CN119421555A 一种背接触电池及其制造方法、光伏组件 （隆基绿能科技股份有限公司）

从第二区域延伸进入交叠区域的部分为第一透一方向上的宽度为W2，W1与W2的比值大于等于2所述半导体基底包括相对的第一面和第二面；所述第一面包括第一区域和第二区域、所述第一掺杂半导体部设置于所述第一区域和所述交所述第二掺杂半导体部设置于所述第二区域上、且延伸覆盖至所述透明导电层覆盖于所述第二掺杂半导体部与所述第一掺杂半导体在反向漏电区域中，所述透明导电层从所述第二区域延伸进入所述第一透明导电部在所述第一方向上的宽度为W1，所述交叠区域在度与所述连续区的长度的比值小于等于90和/或，9.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在3所述第二掺杂半导体部的晶化率小于等于60和/或，在所述第一掺杂半导体部形成在所述第一区域和所述交叠区触电池还包括位于所述第一掺杂半导体部与所述半导体基底之间的第一界面钝化层；和所述背接触电池还包括第二界面钝化层，所述第二界面钝化层位于述半导体基底的厚度方向依次层叠设置在所述第二面一侧的本征半导体钝化层和氮化硅在所述透明导电层中，在所述第一面上的正投影未与所述绝缘4述第二掺杂半导体部中位于所述高晶化区内的部分的晶在所述第二掺杂半导体部中，至少对应所述第一透明导电部提供一半导体基底；所述半导体基底包括相对的第一面和第二形成设置于所述第一区域和所述交叠区域的第一掺杂形成设置于所述第二区域上、且延伸覆盖至所述第一掺杂半导体部背形成覆盖于所述第二掺杂半导体部与所述第一掺杂半导体部上的透电部，所述第一透明导电部通过所述第二掺杂半导体部与所述第一掺杂半导体部电性连形成整层设置在所述第一面上或所述第一面内的第一掺杂在所述第一掺杂半导体部对应所述第一区域和所述交叠区域的部分上形成绝缘掩膜在所述绝缘掩膜层的保护作用下，去除所述第一掺杂半导体5所述形成设置于所述第二区域上、且延伸覆盖至所述第一掺杂半导体所述形成覆盖于所述第二掺杂半导体部与所述第一掺杂半导体部6体部和第一掺杂半导体部的导电类型相反。上述半导体基底包括相对的第一面和第二面。7的部分(即第一透明导电部)能够通过第二掺杂半导体部与自身导电类型相反的第一掺杂部和第二掺杂半导体部相互交叠的部分、再经第一透明导电部并通过与之接触的电极导设置的绝缘槽可以将透明导电层对应第一区域的部分与透明导电层对应第二区域的部分为第二透明导电部。第二透明导电部在第一方向上的宽度为W3，W3与W2的比值小于等于半导体部并经第二掺杂半导体部传导至与第一掺杂半导体部的导电类型相反的第一透明8明导电部)可以沿第二方向连续分布，使得对整层设置在第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部上的透明导电材料(该透明导电材料用于制造上述透明导电层)进行选择性刻蚀的透明导电部与第二掺杂半导体部之间的接触面积较小而导致反向击穿电压的降低幅度较第一透明导电部沿第一方向上的宽度的方式对背接触电池的反向击穿电压和正向漏电损9反向漏电区域沿第二方向连续分布的情况下，W1与W2的比值大于等于10％、且小于等于蚀在对第一透明导电部进行刻蚀的过程中精准停止在第一透明导电部和第三透明导电部导体部背离半导体基底的一侧的部分(即第三透明导电部)需要在背接触电池处于工作状[0022]作为一种可能的实现方案，上述第一掺杂半导体部和/或第二掺杂半导体部内掺者内掺杂剂的掺杂浓度在上述范围，可以防止因第一掺杂半导体部和/或第二掺杂半导体杂半导体部和/或第二掺杂半导体部具有良好的导电性，确保背接触电池在被遮挡时第一掺杂半导体部和/或第二掺杂半导体部在反向漏电区域中的部分具有相对较低的传输电和/或第二掺杂半导体部内掺杂剂的掺杂浓度较高而导致对用于制造第一掺杂半导体部和/或第二掺杂半导体部的本征半导体层进行掺杂处理的难度较高，利于提高背接触电池过第一透明导电部在第一方向上的宽度W1与交叠区域在第一方向上的宽度W2进行调整的遮挡物较多的安装环境下时，可以将第二掺杂半导体部的晶化程度设置在较大的范围内，的导电导率较小使得第二掺杂半导体部的导电性过低而导致背接触电池的反向击穿电压[0038]作为一种可能的实现方案，当第一掺杂半导体部内掺杂剂的掺杂浓度大于等于1E19cm_3量对第一钝化接触结构的影响，甚至不会因激光辐射的热量对第一钝化接触结构造成影可以将第二钝化接触结构的热稳定性设置为低于第一钝化接触结构构具有优于隧穿钝化接触结构的钝化效果，故第二钝化接触结构为异质接触结构的情况第二掺杂半导体部位于第二区域的部分需要收集并导出半导体基底内产生的相应导电类当第二掺杂半导体部覆盖在交叠区域与第二区域交界处侧壁上的部分的晶化程度相对较二掺杂半导体部中位于低晶化区内的部分的晶化程度小于第二掺杂半导体部中位于高晶利于在通过激光处理等方式使得第二掺杂半导体部对应第二区域的至少部分位于高晶化[0058]作为一种可能的实现方案，形成设置于第一区域和交叠区域的第一掺杂半导体明导电层中的至少一者时，采用激光刻蚀工艺直接对整层设置的相应膜层进行选择性刻[0067]图5为本发明实施例提供的背接触电池的第一种结构在第一面一侧的俯视示意[0068]图6为本发明实施例提供的背接触电池的第二种结构在第一面一侧的俯视示意[0069]图7为本发明实施例提供的背接触电池的第三种结构在第一面一侧的俯视示意第一方向上的宽度为W1，交叠区域17在第一方向上的宽度为W2，W1与W2的比值大于等于杂半导体部13不仅设置于第二区域16上，还延伸覆盖至交叠区域17的第一掺杂半导体部第二区域16延伸进入交叠区域17的部分(即第一透明导电部19)能够通过第二掺杂半导体实施例中仅限定漏电流的传输途径，并不限定漏电流的传输方向)经第一掺杂半导体部12上述漏电流在第一透明导电部内的传输电阻越大，相应的反向击穿电压的降低幅度越小，降低背接触电池的热斑风险的同时，使得背接触电池在正向电压区域具有较高的工作效部在半导体基底上的分布要求确定第二区域在第一面[0095]至于第一区域、交叠区域和第二区域的排布方向(即第一方向)可以根据第一区止因第一掺杂半导体部内掺杂剂的掺杂浓度较高而导致对用于制造第一掺杂半导体部的一步利于使得背接触电池对应的反向击穿电压和率和热斑风险的要求确定第二掺杂半导体部不同部分的导电特性和晶化导体部是非晶硅层(该非晶硅层内部可能含有采用的使得第二掺杂半导体部不同区域的晶化程度不同方式、以及实际的制造精度确定，会受到影响，因此可以根据实际应用场景中对背接触电池的转换效率和热斑风险的要求，导体部对应第一透明导电部的部分的晶化率的差值可以大于等于40％、且小于等于80％。掺杂半导体部位于第二区域的至少部分的晶化程度也较小而导致该部分的载流子收集效率不佳，和/或使得第二掺杂半导体部对应第一透明导电部的部分的晶化程度较高而导致该差值较大使得第二掺杂半导体部对应第一透明导电部的部分的晶化程度较小而导致背[0115]在实际的应用过程中，上述第二掺杂半导体部也可以包括高第二掺杂半导体部中位于低晶化区内的部分的晶化程度小于第二掺杂半导体部中位于高对应第二掺杂半导体部位于第二区域中至少局部范围利于在通过激光处理等方式使得第二掺杂半导体部对应第二区域的至少部分位于高晶化杂半导体部内掺杂剂的掺杂浓度较高而导致对用于制造第二掺杂半导体部的本征半导体用原理与前文所述的第一掺杂半导体部的厚度大于等于50nm、且小于等于200nm具有的有域16和第二掺杂半导体部13之间、且延伸至第二掺杂半导体部和第一掺杂半导体部之间。流子复合速率。该第二界面钝化层27的材料和厚度可以根据第二掺杂半导体部13的材料、景中，对背接触电池的正向漏电损耗和反向击穿电压的要求确定第二界面钝化层的厚度，导致自身对第二区域处的钝化效果较差，确保第二区域表面具有较低的载流子复合速率。还可以防止因第二界面钝化层的厚度较大使得自身的传输电阻较大而导致在背接触电池[0130]或者，当第一掺杂半导体部内掺杂剂的掺杂浓度大于5E19cm__3、且小于等于[0131]又或者，当第一掺杂半导体部内掺杂剂的掺杂浓度大于1E20cm_3、且小于等于高本发明实施例提供的背接触电池在不同应用场景下[0135]其次，上述第一钝化接触结构的热稳定性可以大于第二钝化接触结构的热稳定材料对应第一区域的各部分均进行处理，处理激光辐射的热量会传导至第一钝化接触结[0136]当然，第一钝化接触结构和第二钝化接触结构也可以具有大致相同的热稳定[0137]至于第一钝化接触结构和第二钝化接触结构的具体类型，可以根据实际需求确触结构需要采用支持形成温度较低的板式等离子体化学气相沉积设备制造形成。基于此，示，当第二掺杂半导体部13具有相对较低的电阻率时(如第二掺杂半导体部13的电阻率小止因透明导电层14对应第一区域15和第二区域16的部分通过连续设置在交叠区域17的第性交差的一者上的厚度可以大于自身设置在另一者向漏电区域中的第一掺杂半导体部12并经第二掺杂半导体部13传导至与第一掺杂半导体于等于80％。例如：第二透明导电部在第一方向上的宽度为W3，W3与W2的比值可以为0、在第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部上的透明第一透明导电部19沿第一方向上的宽度的方式对背接触电池的反向击穿电压和正向漏电电部与第二掺杂半导体部之间的接触面积较小而导致反向击穿电压的降低幅度较小；另较多的安装环境下时，可以将间断区的长度与连续区的长度的比值设置在较小的范围内，比值小于等于90％时，可以根据不同的环境需求对间断区的长度与连续区的长度进行设二掺杂半导体部不仅设置第二区域上，还延伸覆盖至交叠区域上的第一掺杂半导体部上，此时第二掺杂半导体部不仅能够位于交叠区域上的第一掺杂半导体部背离半导体基底的一透明导电部19进行刻蚀的过程中精准停止在第一透明导电部19和第三透明导电部23的掺杂半导体部背离半导体基底的一侧的部分(即第三透明导电部)需要在背接触电池处于口沿第一方向的宽度可以根据实际应用场景中对载流子的传输损耗面一侧的本征半导体钝化层和氮化硅钝化层。本征半导体钝化层的材料包括非晶硅和/或[0167]本发明实施例还提供了以下七个具体实施例和两个对比例用于具体说明本发明层和本征多晶硅层。其中，隧穿氧化硅层和本征多晶硅层均使用低压化学气相沉积炉工艺去除本征硅层对应第一区域的部分和P型硅层对应第一区域的部分。所采用的激光为一面一侧与HF溶液接触，将对P型硅层掺杂过程中形成的氧化层和第三次沉积操作中绕镀至少使部分透明导电层搭接跨过P区和交叠区域，并使N区和P区上的透明导电层实现物理[0196]对比例2提供的背接触电池中除W1和W2的比值为5％以外，其余设置与实施例1提下一万个样品中所对应效率大于26％的背接触电池为效率A级的电池，并通过每个实施例