CN119452460A 用于制造具有半导体元件和基板的半导体组件的方法以及相应的设备 （西门子股份公司）

2024.12.27PCT/EP2023/0619822023.05.05WO2024/002562DE2024.01.04用于制造具有半导体元件和基板的半导体本发明涉及一种用于制造具有半导体元件包括以下步骤：将半导体元件(4)的第一负载接触部(6)与基板(12)的第一金属化部(10)材料配(4)的第二负载接触部(8)材料配合地结合(A)，所述第二负载接触部布置在半导体元件(4)的背离基板(12)的面上，将构成为金属片的轮廓化接触元件(22)与半导体元件(4)的第二负载接触化接触元件(22)经由壳体盖(30)压紧(C)到半导体元件(4)，其中，轮廓化接触元件(22)与基板(12)的第一金属化部(10)接触以连接第二负载2将所述半导体元件(4)的第一负载接触部(6)与所述基板(12)的第一金属化部(10)材将金属成型体(20)与所述半导体元件(4)的第二负载接触部(8)材料配合地结合(A)，所述第二负载接触部布置在所述半导体元件(4)的背离所述基板(12)一将构成为金属片的轮廓化接触元件(22)与所述半导体元件(4)的所述第二负载接触将所述轮廓化接触元件(22)经由壳体盖(30)压紧(C)5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述轮廓化接触元件(22)经由所述壳体盖(30)压紧到所述基板(12)的所述第一金属化部其中，所述第一负载接触部(6)与所述基板(12)的第一金属化部(10)以材料配合地结其中，构成为金属片的轮廓化接触元件(22)经由所述金属成型311.根据权利要求9或10所述的半导体组件(2)，所述半导体组件借助于封装料(34)来13.根据权利要求9至12中任一项所述的半导体组件(2)，其中，所述轮廓化接触元件14.根据权利要求9至13中任一项所述的半导体组件(2)，其中，所述轮廓化接触元件15.根据权利要求9至14中任一项所述的半导体组件(2)，其中，所述轮廓化接触元件接触部(8)，所述轮廓化接触元件(22)经由所述壳体盖(30)压紧到所述基板(12)的所述第4[0005]公开文献EP3958306A1描述一种具有至少两个在基板上接触的功率半导体组[0006]公开文献WO2022/002464A1描述一种具有至少两个功率单元的功率模块，功率[0007]专利文献DE202012004434U1描述一种用于创建功率半导体与缆或带状物的导体元件的第二负载接触部经由金属成型体接触，其中，借助于轮廓化部构成多个接触5[0013]下面列出的关于半导体组件的优点和优选的设计方案可以合理地类似地转用于[0017]金属成型体与半导体元件的第二负载接触部的材料配合的连接在接触轮廓化接触元件之前进行。轮廓化接触元件经由金属成型体与半导体元件的第二负载接触部接触。6成型体将通过多个接触点建立的压力分布到半导体元件上。这确保了更均匀的压力分布，[0021]另一实施方式提出：多个接触点借助于轮廓化接触元件的S形或梯形构成的轮廓7[0034]图1示出半导体组件2的第一实施方式的示意横截面图，半导体组件2包括半导体[0035]半导体元件4的第一负载接触部6以材料配合的方式与基板12的结构化的第一金属化部10连接。半导体元件4与基板12的材料配合的连接包括但不限于能够通过钎焊连接使得半导体元件4经由基板与散热体18电绝缘且[0036]半导体元件4的布置在半导体元件4的背离基板12的一面上的第二负载接触部8与任何连接机构的情况下与第二负载接触部8接触。轮廓化接触元件22例如在两侧上经由材装料例如包含硅树脂并且用于维持所需的电压间距并保护防止有害环境[0039]图2示出用于制造半导体组件2的方法的流程图，半导体组件例如如图1中所示的接触部6与基板12的第一金属化部10以及将半导体元件4的第二负载接触部8与金属成型体8件22的S形轮廓化部26被压紧到金属成型体20上以及在两侧压紧到基板12的第一金属化部二负载接触部8接触的区域中具有梯形构成的轮廓化部26。图4中的半导体组件2的其他实22附接到半导体元件4的相应金属成型体20上的壳体盖。壳体盖借助于螺钉固定在壳体框[0046]综上，本发明涉及一种用于制造具有半