《氩团簇溅射有机材料深度剖析中产额体积的测定方法》

1下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文23注1：制备参考样品的常用方法包括气相沉积、采用合适溶剂旋涂成膜、Langmuir-Blodgett或Langmuir-注2：对于无机基底上的单层有机材料薄膜，最合适的直接测量层厚方法是原子力显微术（AFM）、椭偏法和X射线反射法[1]。对于多层结构，上述几种方法L<0.5NW4l<L-6W注1：式（3）中的条件是用于确保分析区域内溅射离子剂量横向均匀无变化，并且分析束不会采集到由于边缘效下，分析用一次离子源的剂量率应远低于溅射源。样品上分析一次离子束的时间平均电流应满足式2Ja<0.05J12通常需使用电子溢流枪进行电荷补偿。若需要使用电子进行电荷补偿，则电子束电流应尽可能若判定分析用一次离子的溅射产额体积显著高于溅射离子，则应将式（4）中的系数0.05替换5间的第二界面，此类强度增强通常由界面附近溅射产额增大引起。对于并非注2：若所有剖析中的平台区二次离子强度均出现下降，积不是恒定值[7]。若所有剖析中的平台区二次离子强度），7.2.1概述67.2.2第一界面位置注2：t(50)通常与溅射深度剖析中的物理界面位置并不重合。二次离子的产生深度和起源导致不同二次离子在不同的界面位置出现，其典型量级为3nm[9]，且基体效应引起显著位移，可高达0.5△t[6]。分析更多的二次7.2.4溅射时间穿透目标层的溅射时间τ应使用式（5）计算，溅射时间的相对标准不确定度δτ应使用式7注2：式（8）中δn项前的因子，是对附录C.1中给出的式（C.1）求微分，并代入式中各参数的典型值计算得注3：对于第一界面在两种材料之间的情况，则不需要考注5：该δn的估算未考虑每个团簇离子平均原子数测量的不确定度，仅考虑剖析从开始到结束时团簇大小的漂7.3.1概述87.3.2第一界面9的不确定度，束流测量方法准确性的不确定度可忽略不计。若δ大于0.0025，则可根据6.1节核查束流漂对于每种二次离子i，应将各膜层厚度dk作为因变量，对该二次离子和膜层的溅射离子面剂量注：使用该方法计算得到的不确定度主要由剂量和厚度的不确定度决定，这反映在式（12）中。上述两类不确定度通常具有相关性，因此上述不确定度不采用方和根合成。线性拟合和不同离子间的变化引起的其他不确定A.1.1尺寸较小的格条宽度为30μm，每第三根格条为加宽格条，宽度为42μm。图A.2b）是使用10keV电子强度的线扫描，线扫描位置选取二次电子强度变化最显著的区域。对应的数据点分别如图A.2），μm时，式（1）规定的条件：L<6.8mm很容易满足。但由式（2）的条件：L>424μm处于临界状态，应考虑增大光栅扫描区域。接近该限值的后果是，分析区域相当小，需要满足式（3）的准则：的位置和宽度，以及穿透有机材料溅射的测量时间τ。图B.1b）和c）展示了典型的表面瞬时变体积。图B.1d）展示了平台区强度波动过大的情况，不存在系统性变化的迹象，可对数据进行平a)理想的剖析c)上升的表面瞬时变化，可用的剖析f)表面过度损伤X——溅射时间，t；），a)理想的剖析c)平台区小于界面区X——溅射时间，t；出表现出理想行为（即强度与体积分数呈线性关系）的二次离子。利用来自其他材料的这些二次离τY98-这些值和式（7）和式（8），计算得到Y和△Y值，并列于表中。不确定度主要由界面位置的不确定使用10keVAr5000+作为溅射源，与样品表面法线成45°角，对3份硅片上的N,N'-二（1-萘中，所有二次离子在第二界面处均出现明显的最大值，该位置在子图（a）中用箭头标示。为便于对c)测试膜厚度对离子剂量的线性最小二乘拟合）， 对应剂量进行作图。经线性回归，得到斜率y1=59.8nm3/入射离子。另外两种二次离子（217Da和），Y/n