CN119447989A 一种激光器的制造方法 （无锡市华辰芯光半导体科技有限公司）

司SiN保护层，覆盖器件基体的脊形结构所在一侧980nm单模高功率激光器脊形结构的波导边缘两2述目标区域两侧的范围全部被刻蚀去除相同形成光刻胶层，所述光刻胶层至少填充所述脊形结构两侧的全部空间所述SiN保护层在所述SiO2保护层背向所述器件基体一侧表所述光刻胶层仅形成于所述脊形结构的两侧，所述光刻胶层的高度所述光刻胶层的高度高于所述脊形结构的高度，所述光刻胶层还覆所述第一刻蚀工艺中，在一步刻蚀步骤中先去除覆盖所述脊形结构顶所述第一刻蚀工艺为反应离子刻蚀工艺；所述第二刻蚀工艺为反应离子刻蚀工艺；3形成顶面种子金属层，所述顶面种子金属层覆盖所述器件基体的减薄所述器件基体形成有所述脊形结构相反在所述器件基体形成有所述脊形结构相反一侧4[0003]现有技术的980nm单模高功率激光器制造方法中，脊形结构的波导结构边缘两侧膜层形成工艺中在被去除了氮化硅保护层的非波导结构的位置处的衬底表面形成导电膜[0004]因此需要一种方案，解决980nm单模高功率激光器脊形结构的波导边缘两侧容易5[0020]图1a为现有技术的980nm单模高功率激光器的脊形结构形成过程中，刻蚀形成脊6形结构后去除顶面的SiN保护层后的理想状图1b为现有技术的980nm单模高功率激光器的脊形结构形成过程中，刻蚀形成脊形结构后去除顶面的SiN保护层后的理想状图1c为现有技术的980nm单模高功率激光器的脊形结构形成过程中，刻蚀形成脊形结构后去除顶面的SiN保护层步骤发生偏移图2为本发明一实施例的激光器的制造方法中，刻蚀器件基体形成脊形结构的状图8为本发明一实施例的激光器的制造方法中，形成顶面金属种子层和顶面金属[0021]参考图1a，现有技术形成的980nm单模高功率激光器的形成过程中，提供器件基理想的情况如图1a和图1b所示，精准刻蚀掉脊形结构R表面的SiN保护层400。而实际工艺[0023]因此需要一种方案，解决上述的980nm单模高功率激光器脊形结构的波导边缘两[0024]本发明提供一种激光器的制造方法，以解决980nm单模高功率激光器脊形结构的7人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。的脊形结构R的顶面一侧进行刻蚀，即可实现对脊形结构R的顶面的SiN保护层400的自对结构区暴露出上功能层300中GaAs掺杂层的顶面，侧部的器件基体表面均被SiN保护层400二波导段R2的宽度尺寸自第一波导段R1的宽度尺寸扩大至第三波导段R3的宽82保护层600可以作为SiN保护层400刻蚀过程中的刻蚀停止层，防止SiN保除第一刻蚀工艺后暴露的脊形结构R顶面的SiO2保护层600，以使脊形结构R中的GaAs掺杂9[0043]进一步的，在一些实施例中，第二刻蚀工艺为反应离子刻蚀工艺；刻蚀气体为CHF32形成顶面种子金属层700，顶面种子金属层700覆盖器件基体的脊形结构R所在一在器件基体形成有脊形结构R相反一侧形成底在器件基体的上功能层300的GaAs掺杂层一侧表面整面生长硬掩模SiO2氧化硅层的厚度在器件基体形成有脊形结构R相反一侧形成底面金属层900。底面金属层900作为