CN119418729A 磁记录介质磁记录介质的制造方法磁存储装置 （株式会社力森诺科硬盘）

含六方晶氮化硼的晶界部的粒状结构，所述第1磁性层所含的磁性粒子的(111)面在与所述第2所含的磁性粒子从所述第1磁性层所含的磁性粒性粒子和所述第2磁性层所含的磁性粒子分别为2所述第2磁性层具备具有L10结构的磁性粒子和具有含六方晶氮化硼的晶界部的粒状结所述第1磁性层所含的磁性粒子的(111)面在与所述第2磁性层的界面上，被氮化硼覆所述第2磁性层所含的磁性粒子从所述第1磁性层所含的磁性粒子的(001)面外延生所述第1磁性层所含的磁性粒子和所述第2磁性层所含的磁性粒子分别为贯穿所述第12.根据权利要求1所述的磁记录介质，覆盖所述第1磁性层所含的磁性粒子的(111)面所述六方晶氮化硼的(001)面与所述(113.根据权利要求1或2所述的磁记录介质六方晶氮化硼的所述(001)面将所述第2磁性层所含的磁性粒4.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，所述第1磁性层和所所述制造方法在通过溅射形成所述第1磁性层的工序和通过溅射形成所述第2磁性层3录的热辅助记录方式或微波辅助记录方式，作为可实现2Tbit/inch2左右的高面记录密度[0003]若使用这样的辅助记录方式的磁头，在室温中的矫顽力为数十kOe的磁记录介质[0008]【非专利文献1】B.S.D.Ch.S.Varaprasadetal.,AIPAdvances,13,035002[0012]六方晶氮化硼为与(001)面平行层叠的层状结构，FePt磁性粒子间容易形成晶界4[0021]所述第2磁性层所含的磁性粒子是从所述第1磁性层所含的磁性粒子的(001)面外所述六方晶氮化硼的所述(001)面包围所述第2磁性层所含的磁性粒层所含的具有L10结构的磁性粒子为F[0031]根据本发明的一个方式，可提供稳定维持粒状磁性层在内部形成粒状结构的状[0032]根据本发明的其他方式，可提供稳定维持粒状磁性层在内部形成粒状结构的状5℃以上的温度的情况下也能使用。[0047]作为构成第1磁性层30的、具有L10结构的磁性粒子，可举例如，FePt合金粒子、[0053]第2磁性层40为，包括具有L10结构的磁性粒子和含晶界部的粒状结构的磁性层6[0061]此时，第1磁性层30的生长面中的磁性粒子中，在(001)面的基础上，还形成了基板10上形成的具有L10结构的构成第7从第1磁性层30的磁性粒子31的(111)面311C开始的、第2磁性层40的磁性粒子41的生长能[0066]本实施方式中，优选将作为第2磁性层40的晶界部的六方晶氮化硼晶界部42形成界部的六方晶氮化硼晶界部42形成为，其(001)面42A将第2磁性层40所含的磁性粒子41的[0069]第2磁性层40中的六方晶氮化硼晶界部42的含量优选25体积50体积％的范围在25体积50体积％的范围内时，可提高磁记录介质1的矫顽力H[0070]第2磁性层40中的六方晶氮化硼晶界部42的含量的测定方法没有特别限制，可使的制造方法，可将第1磁性层30的生长面上的磁性粒子31的(111)面311C用氮化硼层50覆[0074]磁记录介质1的制造方法可通过适当选择氮化硼的溅射条件，可将氮化硼仅在磁面，仅去除磁性粒子31的(001)面311B上析出的六方晶氮化硼，使六方晶氮化硼仅覆盖89子31的(111)面311C与第2磁性层40的界面被氮化硼覆盖，磁性粒子41从磁性粒子31的[0092]磁记录介质1在减小第1磁性层30和第2磁性层40所含的各自的磁性粒子31和41的[0096]本实施方式涉及的磁存储装置可具有，驱动例如本实施[0099]图4示意性地表示磁头103的一例。如图4所示，磁头103具有记录头110和再生头用溅射法依次形成厚度10nm的Cr层和厚度5nm的MgO层。接下来，将玻璃基板加热到450℃[0114]然后，用溅射法依次形成厚度13nm的(Fe_49at％Pt)_40体积％六方晶氮化硼层[0117]除了将第1磁性层的覆盖条件变更为如表1所示的覆盖条件以外，与实施例1同样[0123]第1磁性层的六方晶氮化硼hBN的结晶性是用透射型电子显微镜(日立高新技术[0127]第1磁性层的磁性粒子间的中心距离可如下得到，从用SE[0128]第1磁性层的磁性粒子的(111)面的覆盖状态和六方晶氮化硼hBN的结晶性的评价