）、TOC、细菌数；全项目验证需增加总溶解固体（TDS）、痕量金属杂质、低分子有机物、霉菌和酵母菌数、致病菌等项目。先进制程专用超纯水：例行检验项目包括外观、电阻率、电导率、pH值、颗粒物（≥0.1μm、≥0.05μm、≥0.03μm）、TOC、细菌数；全项目验证需增加总溶解固体（TDS）、痕量金属杂质（ppt级别）、低分子有机物、霉菌和酵母菌数、致病菌等项目。检验过程中需设置空白对照，采用无杂质的标准纯水作为空白样品，扣除环境、设备、试剂等因素对检验结果的影响；检验方法需严格遵循本标准引用的相关标准及规范，检验数据需详细记录，包括测试数据、操作步骤、平行样偏差、仪器校准信息等，确保可追溯；平行样测试结果的相对偏差不得超过5%，否则需重新取样检验。5.3判定规则若取样过程符合本标准规定的操作规范，样品标记完整、保存得当，且平行样测试结果的相对偏差不超过5%，则判定取样合格，样品可用于后续检验；若取样过程不符合操作规范（如取样器皿未消毒、样品受到污染、保存时间超过规定期限），或平行样相对偏差超标，则判定取样不合格，需重新取样。若检验结果中，所有质量指标均符合本标准规定的限值要求，则判定该批次超纯水合格，可用于半导体工艺生产；若有一项指标不符合要求，则判定该批次超纯水不合格，不得用于生产，需立即排查制备工艺、设备、原水、输送系统等环节的问题，整改后重新制备、检验，直至合格；不合格的超纯水需按环保要求进行无害化处理，不得随意排放或复用，避免污染环境或影响产品质量。若因检验操作不规范、仪器校准不合格导致检验结果异常，需重新检验；若检验结果存在争议，需由SEMI中国标准化委员会认可的第三方检测机构进行仲裁检验，以仲裁检验结果为准；若因超纯水质量不合格导致半导体芯片质量问题，需追究相关人员责任，完善质量控制体系，加强操作人员培训，优化生产、检验流程，避免类似问题再次发生。六、取样、贮存、输送及标志6.1取样、贮存与输送取样需在Class1级洁净环境中进行，取样人员需穿戴无菌、无颗粒、防静电的防护装备（无菌手套、口罩、无菌防护服、防静电鞋），严格遵循无菌操作规范，避免样品受到污染；取样完成后，立即对取样设备、取样区域进行清理，避免残留样品污染环境或影响下次取样。样品贮存需根据超纯水的类型，采取相应的保存措施，严格控制贮存温度和保存时间，避免样品变质、组分变化，确保检验结果准确：通用型超纯水：需冷藏保存（2~8℃），保存时间不超过8小时；储存容器需选用耐腐蚀、无吸附、无溶出的石英或PTFE容器，无菌密封保存，避免与空气接触，防止杂质进入；储存容器需提前进行清洗、消毒、灭菌处理，确保无残留杂质。先进制程专用超纯水：需冷藏保存（2~8℃），保存时间不超过4小时；储存容器需选用半导体专用无菌石英容器，无菌密封，单独存放，与其他用水隔离，防止交叉污染；储存过程中需避免容器振动、碰撞，防止颗粒物产生。超纯水的输送是保障其质量的关键环节，输送系统需符合SEMIF100-24标准要求，具体要求如下：输送管道需选用316L不锈钢（抛光处理，粗糙度Ra≤0.2μm）或PTFE材质，管道内壁光滑、无死角，避免颗粒物附着和杂质溶出；输送管道的安装需避免死角、盲管，采用循环输送方式，循环流速≥1.0m/s，避免超纯水静止导致微生物滋生和杂质沉积；输送阀门需选用半导体专用无死角阀门，材质与管道一致，避免泄漏和杂质污染；输送系统需定期进行清洗、消毒、灭菌，每1个月清洗一次，每3个月灭菌一次，确保输送系统的洁净度。超纯水的运输主要针对取样样品的运输，运输过程中，需将样品放入密封的保温箱中，加入冰袋维持2~8℃的贮存温度，避免温度波动导致水质变化；运输容器需牢固、防泄漏，防止取样瓶破损、样品泄漏；运输过程中需避免剧烈振动、碰撞，防止样品产生颗粒物或受到污染；运输时需附带样品清单，注明样品名称、取样日期、取样位置、检测指标、保存条件、接收单位、生产批次等信息，便于接收方核对；先进制程专用超纯水样品的运输需在Class1级洁净容器中进行，运输时间尽量缩短，确保样品在规定的保存时间内送达接收方。6.2标志超纯水样品容器上需明确标注以下信息：样品名称（半导体工艺用超纯水，注明通用型或先进制程专用）、生产批次、取样日期、取样时间、取样位置、样品编号、取样人、生产企业名称及联系方式、贮存条件、保存期限、检测要求；先进制程专用超纯水样品需单独标注“先进制程专用”“Class1级样品”“严禁污染”“严禁振动”字样，通用型超纯水样品需标注“通用型超纯水”字样，明确样品用途，避免混淆。制备设备、检验设备及校准标准物质的容器上需标注相应信息：制备设备（反渗透设备、EDI模块、超滤设备等）需标注设备名称、型号、校准日期、使用日期、维护记录、运行参数等信息，便于管理和追溯；检验设备（ICP-MS、激光粒子计数器、TOC测定仪等）需标注设备名称、型号、校准日期、精度等级、检测范围等信息，确保设备性能符合要求；校准标准物质（金属标准溶液、TOC标准溶液等）需标注物质名称、浓度、纯度、有效期、生产厂家、校准用途等信息，避免使用过期、不合格的校准物质。检测机构接收样品后，需在样品标签上注明接收日期、接收人，对样品进行分类存放，根据样品保存要求妥善保管；检测完成后，需在样品标签上注明检测结果、检测日期、检测人员，检测合格的样品需妥善保存至规定期限，不合格样品需按环保要求进行处理，不得随意丢弃。企业的取样记录、样品标签、检验报告、设备校准记录、制备记录、输送系统维护记录等资料，需妥善保存，保存时间不得少于5年，便于追溯和复查；第三方检测机构的取样资料、检测报告、校准记录等，需按SEMI相关规定保存，确保可追溯；先进制程用超纯水的相关记录需额外保存2年，便于后续工艺优化和问题追溯。七、本标准与相关标准的主要差异SEMIF63-24版半导体工艺用超纯水标准，在继承SEMIF63-19版核心内容的基础上，结合半导体技术的迭代升级进行了修订优化，同时与国际相关标准（ASTMD1125-22、ISO14726-2022）、国内标准（GB/T11446.1-2013）存在一定差异，核心差异主要体现在质量指标、制备工艺、检验要求等方面，具体如下：7.1与SEMIF63-19（2019年版）的主要差异一是新增了先进制程专用超纯水的质量指标，针对28nm以下先进制程，收紧了颗粒物、痕量金属杂质、有机物的限值，新增了粒径≥0.03μm颗粒物的控制要求，将痕量金属杂质从ppb级别提升至ppt级别，TOC限值从10μg/L收紧至5μg/L，进一步适配先进制程对超纯水纯度的极致需求；二是优化了制备工艺要求，新增了EDI工艺的详细技术参数，明确了双级反渗透的适用场景，强化了制备环境的洁净度要求（从Class10级提升至Class1级）；三是完善了检验方法，新增了激光诱导击穿光谱法（LIBS）用于痕量金属杂质的辅助检测，优化了颗粒物、TOC的检测精度要求；四是强化了在线监测要求，明确了先进制程超纯水的在线监测频次（每30秒记录一次），新增了异常报警的应急处理流程；五是补充了输送系统的维护规范，明确了管道清洗、灭菌的频次和方法，避免输送过程中的二次污染。7.2与ASTMD1125-22的主要差异一是指标侧重点不同，ASTMD1125-22重点聚焦超纯水的电阻率、电导率等理化指标，对颗粒物、痕量金属杂质、有机物的控制要求相对宽松，而SEMIF63-24重点聚焦半导体工艺的特殊性，对颗粒物、痕量金属杂质、有机物的控制更为严苛，分通用型和先进制程专用，指标更具针对性；二是质量限值不同，ASTMD1125-22规定超纯水的电阻率≥18.2MΩ·cm（25℃），无颗粒物、痕量金属杂质的具体限值，而SEMIF63-24明确了不同粒径颗粒物、各类痕量金属杂质、有机物的具体限值，且先进制程专用超纯水的限值更为严苛；三是检验方法不同，ASTMD1125-22主要规定了电阻率、电导率的检测方法，而SEMIF63-24涵盖了理化、颗粒物、痕量金属、有机物、微生物等所有指标的检测方法，且检测精度更高（达到ppt级别）；四是适用场景不同，ASTMD1125-22适用于各类电子级超纯水，通用性较强，而SEMIF63-24专门针对半导体工艺用超纯水，适配半导体生产的特殊需求；五是合规导向不同，ASTMD1125-22主要服务于北美电子行业，而SEMIF63-24是全球半导体行业的通用标准，更贴合半导体产业的技术发展趋势。7.3与GB/T11446.1-2013的主要差异一是指标严苛程度不同，GB/T11446.1-2013将电子级水分为五个级别，最高级别（EW-1级）的电阻率≥18.2MΩ·cm（25℃），颗粒物（≥0.1μm）≤10个/mL，痕量金属杂质≤10ppb，TOC≤50μg/L，而SEMIF63-24通用型超纯水的指标已严于GB/T11446.1-2013的EW-1级，先进制程专用超纯水的指标更是远超该标准；二是分类方式不同，GB/T11446.1-2013按纯度分为五个级别，而SEMIF63-24按半导体制程分为通用型和先进制程专用，更贴合半导体产业的实际需求；三是制备工艺要求不同，GB/T11446.1-2013对制备工艺的要求相对宽泛，而SEMIF63-24明确了多级纯化工艺的具体流程、设备参数、环境要求，尤其是强化了EDI、超滤等核心工艺的要求；四是检验要求不同，GB/T11446.1-2013的检测精度多为ppb级别，而SEMIF63-24先进制程专用超纯水的检测精度达到ppt级别，检验方法更为精准、严谨；五是合规性不同，GB/T11446.1-2013是我国电子级水的国家标准，主要适用于国内电子行业，而SEMIF63-24是全球半导体行业的通用标准，是国内半导体企业参与国际竞争、实现合规的核心依据。此外，SEMIF63-24与ISO14726-2022相比，更聚焦半导体工艺的特殊需求，对颗粒物、痕量金属杂质