CN119452738A 电路基板及其制造方法 （太阳控股株式会社）

2024.12.25PCT/JP2023/0240452023.06.28WO2024/005101JA2024.01.04的电路基板为具备形成有通孔的绝缘层的电路直径为30μm2所述绝缘层由热固性树脂组合物的固化物构成，热固性树脂组合物包含3.根据权利要求1或2中所述的电路基板，其中，所述绝缘层的算术平均粗糙度小于将波长为200nm以上且400nm以下且脉冲宽度为20纳秒以下的脉冲激光以0.3W以上的不经过使用强氧化剂的湿式除胶渣工序而对所述通孔实施镀7.根据权利要求6所述的电路基板的制造9.根据权利要求6或7所述的电路基板的制造方法，3发一种能够降低胶渣的产生量的通孔形成方法成为需要解[0011]但是，在如专利文献2所记载的那样通过CO2激光照射形成小直径的通孔的情况[0014]即本发明所涉及的第一实施方式的电路基板为具备形成有通孔的绝缘层的电路4[0018]在本发明的第一实施方式中，优选为镀铜层形成在所述绝缘层上的至少一部分[0022]本发明所涉及的第二实施方式的电路基板的制造方法，所述电路基板具备绝缘[0023]将波长为200nm以上且400nm以下且脉冲宽度为20纳秒以下的脉冲激光以0.3W以[0028]在本发明的第二实施方式中，优选为镀铜层形成在所述绝缘层上的至少一部分[0035]本发明所涉及的电路基板具备形成有通孔的绝缘层。通5孔4的基材2侧的开口直径，通孔4的顶部的开口直径Φt是指与通孔4的基材侧相反侧的开[0036]通孔的顶部的开口直径Φt通过使用下述详述的特定的UV分钟，过滤施加了30分钟超声波的液体，测定容积后，使用多型ICP发光分光分析装置以宽10mm(短边)、长60mm(长边)的矩形切出的镀作所制造的EZ_SX)以90度的角度50mm/min的速度从绝缘层剥离35mm长度的镀铜层而测定[0047]绝缘层的算术平均粗糙度优选为10nm以上且150nm以下，更优选为15nm以上且67[0059]活性酯树脂是在一个分子中具有2个以上活性酯基的树脂。活性酯树脂通常可以2}激光衍射法的测定装置，可以列举出麦奇克拜尔株式会社制造的MicrotracMT3300EXII。性树脂组合物之前的球形二氧化硅如上所述固化性反应基作为有机基的偶联剂等处理无机8配量优选为20～80质量更优选为35～75质量％。通过无机填充材料的混配量在上述范9[0081]本发明所涉及的具备绝缘层的电路基板的制造方法包含通孔的形成工序和镀铜绝缘层的电路基板的制造方法优选为在通孔的形成工序和镀铜层的形成工序之间进行干[0103]在100质量份支链PPE和49质量份苯乙烯系弹性体(旭化成株式会社：商品名拌使其完全溶解。在由此得到的PPE树脂溶液中，分别添加60质量份邻苯二甲酸二烯丙酯 树脂组合物3。[0114]＊7:2_乙基_4_甲基咪唑(热固性树脂层中的残留溶剂量为0.5～2.5质量制作在第一膜上设有热固性树脂层的干真空层压机CVP_600(Nikko_Materials株式会社制造)，对上述粗糙化处理后的电路基板，[0124]使用干膜3时，除了将层压温度和热压温度分别变更为140℃,将加热引[0133]通过对FE_SEM观察获得的图像的图像分析来测定上述制造的电路基板的通孔的[0152]将上述制作的电路基板在60℃下浸渍在由SwellingDipSecuriganthP(安美特在80℃下在由ConcentrateCompactCP(安美特株式会社制造，600ml/l)和48％氢氧化钠(55.3ml/l)的混合液构成的粗糙化液中浸渍20分钟，最后，在40℃下在由ReductionSecuriganthP500(安美特株式会社制造，100ml/l)和96％硫酸(35.7ml/l)构成的中和液条件下实施了非电解镀处理和电解镀处理的基板在96％硫酸(100ml/l)中浸渍1分钟(酸浸渍工序)，最后在23℃下在硫酸铜(II)5水合物[0164]对于上述各除胶渣处理后的评价用基板用形状测定激光显微镜(株式会社基恩斯制造的VK_X1位，用台式拉伸试验器(株式会社岛津制作所制造的EZ_SX)以90度的角度50mm/min的速度