CN119431455A 基于硫磷杂环受体和含氮杂环类给体化合物、其合成方法及应用 （黑龙江大学）

202210521768.8202210521737.2202210532694.8202210521756.52022.05.132022.05.132022.05.132022.05.132022.09.23基于硫磷杂环受体和含氮杂环类给体化合本发明提供了一种基于硫磷杂环受体和含氧基团适中的吸电子能力对体系的ICT效应进行效应抑制激发态结构松弛和分子间相互作用导22.一种基于硫磷杂环受体和含氮杂环类给受体和含氮杂环类给体化合物利用卤代硫磷杂环化合物与含氮杂环化合物在钯催化剂作所述卤代硫磷杂环化合物与含氮杂环类给体化合物的摩尔比为1:(1.5_7.5)，优选为)438.一种根据权利要求1所述的基于硫磷杂环受体和含氮杂环类给体化合物的用途，其9.一种电致发光器件，其特征在于，所述电致4[0001]本申请是(2022111668919)申请的分案申请，原申请的申请日为(2022年9月23日)、申请号为(2022111668919)和发明名称为基于硫磷杂环受体和含氮杂环类给体化合技术已经从第一代的荧光(Fluorescence,FL)技术、第二代的磷光(Phosphorescence,PH)技术发展到第三代的热激发延迟荧光(ThermallyActivatedDelayedFluorescence,基于具有推拉电子体系结构的纯有机分子。通过分子的三线态能级(Thefirsttripletenergylevel,T1)到单线态能级(Thefirstsingletenergylevel,S1)的反向系间窜跃(Reverseintersystemcrossing,RISC)过程使不发光的三线态激子转化为可辐射的单线应用的关键瓶颈之一。TADF材料必须通过足够强的分子内电荷转移(Intramolecularchargetransfer,ICT)作用降低单线态_三线态能级差(Singlet_tripletsplitting,Δ5[0007]本发明第一方面的目的在于提供一种基于硫磷杂环受体和含氮杂环类给体化合[0011]本发明第二方面的目的在于提供一种基于硫磷杂环受体和含氮杂环类给体化合[0016]本发明第三方面的目的在于提供所述基于硫磷杂环受体和含氮杂环类给体化合材料包括所述基于硫磷杂环受体和含氮杂环类给体[0019](1)本发明中的基于硫磷杂环受体和含氮杂环类给体化合物在带有砜基受体和给激发态结构松弛和分子间相互作用导致的激子猝灭，从而提高蓝光TADF发光材料的PLQY，[0020](2)本发明中基于硫磷杂环受体和含氮杂环类给体化合物通过合理的分子结构设发光峰位下，电流效率达到最大值最高达64.5cd·A一1，功率效率达到最大值最高达6[0022](4)本发明中化合物(Ⅲ)和化合物(Ⅳ)的裂解温度可的发光峰位下，电流效率达到最大值最高达89.9cd·A‑1，功率效率达到最大值最高达[0023](5)本发明中化合物(Ⅴ)和化合物(Ⅵ)的裂解温度发光峰位下，电流效率达到最大值最高达65.9cd·A‑1，功率效率达到最大值最高达[0024](6)本发明中化合物(Ⅶ)和化合物(Ⅷ)的裂解温度可的发光峰位下，电流效率达到最大值最高达66.9cd·A‑1，功率效率达到最大值最高达环受体和含氮杂环类给体间具有很强的ICT，提高了RISC效率，利用分子结构抑制激子淬7[0034]本发明中提供的基于硫磷杂环受体和含氮杂环类给体化合物具有良好的ICT能8[0036]所述基于硫磷杂环受体和含氮杂环类给体化合物利用卤代硫磷杂环化合物与含氮杂环化合物在钯催化剂作用下进行碳氮偶联2选自[0041]本发明第二方面提供了一种基于硫磷杂环受体和含氮杂环类给体化合物的制备进行碳氮偶联反应制备得到。9[0052]所述氧化为向溶解有步骤1_1中得到的杂环化合物的溶剂中加入氧化剂，氧化剂[0059]所述反应在98wt％浓硫酸存在下进行反应，所述浓硫酸与与步骤1_2中得到的氧[0060]所述卤化在卤化剂存在下进行反应，所述卤化剂与步骤1_2中得到的氧化硫磷杂[0063]所述碱性物质选自碱金属氢氧化物、醇钾和醇钠中的一种或几种，优选为NaOH、3)4[0068]所述卤代硫磷杂环化合物与钯催[0069]所述卤代硫磷杂环化合物与反应溶剂的摩尔体积比为1mmol:(5_18)mL，优选为[0073]本发明中基于硫磷杂环受体和含氮杂环类给体化合物的[0074]本发明第三方面提供了第一方面所述基于硫磷杂环受体和含氮杂环类给体化合[0077]本发明提供了以所述基于硫磷杂环受体和含氮杂环类给体化合物为发光层材料[0087]所述空穴传输层材料选自芳胺类化合物和咔唑类化合物中的一种或几种，如N,[0100]本发明中化合物(Ⅲ)和化合物(Ⅳ)的裂解温度可达410℃以上，优选为440℃以[0101]本发明中化合物(Ⅴ)和化合物(Ⅵ)的裂解温度可达460℃以上，优选为480℃以[0102]本发明中化合物(Ⅶ)和化合物(Ⅷ)的裂解温度可达360℃以上，优选为420℃以[0109](2)将1mmol具有上述结构的双溴代硫磷杂环化合物，6mmol的9,9‑二甲基吖啶结构的单溴代硫磷杂环化合物替换实施例1中的双溴代硫磷杂环化合物，DMAC的加入量为[0161]按照实施例1中国的方法制备得到器件3，器件3的结构为：ITO/MoO3(10n4.89.[0177]按照实施例3中的方法制备得到器件4，器件4结构为：ITO/MoO3(10nm)/mCP[0185]按照实施例1中的方法制备得到化合物(Ⅴ)，区别仅在于：以等摩尔量的吩噻嗪HNMR(TMS,CDCl3,400MHz):δ=8.594(d,J＝116Hz,4H),7848(t,J＝P,[0201]按照实施例2中的方法制备化合物(W)，区别仅在于：以等摩尔量的吩噻嗪(PTZ)12.29.[0208]按照实施例5中的方法制备得到器件6：ITO/MoO3(10nm)/mCP(30nm)/DBFDPO:6.34.[0247]以上结合具体实施方式和/或范例性实例以及附图对本发明进行了详细说明，不