半导体三极管课件

半導體三極管1.4.1基本結構BECNNP基極發射極集電極NPN型PNP集電極基極發射極BCEPNP型BECNPN型三極管BECPNP型三極管三極管符號NPNCBEPNPCBEBECNNP基極發射極集電極基區：較薄，摻雜濃度低集電區：面積較大發射區：摻雜濃度較高發射結集電結BECNNP基極發射極集電極+++++++++++++__________________________+++++++++++++10.4.2電流放大原理BECNNPEBRBEc發射結正偏，發射區電子不斷向基區擴散，形成發射極電流IE。IE1進入P區的電子少部分與基區的空穴複合，形成電流IB，多數擴散到集電結。IBBECNNPEBRBEcIE從基區擴散來的電子漂移進入集電結而被收集，形成IC。IC2ICIB要使三極管能放大電流，必須使發射結正偏，集電結反偏。靜態電流放大倍數靜態電流放大倍數，動態電流放大倍數

=IC/

IBIC=

IB動態電流放大倍數IB：IB+

IBIC：IC+

IC

=

IC/

IB一般認為：==，近似為一常數

值範圍：20~100

IC=

IB1.4.3特性曲線ICmA

AVVUCEUBERBIBUSCUSB

實驗線路(共發射極接法)CBERCIB

與UBE的關係曲線（同二極體）（1）輸入特性IB(

A)UBE(V)204060800.40.8UCE1V

死區電壓，矽管0.5V工作壓降：矽管UBE0.7V（2）輸出特性(IC與UCE的關係曲線)IC(mA)1234UCE(V)3691240A60AQQ’

=IC/

IB=2mA/40A=50

=

IC/

IB

=(3-2)mA/(60-40)A=50

=IC/

IB=3mA/60A=50輸出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A當UCE大於一定的數值時，IC只與IB有關，IC=IB,且

IC=

IB

。此區域稱為線性放大區。此區域中UCEUBE,集電結正偏，IB>IC，UCE0.3V稱為飽和區。此區域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死區電壓,，稱為截止區。輸出特性三個區域的特點:(1)放大區

BE結正偏，BC結反偏，IC=IB,且

IC=

IB(2)飽和區

BE結正偏，BC結正偏，即UCEUBE

，

IB>IC，UCE0.3V

(3)截止區

UBE<死區電壓，IB=0，IC=ICEO0

例：=50，USC=12V，

RB=70k，RC=6k

當USB=-2V，2V，5V時，電晶體的靜態工作點Q位於哪個區？USB=-2V，IB=0，IC=0，Q位於截止區

USB=2V，IB=(USB-UBE)/RB=(2-0.7)/70=0.019mAIC=IB=500.019=0.95mA<

ICS=2mA

，Q位於放大區

IC最大飽和電流ICS=(USC-UCE)/RC=(12-0)/6=2mA

ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEICUCEIBUSCRBUSBCBERC例：=50，USC=12V，

RB=70k，RC=6k

當USB=-2V，2V，5V時，電晶體的靜態工作點Q位於哪個區？USB=5V，IB=(USB-UBE)/RB=(5-0.7)/70=0.061mAIC=IB=500.061=3.05mA>

ICS=2mA

，Q位於飽和區(實際上，此時IC和IB已不是

的關