金刚石散热专题报告金刚石散热：磨料变芯材料金刚石启散热产业化元年

正文目录金刚石怎么造、谁在造？ 5MPCVD设备国内占据半壁江山 5国内金刚石产能聚焦河南 6磨料/宝石电子级的技术跨度 6金刚石为何是高性能芯片散热终极材料？ 7物理基础：为什么是金刚石？ 7AI爆发下需求跃升 8国内技术有望追平海外 9金刚石散热市场空间几何？ 多晶热沉正导入，微流道嵌入式或为终极形态 2030年金刚石散热市场有望超亿元 金刚石有望成为第四代半导体衬底，未来最大期权 产业价值链与国内外核心玩家如何？ 产业链条与价值分布 海外企业键合技术领先 国内企业产能设备领先 风险提示 图表目录图1HPHT示意图 5图2MPCVD示意图 5图3河南金刚石产业分布集中 6图4AIGPU单芯片功耗线路图 8图5AI芯片功耗跃迁 9图6芯片近端散热链路剖面与金刚石扩热定位 9图7金刚石金属复合材料形态 图8多晶金刚石热沉片处于导入初期 图9CVD多晶热沉片形态 图10CVD单晶热沉/衬底形态 图GaN-on-Diamond与晶圆级集成形态 图12金刚石微流道嵌入式液冷形态 图13AI加速器场景金刚石散热材料市场空间三情景 图14金刚石散热材料下游应用场景 图15金刚石作为第四代半导体材料示意图 图16金刚石散热产业链图谱与对应公司 图17四方达近五年收入和归母净利润及同比 图18四方达近五年净利率和毛利率走势 图19黄河旋风近五年收入和归母净利润及同比 图20黄河旋风近五年净利率和毛利率走势 图21国机精工近五年收入和归母净利润及同比 图22国机精工近五年净利率和毛利率走势 图23沃尔德近五年收入和归母净利润及同比 图24沃尔德近五年净利率和毛利率走势 图25力量钻石近五年收入和归母净利润及同比 图26力量钻石近五年净利率和毛利率走势 图27惠丰钻石近五年收入和归母净利润及同比 图28惠丰钻石近五年净利率和毛利率走势 表1HPHT与CVD两条工艺路线对比 5表2磨料级、宝石级、热学电子级金刚石技术指标 7表3主流散热材料热导率与热膨胀系数对比 7表4金刚石散热五道工程化与国内外差距 表5AI场景金刚石散热材料市场空间三情景测算（亿元） 表6金刚石散热材料下游应用三种情况展望（亿元） 表7金刚石散热成品价值分布估算 表8海外主要玩家竞争格局梳理 表9国内主要公司金刚石散热产能规划 金刚石怎么造、谁在造？MPCVD人造金刚石分与两大路线，理解两者差异是理解行业的关键：TD（PT）5-6万个大气压、1300-1600℃条件下，以石墨为碳源、金属触媒为溶剂，在六面顶压机腔体内60余年，技术极为成熟，是工业金刚石颗粒培育钻石的主流工艺，单晶颗粒/克拉级产品为主，成本低、产量大，但难六面顶压机几乎由国内主导，这是河南金刚石产业集群的设备根基。化学气相沉积法（CVD）在低压环境下将含碳气体（甲烷/氢气）裂解为活性碳因能量密度高、无电极污染、纯度可控，是电子级/热学级金刚石的主流制备路线，可生长大面积片状多晶膜或高纯单晶，纯度、尺寸、厚度可控，但生长速率慢（微米级/小时、设备贵、电耗高。根据中国机床工具工业协会统计，中国设备产能约占全球50%。表1HPHT与CVD两条工艺路线对比维度HPHT高温高压法CVD（MPCVD）化学气相沉积法合成原理压机模拟地幔高温高压，触媒催化低压等离子体裂解含碳气体逐层沉积主要产物单晶颗粒、微粉、HPHT培育钻大面积多晶片、高纯单晶片尺寸形态克拉级颗粒为主多晶薄膜可达晶圆级；高品质单晶仍以2-3英寸为主核心优势成本低、产量大、技术成熟纯度高、尺寸大、可金属化键合主要局限难产出大面积片材生长慢、设备贵、电耗高关键设备六面顶压机（中国供应链占主导）MPCVD（中国产能约50%）散热定位复合材料微粉/颗粒填料高端热沉片主战场（CVD）DiamondFoundry，Coherent，Element图1示意图 图2示意图培育钻石合成与分析进展 培育钻石合成与分析进展芯片散热需要的是大尺寸、高纯度、可抛光金属化的片状材料，因此高端散热片MPCVD；HPHT的角色是提供金刚石微粉/颗粒（用于金刚石-铜复合材料的填料）和低成本单晶热沉。这决定了“有压机产能”与“有芯片级散热能力”之间存在巨大鸿沟。以上，形成郑州许昌（长葛）—商丘（柘城）—南阳产业带。其历史根源是郑州三磨所（郑州磨料磨具磨削研究所，现属国机集团/国机精工体系）60年代起的技术外溢：黄河产业配套上，河南集聚了压机制造、金属触媒、石墨柱、金刚石破碎图3河南金刚石产业分布集中郑州市工信局，郑州市工商联《河南打造世界级超硬材料产业对策研究》，百度百科磨料宝石三个等级在核心指标上相差数量级。磨料级（工业金刚石）为单晶颗粒，尺寸微米至毫米级，允许金属触媒残留与晶格缺陷，单价按克拉/公斤计，是河南企业的传统能力圈。宝石级（培育钻石）1-10克拉，要求光/克拉且持续通缩。热学电子级（散热与半导体应用）要求完全不同的指标体系。热导率（多晶1000-18002000-2200W/m·Kppmppb级的控制、尺寸（2→4→8→12英寸、厚度均匀性、翘曲度、表面粗糙度（键合场景要求纳米级甚至亚纳米级、可金属化与可键合性。作为对照，据Crunch，ElementSixOrbray202510过2200、表面粗糙度低于0.5nm、平整度低于10μm；据Element202663英寸单晶金刚石工艺，4英寸热键合用晶圆正准备规模生产。表2磨料级、宝石级、热学/电子级金刚石技术指标指标磨料级宝石级（培育钻）热学/电子级形态单晶颗粒单晶（克拉级）大面积片/晶圆尺寸微米-毫米1-10克拉多晶可达大尺寸；单晶量产约2英寸、3英寸工艺已建立纯度要求允许触媒残留光学净度ppm-ppb级杂质控制热导率要求无无多晶1000-2200、单晶2000-2200+W/m·K表面粗糙度无要求无要求纳米级-亚纳米级单价量级克拉/公斤计数十-数百美元/克拉数万元/片核心工艺HPHTHPHT/CVDMPCVD+纳米级后道黄河旋风、中南钻石、ElementSix《CVDDiamondHandbook2022》及官网公告，GI金刚石为何是高性能芯片散热终极材料？性能优势：金刚石兼具工程材料中最高的热导率与极低的热膨胀系数。散热材料的核心是热导率（k）与热膨胀系数（CTE）的组合，金刚石的优势是“5倍于铜的热导率失配。CTE1.0-1.1eentix手册口径为300K下1.0±0.1，单晶与多晶一致2.6ppm/K，二者绝对失配量约1.5ppm/K；而铜为16.5-17ppm/K，与硅的失配约14ppm/K，比金刚石大一个数量级。热应力正比于CTE绝对差值与温变幅度，因此以金刚石替代铜作为近芯片侧热扩散层，可在提供数倍热导率的同时大幅降低界面热应力。表3主流散热材料热导率与热膨胀系数对比备注备注失配（CTEppm/KW/（m·K）材料CVD单晶金刚石

≥2000（热学级规格>2200） 约1.0-1.1 约1.5

已知最高热导率工程材料；同位素纯化可超3000CTECTE与单晶一致；尺寸大、成本低于单晶1.51.0-1.11000-2200（按牌号TM100-TM220分档）CVD多晶金刚石（商用）CTE可按体积分数调节银约429约19约16.4成本高铜约（商用）CTE可按体积分数调节银约429约19约16.4成本高铜约401约16.5-17约13.9-14.4现役主流4H-SiC单晶面内约440-470；跨面约300-330约4.3-4.7约1.7-2.1显著各向异性；半导体衬底SiC陶瓷（烧结/反应烧结）约60-270约4.0-4.5约1.4-1.9视烧结助剂与致密度而定

约3.4-3.9 可加工性好、成本低；材料W/（m·K）CTEppm/K与硅CTE失配（备注氮化铝约170-230约4.5约1.9陶瓷基板主流硅 约149 约2.6 — 芯片本体Element《DiamondHandbook2022Corp.产品规格，PrecisionCeramics，Crystals期刊《ProgressinCopper-BasedDiamondComposites，arXiv:1712.00830《AnisotropicThermalConductivityof4Hand6HSiCOkada&Tokumaru(1984)，元素热导率标准数据表 整理技术卡点：金刚石散热的工程难点有二。其一是界面热阻（TBR）——热量从芯片进入金刚石需要跨越界面，若键合层/过渡层做不好，材料本体的高热导率会被界面热阻吃掉大半，这是金刚石散热工程化的真正胜负手；其二是加工性——莫氏硬度10意味着切割、研磨、抛光、打孔全部需要专用工艺，且金刚石与铜本质上不浸润、界面结合力弱，复合材料的界面改性（镀钨/镀钛等）是专门的技术解决方案。爆发下需求跃升驱动因素一：芯片功耗跃迁，单芯片功耗3年翻3倍是产业共识。NVIDIAH100单卡功耗约700W；B系列（Blackwell）升至1000-1400W量级；据Tom'sHardware等供应链报道，新一代VeraRubin架构GPU功耗最高达2300W。且2.5D/3D异构集成（CoWoS、SoIC类）使热源在垂直方向堆叠，层间积热与热串扰使“局部热点”问题急剧恶化。图4AIGPU单芯片功耗线路图NDA官方Daashee（H100Blackwell，omsHardwar、ccech等供应链报道 注：截至2026年8月官方尚未公布Rubin的TDP规格，Rubin数值为供应链传闻与第三方测算驱动因素二：现有方案的边界，瓶颈从“系统排热能力”转移到“芯片近端把热摊开的能力”。散热链路为芯片结均热盖板/VC→TIM2→冷板（液冷）→CDU→机房。液冷（冷板/浸没）解决的是从服务器到机房的“搬热”问题；但从芯片结到冷板之间的“扩热”环节，现役方案是铜均热板/VC腔+TIM，铜的401W/m·K在热流密度下已成为瓶颈——热点温度决定芯片是否降频，而降频直接损失算力。图5AI芯片功耗跃迁华西证券研究所制图驱动因素三：金刚石散热带来约10-20℃的热点。金刚石与液冷是串联互补关系，不存在替代，金刚石热沉/复合材料插入“芯片结附近”环节，把点状热流快速横向摊开，降低热点温度，再交由液冷带走。商业化验证的锚点是AkashSystems的DiamondCooling方案，据公司新闻稿披露数据为GPU与HBM温度最高降低10℃、每瓦浮点运算最高提升22%、Token吞吐最高提升15%；近端金刚石散热带来热点温度改善，对应的是免降频与能效收益。图6芯片近端散热链路剖面与金刚石扩热定位华西证券研究所制图国内技术有望追平海外国内外差距在后道加工与键合。在多晶大尺寸生长上中国与海外差距不大甚至局部领先，真正的差距在后道加工与直接键合环节。环节 技术难点 环节 技术难点 国内外差距判断大尺寸均匀生长 温度场流场均匀性、8英寸多晶膜合格率 中国不落后，黄河旋风8英寸产线已投纳米级双面研磨抛光、激光切割、金属化 良率与成本大头在此，国内刀具基因公司纳米级双面研磨抛光、激光切割、金属化 良率与成本大头在此，国内刀具基因公司有优势后道精密加工键合与控制 晶圆级表面活化直接键合 美日明显领先，粗糙度要求达可靠性验证可靠性验证功率循环、温度循环、高温高湿6-18个月，不可压缩的时间成本成本曲线 MPCVD电耗为主要可变成本 产能流向新疆内蒙古低电价区黄河旋风公开资料、沃尔德公司公告、四方达公司公告、ElementSix及Orbray官网、中国科学院微电子研究所、SumitomoElectric官网、新华财经其中键合环节值得单独强调。lement0.5nm的原因正在于此，202562英寸多晶金刚石衬底上实现GaN25%衬底降低约50设备自研”构成成本三要素。金刚石散热市场空间几何？五种形态在成熟度与性能天花板上呈梯度分布，复合材料最先起量，微流道嵌入式为终极形态。形态一：金刚石金属复合材料ia/、a/l。在铜基体中复合体积分数30-50%的金刚石颗粒，热导率600-900W/m·K1.5-2倍，兼顾可加工性与ElementSix2025122、与GaNCu-Diamond800W/m·K量级，并可制成复杂形状以嵌入先进封装。技术成熟度最高、单价最低、导入壁垒最低，对厂商而言是消化微粉/颗粒产能的正当出口。图7金刚石-金属复合材料形态ElementSi《ComposesPartB《ppliedhermalEngineerng 制图形态二：CVD多晶金刚石热沉片。0.1-1mm2-8英寸的多晶片，热1000-2000+W/m·K，贴装于芯片与均热板之间做热扩展层，是国内上市公司当前的主攻方向。导入壁垒中等，需解决抛光、金属化与贴装工艺，认证周期以季度—年计。图8多晶金刚石热沉片处于导入初期 图9多晶热沉片态四方达、中兵红箭、沃尔德投资者关系活动记录 制图 ElementSi 制图形态三：CVD单晶金刚石热沉/衬底。2200+W/m·K，用于激光器巴条、高端射频以及未来直接键合场景，尺寸受限（单晶大尺寸是全球性难题。单价最高、壁垒最高、量最小，短期是利基市场，长期是金刚石作为第四代半导体衬底的入口。图10CVD单晶热沉/衬底形态Element、Orbra 制图形态四：GaN-on-Diamond与晶圆级集成。GaN器件层与金刚石衬底结合，ElementSix2013年收Group4LabsGaN-on-Diamond资产，2014Raytheon验证，射频器件面功GaN-on-SiC33倍；2017年该外延技术出售给韩国用于射频功放商业化。GaN-on-Diamond在军工射频领域已商用十余年，证明金刚石近结散热物理成立、工程可制造。图11GaN-on-Diamond与晶圆级集成形态Raytheon等IEEE会议论文，Element、RFHIC公开资料 制图形态五：金刚石与微通道液冷集成（嵌入式冷却。在金刚石内部或表面加工微流道，冷却液直接在高导热材料内换热，属于终极形态，海外以初创公司与实验室为主。图12金刚石微流道/嵌入式液冷形态IEEETransactionsonComponents，Packaging，andManufacturingTechnology《AdvancedFunctionalMaterials《JournalofThermalScience 制图2030300亿元中性情形下2030年金刚石功能材料（散热类）全球市场约188亿元人民币，乐观情形约312亿元。模型采用“出货量渗透率单颗价值量”框架。我们假设：加速器（GPU+ASIC）2026万颗、20282000万颗、2030年约2800万颗；金刚石类散热材料单颗价值量，复合部件200-500元/颗，CVD多晶热沉片当前约2000元/颗、2030年随良率与规模降至1800元/颗；渗透率（金刚石类材料进入散热堆叠口径）三情景见下。时点渗透率悲观中性乐观时点渗透率悲观中性乐观2026E（悲观/中性/乐观）0.8%/1.5%/3%1.63.06.02028E5%/12%/22%20.048.088.0乐观乐观中性悲观渗透率（悲观/中性/乐观）时点2030E 15%/28%/45% 75.6 141.1 226.8华西证券研究所测算图13AI加速器场景金刚石散热材料市场空间三情景华西证券研究所测算叠加光模块/激光器、射频GaN、功率器件三块后，全球金刚石散热材料市场2030亿元。光模块与激光器热沉是确定性最高的小（L/W，2030年中15GaN（GaN-on-Diamond，军工/卫星/基站，已商用）2030年中18亿元；功率器件模块散热（SiC/GaN模块）203014亿元。图14金刚石散热材料下游应用场景高导热金刚石/铜复合材料研究进展表6金刚石散热材料下游应用三种情况展望（亿元）构成2026中2028中2030中2030乐观AI加速器散热3.048.0141.1226.8光模块/激光器热沉1.06.015.028.0射频GaN2.08.018.032.0功率器件模块散热1.05.014.025.0合计约7约67约188约312华西证券研究所测算

散热之外，金刚石真正的远期大逻辑是从“散热片”升级为“器件衬底”——Six的超宽禁带半导体（UWBGS）4Orbray（2200+、表面粗糙度低于0.5n器件的终极衬底材料。图15金刚石作为第四代半导体材料示意图华西证券研究所制图产业价值链与国内外核心玩家如何？产业链条与价值分布完整链条可拆为五段：设备与原材料→生长→后道加工→集成键合→终端认证，价值量与壁垒并非均匀分布。图16金刚石散热产业链图谱与对应公司优普莱、四方达、力量钻石、惠丰钻石、黄河旋风、国机、沃尔德、三磨所、化合积电、人民日报、华西证券研究所上游（设备：扩产潮中最先兑现的环节。谐振腔内温度场与流场均匀性直接决。设备自研的战略意义有三：成本MPCVD设备三大核心部件为915MHz大腔体机型因功率高、等离子体球直径大，更适合6-8英寸大尺寸生长，这或许是黄河旋风300台规划全部指向915MHz3.650台/2万元、每万片年产能对应投1.85500台（一期。上游（：占生长成本比例较低，我们认为不构成主要壁垒。包括高纯甲烷/氢气（电子级气体、金属触媒与石墨柱（HPHT路线、籽晶/衬底片；复合材料10%以内；我们判断真正的“上游卡位”是设备与电力，而非物料。（生长：成本大头。4我们估算设备折旧30-40%、电力25-35%、气体与耗材5-10%、人工与制造费用10-20%。单炉连续运行数百小时，电力是最大可变成本，这解释了产能为中流向新疆与内蒙古，低电价可将现金成本降低两至三成量级。中游（后道加工：完整工序为激光切割双面研磨→抛光/→表面金属化→光速率以微米/小时计，良率损耗高度集中于此环节，且尺寸越大、翘曲控制越难。35-40%，是全链条中“单位增值/壁垒”比最高的一段——（沃尔德、三磨所体系）的利润池。复合片与超硬刀具产业中，加工与应用端毛利率长期显著高于合成端，热学级金刚石大概率复制“加工端利润厚于合成端”的分配结构。（集成与键合：占比不高的un共晶焊/烧结银浆贴装（热沉片路线，当前主流）与表面活化直接键合（晶圆级，美日明显领先。界面热阻（TBR）控制决定材料性能能否兑现，我们估算该环节加工费10-15%与系统厂主导，国内材料厂尚无一家公告与头部模组/封测厂的绑定协议，这是产业链的关键缺环；谁先形成绑定，谁先拿到放量入。AkashSystemsBOM认证直接做金刚石散热服务器整机，把材料价值放大为系统增值。表7金刚石散热成品价值分布估算环节价值占比壁垒来源毛利率动态判断原材料与耗材5-10%设备与电力，非物料—生长（含折旧+电力）约45%低电价+大腔体+设备自研长期最先被压缩后道加工+良率损耗35-40%纳米级抛光+金属化最稳，壁垒最高集成键合加工费10-15%TBR控制、直接键合准入开关华西证券研究所估算终端认证：无直接产值，但决定一切。芯片原厂/OEM6-18desgn-n由原厂与超大规模云厂商主导，材料厂无法单方面加速。海外企业键合技术领先美国握有系统集成与直接键合先发权，日本握有单晶与精密加工，中国握有产能、成本与设备规模。ElementSix（DeBeers旗下）20251800W/m·KCu-DiamondOrbray2024年宣布合作开2026634英寸仍在开发、2英寸热键合用晶圆准备规模生产。AkashSystems（美国，2017年成立）是金刚石散热系统化落地的旗手。获美国6820（1820万5000；226年2服务器并部署运行；20263月与神云科技MI350XAI服务器，并据公司新闻稿获得3亿美元量级订单。其定位是不卖材料卖系统，直接切服务器整BOM认证。表8海外主要玩家竞争格局梳理公司公司机构 国别 定位 关键进展Six 英国南非 高端材料+键合制高

20246Orbray结盟；20266月披露3英寸单晶工艺可重复、2英寸热键合晶圆准备量产，粗糙度<0.5nmH200/MI350XH200/MI350X服务器落地；CHIPS1820系统集成（卖整机）美国AkashSystems住友电工日本 单晶与光学级积累

CD热沉成熟量产（>1000m·K202562GaN无焊料直接键合铱铱/蓝宝石异质外延；E6联合，3单晶金刚石日本Orbray美国 培育钻转晶圆 2023年首片100mm单晶晶圆；体系 体系 美国 near-junction研究资助 长期资助近结热管理ElementSix官网及PRNewswire，AkashSystems新闻稿，DiamondFoundry官网，住友电工官网，Orbray官网，公告，美国商务部与NIST，Semiconductor整理国内企业产能设备领先国内核心企业金刚石散热前瞻布局1.四方达（300179）设备材料一体化。金刚石钻针MPCVD合成及加工设备并规2000W/m·K以上，已通过客户测试、进入小批量供货阶124英寸及以上散热片；202644.52.5万片产2026Q11.84亿元（40.2429.89万元（25.6。2024年-3.19；20257.98（5.67亿元20221.54亿元见顶（+67.33%）后连续三年下行20250.3亿元（-2077D新业务投入期的成本前置——20256289.28万元7641.222054137，41.3711.55pct，2021-202451%-56%稳定区间被打破的第一年。图17四方达近五年收和归净利及同比 图18四方达近五年净率和利率势收入 归母净利润 销售毛利率() 销售净利率()0

收入同比增长率 归母净利润同比增长率0.800.600.400.200.00-0.20-0.402021 2022 2023 2024 2025

60504030201002021 2022 2023 2024 2025iFind iFind2.黄河旋风（600172）产业里程碑。20259283.650设备将于今年上半年全部到位，23亿元，配置300台MPCVD设备，最终实现年产大尺寸金刚石热沉片15万片。公司连续三年亏损，财务状况承压。8英寸首条产线是真实产业里程碑。2023年收入-34.67%，归母净利润由上年+0.31亿元直接转为-7.98亿元，源于培育钻石与工业金刚石价格暴跌叠加大额减值。在2024-2025年——收入已企稳（2025年4.24-9.83-9.50202591.78%3.14亿元、1.5627亿元，5.60亿元（-62.91-1.51，超硬材料板块已进入的负毛利区间。销售毛利率202130.83%、202230.71%、202315.63%、20243.39%、2025年0.90%。培育钻石与工业金刚石售价在2023年后大幅下跌，而六面顶压机产能的折旧刚性使单位成本无法同步下行，产能利用率不足进一步放大单位固定成本。净利率-70.03%则主要由巨额减值与财务费用贡献，与毛利率不是同一驱动。图19黄河旋风近五年收和归净利及同比 图20黄河旋风近五年净率和利率势300025002000150010000-1000-1500

收入 归母净利润收入同比增长率 归母净利润同比增长2022021 2022 22202020230.00-50.00-100-150-200-250-300

0-20-40-60-80-100

20212022202320242025销售毛20212022202320242025iFind iFind3.国机精工（002046）央企平台，技术纵深最厚。三磨所是国内超硬材料工业的技术母体，公司具备MPCVD设备自研能力并覆盖HPHT压机，散热产品矩阵覆盖单晶、多晶、金刚石铜复合材料三条路线。收入在2023-2024年随行业周期下滑、年回升13.59%至30.19亿元，由轴承（其中风电轴承收入增长以上）与磨料磨具（+20.66%）双轮驱动。利润端2021-2024年连续四年增长（1.27→2.80亿元20256.96%，方向与收入相反——原因不在经营，而在权益：超硬材料100%67%0.65亿元。同一因素叠加研发费用+68.38%与信用减值+59.72%，导致2026Q1归母净利-908.08万元（上年同期+8848万元202120.94%2024年35.27%，20251.17pct34.10%，上行动力来自业务结构向高毛利环节迁移：机床工具（超硬材料磨具）板块毛利率2025年逆势提升5.16pct至63.40%，有效对冲了新材料板块16.12%（-16.37pct）与基础零部件26.99%（-5.78pct）的下滑。图21国机精工近五年收和归净利及同比 图22国机精工近五年净率和利率势40003500300025002000150010000

收入 归母净利润收入同比增长率 归母净利润同比增长率1.201.000.800.600.400.200.00-0.20-0.402021 2022 2023 2024 2025

销售毛利率) 销售净利率)40353025201510502021 2022 2023 2024 2025iFind iFind4.沃尔德（688028）精密加工基因切入，卡位后道与大尺寸。主业为超高精密刀具，据公司投资者12英寸钻石金刚石热沉，收入由3.26亿元连续增至7.54亿元、年复合增速23.3%，单一最大跃升在2023年（45.52550012.54、1.08，利润却停滞1.85、-4.12025年营业成本增速18.32%高于收入增速，主因钨价上涨推高硬质合金刀具原材料成本，叠加低毛利的硬质合金刀具（+22.25%）5.72亿元（52.11%）是利润支柱，超硬材料金刚石声学器件、热沉、光学窗口等）0.425.6%49.22%温和下移至42.59%价上涨推高硬质合金刀具原材料成本，2025年营业成本增速18.32%高于收入增速11.08%；其二是业务结构变化，增速最快（+22.25%）的硬质合金刀具毛利率低于52.11%，占比提升产生稀释；其三是消费电子疲弱与行业竞争加剧带来的价格压力。图23沃尔德近五年收和归净利及同比 图24沃尔德近五年净率和利率势0

收入 归母净利润收入同比增长率 归母净利润同比增长率0.600.500.400.300-0.102021 2022 2023 2024 2025

销售毛利率) 销售净利率)60504030201002021 2022 2023 2024 2025iFind iFind5.力量钻石（301071）资产负债表最好，散热卡位偏后。主业金刚石单晶、微粉、培育钻石，超硬材料营收占比超97%。散热布局：根据中国证券报，公司与中国台湾捷斯奥合作建设半导体高功率散热片项目。公司是上一轮周期中成本控制与盈利韧性最好的HPHT厂商，现金充裕；但能力圈重心在HPHT颗粒/微粉，高端热沉片竞争中卡位相对靠后。2021-2022+103.50%、+81.85%，归母2.404.606.32亿元7.841.09亿元（45.5722276。回落的驱动是价格而非销量——培育钻石、金刚石单晶、金刚石微粉三大品类毛利率同期同步腰202164.07%、202263.29%202351.67%、202428.95%、202522.23%，且无一品类幸免：培育钻石毛利率由34.76%降至、金刚石单晶由38.93%降至27.13pct45.8624.6（-21.20ct。图25力量钻石近五年收和归净利及同比 图26力量钻石近五年净率和利率势10008006004002000

收入 归母净利润收入同比增长率 归母净利润同比增长率2.502.001.501.000.500.00-0.50-1.00

销售毛利率) 销售净利率)706050403020100202120222023