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文档简介

内容目录一、先进封装在大尺寸&低线宽场景下引入玻璃是确定性趋势 5先进封装趋势:增大面积&降低线宽是提升性能的必由之路 5大尺寸封装面临利用率与翘曲难点,玻璃基板优势逐渐凸显 7先进封装玻璃基板应用:临时载板&玻璃芯载板替代空间大 8二、厂商进展:台积电/英特尔/韩系厂商持续布局,产业趋势明确 10英特尔:前瞻布局玻璃芯载板,美国&印度双生产基地布局 10台积电:大尺寸封装趋势明确,有望采用玻璃临时载板/玻璃芯载板 12韩系厂商:三星/SKC等均积极布局 13三、玻璃基板工艺:原片/通孔/沉铜/RDL等工序壁垒较高 15玻璃原片:理化性能为主要难点,海外龙头垄断 15TGV通孔:工艺与TSV差异较大,激光诱导刻蚀方案为主流 16TGV金属化填充:种子层沉积+电镀填充,附着力&应力管理为主要壁垒173.4RDL布线:要求高层数&低线宽&低应力,工艺壁垒较高 四、CPO玻璃基板:波导降损耗/简化耦合,重视远期空间。 20玻璃桥方案:简化耦合工艺&CPO20CPO玻璃基板:整合芯片封装&光耦合,远期空间巨大 24五、京东方:全流程布局,玻璃基板/玻璃桥/MicroLED打开空间 26玻璃基封装载板龙头,看好国内&海外客户持续导入 26玻璃桥&MicroLED光互联打开远期空间 27六、盈利预测与投资建议 29风险提示 32图表目录台积电2.5D/3D封装方案 5RubinUltra(4Die方案)封装结构平面图 5台积电CoWoS方案路线图 6Nvidia历代GPU封装面积&HBM带宽变化 612寸晶圆切割大型中介层利用率较低 7方形面板有助于提升切割利用率 8晶圆&载板切割数对比 8有机芯载板&玻璃芯载板性能对比 8有机芯载板&玻璃芯载板对比 9玻璃芯载板市场空间测算 9英特尔先进封装路线图 10英特尔EMIB方案 英特尔玻璃芯EMIB方案 Ibiden玻璃芯载板路线图 12台积电玻璃芯载板测试进展 13三星电机半导体玻璃基板原型 13Absolics玻璃基板产品 13海外厂商玻璃基板布局梳理 14玻璃芯封装载板工艺流程 15浮法玻璃制造流程 16溢流下拉法玻璃制造流程 16TSV通孔工艺流程 16TGV通孔工艺流程 16TGV通孔工艺对比 17TGV通孔填充工艺 18多层布线工艺对比 19ABF增层布线工艺 19康宁玻璃桥方案 20康宁CPO玻璃基板方案 20传统边缘耦合方式 21传统边缘耦合方式 21康宁“玻璃桥” 21“玻璃桥”光路示意图 21倏逝波示意图 21倏逝波耦合示意图 21PIC&玻璃桥对准方式 22横向误差对玻璃桥&PIC界面插损的影响 22玻璃桥/PIC界面插损 22玻璃光波导工艺 23玻璃波导扇出示意图 23玻璃桥MPO侧结构图 24玻璃桥MPO侧截面图 24CPO玻璃基板结构 24CPO玻璃基板功能分区 25CPO玻璃基板封装结构 25京东方玻璃基板业务发展历程 26公司玻璃芯载板技术指标 26京东方与康宁管理层签署合作备忘录 27公司MicroLED技术成果 28公司MicroLED样品 28分业务营收预测拆分(亿元) 29分业务毛利率预测 30公司期间费用率预测 30可比公司估值 31一、先进封装在大尺寸&低线宽场景下引入玻璃是确定性趋势先进封装趋势:增大面积&降低线宽是提升性能的必由之路以台积电CoWoS工艺为代表的2.5D/3D封装成为算力芯片主流。年台积电开发出第一代CoWoS技术并应用于赛灵思高端FPGAA100/H100CoWoS2.5D/3D已成为各厂商AI算力芯片的主流封装方式,英伟达/AMD/博通/MarvellCoWoSIntel、三星亦有2.5D3DSOIC方案亦有望持续渗透。图表1:台积电2.5D/3D封装方案ComputerBase先进封装趋势:集成度持续提升,封装面积持续增长。算力芯片性能需Die面积受到光罩尺寸限制,导致算力芯片中集成的chiplet数量持续增多,芯片封装面积持续增长。NVIDIABlackwell单封装尺寸达到3.3倍光罩尺寸,下一代Rubin预计将扩展至4倍光罩尺寸(30mm2,RbnUra预计将达到9倍光罩尺寸(40m2;谷TPUv9x9.5倍光罩尺寸。图表2:RubinUltra(4Die方案)封装结构平面图SemianalysisCoWoS为例,CoWoS推出10年后将面积提升至3.3倍光罩尺寸,后续CoWoS-R/L279.5倍光罩尺寸,281440CoW-SoW方案预27年具备量产能力;英特尔也计划在2028年推出封装面积达12EMIB方案。图表3:台积电CoWoS方案路线图TSMCGPU/HBM带宽持续提升,低线宽为高速互连刚需。近存计算是算力芯片GPUHBM间互联GPU/HBM互联载体的中介层/载板需要具备较低的线宽/线距以满足小面积内高密度互联的需求。台积电CoWoS-SCoWoS-LLSI&中介层将持续存在线宽下降需求。GPU&HBMSemianalysis大尺寸封装面临利用率与翘曲难点,玻璃基板优势逐渐凸显先进封装演进的进程中,传统方案的中介层/载板面临性能瓶颈。CoWoS从已完成线路加工的12寸晶圆上切割得来,随中介层尺寸增长切割效率逐渐降低,对整体封装成本产生不利影响。载板翘曲ABFCTE(热膨胀系数CTE与硅基芯片差异较大而产生翘曲,降低良率与耐用性。图表5:12寸晶圆切割大型中介层利用率较低TSMC玻璃基板各项性能优秀,适配大尺寸封装。尺寸更大12寸晶圆,310*310mm甚至更大尺寸的方形面12寸载片晶圆尺寸限制,实现大尺寸方形面板加工。低CTE有机材料CTEBF材料CE为12-16ppm/KBTCTECTECTE4ppm/K以下,可有效防止大尺寸封装受热翘曲。0.1μm,有机基板表面平1-3μm,玻璃高表面平整度可实现比有机基板更高密度的2/2μm。率 比Techpowerup SemiEngineeringTrendforce,今日头条,半导体封装工程师之家先进封装玻璃基板应用:临时载板&玻璃芯载板替代空间大ABFABF载板在现有封装方案中应用广CoWoS/EMIB方案中作为载板。ABF载板结构包括玻纤布预浸树ABF薄膜布线层,在封装向大面积&低线宽演进的过程中面临翘曲、布线精度不足等问题,TGV玻璃有望替代载板中的有机板芯,CTE&高弹性模量降低翘曲,同时其低表面粗糙度有利于实现高密度布线。Intel20261月展出玻璃芯载板方案,国内京东方等&低线宽CWSusraeCoPoS封装预计将使用310*310mmCPCipnnelnbsraeCWSCoWoS12310*310mm方形面板,并在此基12寸承载310*310mmCoWoS/CoPoS封装。Trendforce玻璃芯载板空间巨大。2028/2030年全球玻璃芯载板市场空间655/2678亿元,市场空间广阔。图表10:玻璃芯载板市场空间测算TrendForce,Prismark,产业链调研二、厂商进展:台积电/英特尔/韩系厂商持续布局,产业趋势明确英特尔:前瞻布局玻璃芯载板,美国&印度双生产基地布局前瞻布局玻璃芯载板,产业趋势明确。20235月于先进封装蓝图中提出计划采用更为先进的玻璃芯载板来替代传统封装载板,202392026~2030年前将玻20261NEPCONJapan2026EMIB封装原型产品。图表11:英特尔先进封装路线图IntelFoundry英特尔大力推进EMIB封装,有望成为CoWoS方案的重要补充。英特尔EMIBAI大规模应用的CoWoS以及开发中的CoPoS封装使用中介层与载板实现封装,其中中介层需使用晶圆级工艺制造,技术难度大、成本高、产能建设EMIBABF载板制造完EMIB封装尽管技术参数低于CoWoSCoWoS产能供不应求的背景下有望成为重要的降本补充方案。图表12:英特尔EMIB方案IntelFoundryEMIBEMIB的两个升级版本:EMIB-MEMIB-TEMIB-MMIM电容,具备更高的稳定性和更低的泄漏,可提升供电和信号完整性,适配功耗敏感场景;EMIB-TTSV实现密度提升,电源可以直接通EMIB硅桥传输,显著缩短供电路径。EMIB方案技术参数持续提升,EMIB-T82812倍光罩尺寸。EMIB2027TPUv9EMIB方案,MetaEMIB方案应用于MTIAAI芯片的可能性。大尺寸EMIB封装预计将提升平整度需求,玻璃芯EMIB有望加速渗透。英特尔已在NEPCONJapan2026展示采用玻璃芯的EMIB封装原型产品,80010-2-10(玻RDL0层RDLLBump45μmEMIBEMIBIntelFoundry产能投入持续加码。英特尔已在亚利桑那州钱德勒园区建立了玻璃基板试验线;2024135亿美元升级里奥兰乔工厂,后续计划改造产线026年5月合作专注玻璃基封装的美国企业DGDGlass337CEO陈立武表EMIB、玻璃基板、以及新材料领域,玻璃基板产业进展有望持续加速。台积电:大尺寸封装趋势明确,有望采用玻璃临时载板/玻璃芯载板279.5倍光罩尺寸,281440CoW-SoW方案预27CoPoS工艺以提升切割利用626H2-27年小批量产出,2828AP7实现大规模量产。CoPoS有望采用玻璃临时载板,中国台湾供应链有望受益。CoPoS方案12310*310mm12310*310mm玻CoPoS临时载板与FOPLP工艺使用的临时载板类似,FOPLP新增需求。合作群创&IbidenDigitimes,IbidenCoWoS封装800μm5倍光85x110mm。测试中玻璃芯载板未出现严重翘曲与分层/剥离现象,同时在平整度&电性能上相比有机载板优势明显,经测试玻16%19%27%CoWoSSubstrate。图表14:Ibiden玻璃芯载板路线图Ibiden图表15:台积电玻璃芯载板测试进展TechTaiwan,TSMC韩系厂商:三星/SKC等均积极布局三星:20241月宣布进军半导体玻璃基板,202512月&刻蚀工艺JWTTGV与三星共同验证设备&2025月三星与住友化学签署备忘AMD、2028年实现大规模量产。SKC:SKCSK集团旗下子公司,传统主业包括化学制品、光学薄Absolics,20223000亿韩元在美国建设首个玻璃基板工厂,202431.2万㎡小规模试产线建设,2025H15SK1.25900Absolics2027年实现玻璃基板大规模量产型 品艾邦半导体网 电子技术应用图表18:海外厂商玻璃基板布局梳理Trendforce,MoneyDJ三、玻璃基板工艺:原片/通孔/沉铜/RDL等工序壁垒较高-激光诱导刻蚀通孔-通孔填铜-RDL制造等工序最终成为完整玻璃芯封装载板,具体来看,工艺制程可分为:TGV通孔:对玻璃原片进行表面处理后,使用飞秒激光对需打孔的玻璃进行改性,随后使用酸/碱刻蚀出通孔。TGV沉铜:首先在玻璃表面沉积钛/铬过渡层(类似半导体工艺中阻挡层,提升铜填充与二氧化硅间附着力同时防止扩散,此后使用D沉积CMP去除玻璃芯上下表面的铜。RDLSAP工艺进ABF压合与布线。4)植球/切割:RDL完成后植入球栅阵列,此后将整块载板切割为小载板。玻璃芯载板制程中玻璃原片/通孔/沉铜/RDL等工序技术壁垒较高。图表19:玻璃芯封装载板工艺流程KOS玻璃原片:理化性能为主要难点,海外龙头垄断TGV加工的玻璃原片CTE(外力下不易变形HF刻蚀速度较快等性质。半导体封装基板原片与显示面板原片的配方类似,加工工艺复用80%二氧化硅+12-13%氧化硼,半导体封装基板原片在此基础上减少氧化铝并CTE。显示/浮法将熔融玻璃漂浮在锡液表面上成型后冷却,下拉法将熔融玻璃自然下流凝固,下拉法在平整度、表面精度、纯度方面具备优势,无需后续研磨抛光流程。当前主流封装基板玻璃原片供应商以海外龙头为主,包括康宁、肖特、旭硝子、电气硝子等。程 程RINRO 艾邦笔电论坛TGV通孔:工艺与TSV差异较大,激光诱导刻蚀方案为主流TGV通孔与TSV通孔工艺有较大不同。TSVDRIE工艺(深反应离子刻蚀工艺,全称DeepReactiveIonEtching,亦称博世工艺)采用气体交替刻蚀&TGV一般直接刻蚀通孔并填铜。TGV通孔工艺的主要难点为小直径(更小的孔直径有助于提升布线密度、高深宽比(TGV厚度下实现更小的孔径。程 程EEFOCUS TrendforceTGV1)激光烧蚀法:使用热激光烧蚀玻璃钻孔,优点在于工艺流程简单,缺点在于易导致激光热损伤,易产生孔壁微裂纹、孔口重凝堆积等缺陷,降低玻璃基板表面的平整度。此外受限于激光束孔内能量衰减等因素,激光直外曝光、热处理诱导晶化、稀酸选择性刻蚀。光敏玻璃法可实现相对较高原材料成本高、电学性能相对较差、曝光能量/热处理温度等参数敏感等缺点。3)激光诱导刻蚀:TGV批量制造的最优技术路径,该工艺首先利用超短脉冲激光对玻璃内部特定区域进行超快扫描,再将改性后的基板浸入氢氟酸或混合酸(碱)刻蚀液中。与激光直接烧蚀相比,激光诱导刻蚀能够有效避免机械应力与热应力引起的50∶1、孔壁粗糙度25nm的高垂直度通孔。图表24:TGV通孔工艺对比艾邦半导体网TGV金属化填充:种子层沉积+电镀填充,附着力&应力管理为主要壁垒TGV金属化填充分为种子层沉积与电镀填孔两步,工艺关键在于快速、TGV通孔,同时保证通附着稳固并控制内部应力。种子层沉积:主要采用PVD/湿法化学镀工艺。PVD工艺在玻璃孔壁沉积一层钛或铬作为过渡层,随后再沉积铜种子层,可有效缓解金属与玻TGV深径比较大时,PVDTGVPVD工艺在高深宽比通孔覆盖连续性PVD工艺。电镀填充:无空洞填充为主要难点。TSV盲孔填充相比,TGV通孔填充易出现孔口过早封闭而形成空洞,导致电连通性能受损。目前业界TGV中部填充速度快于两端以实现无空洞的填充。图表25:TGV通孔填充工艺艾邦半导体网RDL布线:要求高层数&低线宽&低应力,工艺壁垒较高应用于高性能芯片的载板需要ABF载板为主,由于先进封装对布线的线宽/线距精度要求较高,多采用SAP(半加成法)工艺。多层布线工艺分为Tenting(减成法)/SAP(半加成法)/mSAP(改良半加成法。(>12μm)劣势在于材料利用率低,侧蚀导致线路横截面呈梯形,L/S30/30μm左右。工艺当前主要用于打线封装、HDI部分层等成熟场景中(3-5μm)SAP优势在于线SAPmSAP工艺主要用于智能手机处理器封装、AI加速卡、类载板等场景。3P(如BF膜(1μm,与mP相同AP工艺主要优势在于种子层极薄,蚀刻对电镀线路的形貌几乎无影响,L/S极限可5/5μmABF材料、真空贴膜设备成本高,种SAPCPUGPU封装载板等场景。图表26:多层布线工艺对比芯片封装前沿当前工艺中低线宽&应力控制位主要难点。在大尺寸布线场景中,干膜贴合附SAP5μm时会遇到走线缺陷/F材料XY方向CTE(-6m℃CE图表27:ABF增层布线工艺SEKISUI四、CPO玻璃基板:波导降损耗/简化耦合,重视远期空间。康宁持续推进CPO玻璃桥/玻璃基板方案。玻璃基板内部波导可代替FAU进行光信号耦出,有助于降低耦合功耗、简化耦合工艺、提升系统2017年CPODemo,2025年9GFPIC和光纤连接的“玻璃桥”方案。玻璃桥方CPO玻璃基板的简化版,只具备光耦出功能,不承载电芯片/量产的重要方案。CPO封装基板作为整合度更高的方案,在封装集成度提升/损耗下降等需求下具备较大远期空间。案 CPO案康宁 康宁玻璃桥方案:简化耦合工艺&降低耦合损耗,有望助力CPO大规模量产传统侧边耦合方案使用将光纤与硅光芯片的波导在侧边进行对准耦合,面临Pitch间距/耦合对准工艺等多个难点:PitchPitch并提Pitch127μm为主,半导体工艺制造的硅光波Pitch80μm40μm或难以匹配硅光波导的高密度。耦合对准工艺:XYZ方向的位置及角度并实时观测光功率以实现耦合效率最大化,对准精度在亚微米级,耦合难度大、效率较低。式 式光通信女人 光通信女人“玻璃桥”方案采用带有波导的玻璃桥代替进行耦合。20259月GFFAU,同时具备低方案的光路为硅光波导-U--玻璃桥-MPO-MPO标准接口连接光纤。” 图康宁 光通信女人“玻璃桥”方案基于两大关键能力:PIC/玻璃桥耦合&定位设计能力、低损耗/小半径玻璃波导制造技术。PIC/玻璃桥波导采用倏逝波耦合:倏逝波指光在纤芯与包层界面发生全反射时,其电磁场会略微渗透到包层中,达到一定深度后反射回光纤。倏逝波原理可用于波导耦合,两根平波导间距缩短到与倏逝波的穿透深SSC(模斑转换器)使硅光波导模场与玻璃波导模场相匹配,实现了较高的耦合效率。图 图OpticalFiberCommunication OpticalFiberCommunicationPIC/玻璃桥采用机械限位+PIC对准使用两种方案。1)机械限位:PICV型槽,与玻璃桥表面凸Z轴限位装置控制玻璃桥&PIC玻璃桥上均有精密光刻工艺制造的对准标记,在不通光的情况下仅通过精密机器视觉即可实现高精度被动对准。图表36:PIC&玻璃桥对准方式DetachableGlassWaveguideConnectorforCo-PackagedOpticsonSiliconPhotonicsplatformwith<1.5dB/FacetPassiveCouplingand280mWPowerHandling&精密光XYZ2)&PIC的界面插损XY方向微米级别误差敏感性较低,可相对降低贴装精度要求,二1.5dB可拆卸:无需胶合固定,玻璃桥可拆卸替换,显著延长使用寿命。&PIC响 /PIC损GlassSubstrateWithIntegratedWaveguidesforSurfaceMountPhotonicPackaging

DetachableGlassWaveguideConnectorforCo-PackagedOpticsonSiliconPhotonicsplatformwith<1.5dB/FacetPassiveCouplingand280mWPowerHandling康宁玻璃光波导通过离子交换工艺制造。工艺流程具体包括表面处理-金属掩膜-涂胶-曝光(采用激光直写曝光)-刻蚀-离子交换(制造波导)-去掩膜-反向离子交换(将波导整体埋入玻璃中,有助于降低损耗并与光纤模场相匹配。图表39:玻璃光波导工艺GlassSubstrateWithIntegratedWaveguidesforSurfaceMountPhotonicPackaging弯曲半径/传输损耗/MPO插损是关键指标,康宁壁垒较高。波导最低曲率半径:50μmPitch250μmMPO的对接。在扇出过程中,高曲率的波导有助于缩短线路长度,减少空间占用,但同时也将增大信/10μm。0.05dB/cm,0.034dB/cm的传输损耗。MPO插损:MPO连接器对接并将信号耦出至光纤。康宁使用飞秒激光工艺在玻璃表面刻蚀凹槽,并采用玻璃盖板&(MTMPO位置进行固定,MPO对插并实现高精度对准。此外由于玻璃波导模场已特别SMF-28Ultra0.5dB以下。图表40:玻璃波导扇出示意图GlassSubstrateWithIntegratedWaveguidesforSurfaceMountPhotonicPackagingMPO图 MPO图光通信女人 光通信女人CPOCPO仍在小批量出货到大批量的爬坡期,放量进展仍受到耦合效率、可维护性等方卸维护,有望成为加速CPO放量&提升CPO系统效能的关键工艺。中短期落地可能性较高,国产厂商有望参与表面加工&波导制造环节。TGVTGV通孔打孔&电GF密切合作,波导制造技术积累深厚,且玻璃&光纤模场适配与自身光纤业务有较强协同性,在核心工艺具备较大优势。国产厂商有望参与表面处理等冷加工以及低损耗波导加工等环节。CPO玻璃基板:整合芯片封装&光耦合,远期空间巨大玻璃基板整合芯片封装&2017年就提出CPO2021Demo,2025255mm*420mm大尺寸CPO2025CPO玻璃基板的简化版,仅承担光耦合功能,电芯片封装仍使用传统方案,目的是实现方CPO玻璃基板是确定性趋势。图表43:CPO玻璃基板结构GlassSubstrateWithIntegratedWaveguidesforSurfaceMountPhotonicPackagingCPO基板结合TGV&光波导工艺,国内厂商空间进一步提升。CPO玻TGV通孔&ASIC&擎信号的耦出。CPO基板同时具备高平整度&高电扇出密度&低光耦合损耗等优势,有望成为远期CPO终极方案,市场空间巨大。国内厂商CPO玻璃基板的冷加工/波导制造/TGV通孔/沉铜环节,有望CPOCPO玻璃基板亦有望MicroLEDCPO20265月与京东方签署备忘录MicroLEDMicroLED光互联亦有望采CPO玻璃基板方案。区 构康宁 康宁五、京东方:全流程布局,玻璃基板/玻璃桥/MicroLED打开空间玻璃基封装载板龙头,看好国内&海外客户持续导入基于显示面板技术积累延伸TGV公司为全球显示面板龙头,在玻璃表面布线相关的光刻/刻蚀工艺上具备深厚积累,TGV/ABFRDL全制程的行业龙头。1)2021:开展TGV相关技术开发2)2022-2023:2022年投入3.9亿建设玻璃基/硅基兼容的8寸晶圆级创新试验平台,并于2023年实现通线。3)2024-2026:20249.9亿建设板级玻璃基载板实验线,2025612实现全自动化设备通线。图表46:京东方玻璃基板业务发展历程京东方全流程设计&公司前瞻布局玻璃基载板领域,在设计仿真&制造领域积累深厚,技术能力领先。TGV通孔、金属布线、及后端工艺,改善电信号的速率&完整性、载板应力优化以及载板使用可靠性。(TGV面布线)与后道(ABF高多层布线、切割、植球)能力,整合程度国内图表47:公司玻璃芯载板技术指标京东方合作康宁布局玻璃创新应用,玻璃芯载板有望加速导入终端客户。5.21日公司公告与康宁签订合作备忘录,双方将围绕玻璃基封装载板、可折叠玻璃、钙钛矿玻璃基板、光互连应用等相关领域展开合作,有望结合康宁玻璃原材领域积累、海外客户关系与京东方玻璃精密加工能力,加速终端客户导入进程。当前公司产品已送样国内外终端芯片厂,部分客户已进入技术测试阶段,公司有望携手康宁凭借稀缺产业链卡位加速产品导入。图表48:京东方与康宁管理层签署合作备忘录京东方产能+1000片/27年中达成量产线投决条件,有望大幅扩充产能,叠加玻璃基板在高性能计算芯片中持续渗透,有望为公司贡献可观业绩增量。玻璃桥&MicroLED光互联打开远期空间深度绑定康宁,玻璃桥&MicroLED有望拉动远期增长。1)玻璃桥:玻璃桥与CPO玻璃基板方案是康宁向光互联Tier1升级过程CPOCPO方案持续渗透。2)MicroLED:MicroLED光互联方案凭借其低功耗&低成本有望成LED6MicroLEDMicroLED25H2产出样品并交付客MicroLED光互连系统项目组进行前瞻技术预研,未来有望承担系统集成业务。未来MicroLED光互联或采用CPO玻璃基板封装以进一步提升集成度,有望带动业务共振。MicroLED果 MicroLED品京东方 京东方六、盈利预测与投资建议分业务收入拆分LCD提升,业务收入有望稳步恢复;中小尺寸LCD需求逐步改善,OLEDAIPC+折旧下降亦有望26/27/28年显示器件业务营收分别为1772/1911/2066亿元,yoy+6.5%/+7.9%/+8.1%。智慧系统产品业务:公司持续推进显示器件、整机终端及物联网系26/27/28年智慧系统产品业务营428/471/518亿元,yoy+10.0%/+10.0%/+10.0%。智慧健康服务业务:公司围绕智慧医工持续拓展医疗终端、数字化医院及健康管理等业务当前收入基数相对较低,伴随项目交付和业务规模扩大有望维持较快增长我们预计26/27/28年智慧健康服务业务营收分别为23/27/33亿元,yoy+20.0%/+20.0%/+20.0%。4)MLED业务:随着MiniLED产品加速放量、MicroLED技术及客户项目持续推进公司MLED业务有望进入规模化增长阶段产能利用率提升及产品结构优化亦有望带动盈利能力明显改善我们预计26/27/28年 MLED业务营收分别为 107/123/142 亿元,。传感业务:公司传感业务目前收入体量较小,随着产品品类拓展、26/27/28亿元,yoy+36.2%/+35.0%/+29.6%。近年器件与系统等业务间内部抵消整体维持稳定,预计未来维持稳定态势。)分业务毛利率拆分显示器件业务LCD产线稼动率提升、产品结构优化,OLEDLCD产线折旧26/27/28年显13.8%/15.9%/17.6%。2826/27/28年智慧物联业10.0%/10.0%/10.0%。智慧医工业务:预计业务经营及产品结构保持相对稳定,毛利率维26/27/28MLED业务:随着收入规模扩大、产线利用率提升及规模效应逐步26/27/28MLED业务16.0%/22.0%/22.0%。传感业务:伴随产品出货增长和规模效应释放,高毛利率业务占比26/27/28年传感业务毛利率30.0%/32.0%/34.0%。综上,综合考虑各业务收入结构及内部抵消影响,我们预计公司26/27/28年的整体毛利率将分别达到16.4%/18.1%/19.3%。图表52:分业务毛利率预测期间费用率预测:我们预计26/27/28年公司的销售费用率分别为6.8%/6.6%/6.4%,管理费用率分别为1.1%/1.1%/1.0%,研发费用率分2.9%/2.8%/2.7%。图表53:公司期间费用率预测投资建议:根据公司最新业绩,我们适当调整盈利预测。我们预计2026-28年公司实现营业收入2204/2411/2641亿元(对应前值27256278亿元,同比增长7%.%/.%;实现归母净利润94/2.56.1亿元(对应前值2411414.1亿元,同比增长52.6%/37.1%/35.5%PE24.6/18.0/13.2倍。我们选取面TCLA26-28PE37.6/21.0/13.52026-28年估值低于行业平LCD买入”投资评级。图表54:可比公司估值注:可比公司预测数据,惠科股份,TCL科技和深天马均来自 一致预期,总市值和PE以2026年8月27日收盘价计算风险提示TV玻璃基封装载板&玻璃桥&CPO玻璃基板均为前沿技术方案,未来若下游客户基数路线发生变化,可能对公司新业务拓展产生负面影响。公司玻璃基封装载板&玻璃桥&CPO玻璃基板等产品仍处于研发&验证期间,若进展不及预期,可能影响相关新业务的业绩贡献。4)研报使用信息更新不及时:研报使用信息为公开信息和调研数据,可能因为信息更新不及时产生一定影响。5)行业空间测算偏差风险与产业链调研数据样本偏差风险:市场规模研亦存在样本偏差的风险,测算假设存在偏差风险。资产负债表 单位:百万元 利润表 单位:百万元会计年度2025A2026E2027E2028E会计年度2025A2026E2027E2028E货币资金 72,223 4

163,813

186,086

营收入 0

20374

21100

240982262269应收账款32,29346,00846,72147,215税金及附加1,4261,5431,6881,849预付账款8112,7652,9573,199销售费用2,17314,90415,91316,902存货27,74915,15815,40124,972管理费用5,8962,4242,5322,641合同资产393200249305研发费用13,8376,3516,7517,131其他流动资产8,2864,8835,1995,553财务费用1,8373,6554,3084,886

184,33

197,14

213,236926925其他长期投资2,1472,1472,1472,147资产减值损失-4,006-3,345-3,658-3,670长期股权投资18,63618,63618,63618,636公允价值变动收益4321,731600600

202,32

234,09

267,02

信用减值损失 -63 -65 -80 -699209201在建工程52,94353,19353,39353,543其他收益2,9153,1352,7802,944无形资产12,79813,85914,40415,272营业利润6738961,021,67其他非流动资产21,68021,69721,74321,788营业外收入315315315315

151,52

123,27

100,31

投资收益 654 308 140 3678258253短期借款3,6555,0004,0004,500所得税2,0071,2921,7992,508应付票据1,38014,74715,57516,633净利润5077951,541,10应付账款37,24251,61352,24453,310少数股东损益-830-1,000-1,200-1,200预收款项78109121130归属母公司净利润5878951,541,10合同负债2,223661603528NOPLAT6,34011,07814,75919,612其他应付款3,5413,5413,5413,541EPS(摊薄)0.160.240.330.45一年内到期的非流动负债26,67026,67026,67026

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