CN119461464A 基于镓系i-iii-vi族半导体纳米颗粒的空穴传输材料、钙钛矿太阳能电池及其制备方法 （中国科学院深圳先进技术研究院）

基于镓系I-III-VI族半导体纳米颗粒的空本发明内容公开一种基于镓系I_III_VI族半导体纳米颗粒的空穴传输材料的制备方法以体置换工程，I_III_VI族量子点间电学耦合增素L型配体包覆的量子点作为空穴传输层使用，带隙钙钛矿电池中存在的相位偏析和卤素迁移2将I族元素和III族元素溶解于溶剂和表面活性剂中，得到含I族元素和I通过热注射法将所述含I族元素和III族元素的前驱体溶液和VI族元素单体合通过配体置换的方法将所述镓系I_III_VI族半导体纳米颗粒表面配体置换为短链配2.根据权利要求1所述的基于镓系I_III_VI族半导体纳米颗粒的空穴传输材料的制备优选地，油胺与I族元素的前驱体盐的摩尔比为100:13.根据权利要求1所述的基于镓系I_III_VI族半导体纳米颗粒的空穴传输材料的制备4.根据权利要求1所述的基于镓系I_III_VI族半导体纳米颗粒的空穴传输材料的制备5.根据权利要求1所述的基于镓系I_III_VI族半导体纳米颗粒的空穴传输材料的制备6.根据权利要求5所述的基于镓系I_III_VI族半导体纳米颗粒的空穴传输材料的制备3步骤三、将所述溶液D定溶为10mg/ml_12mg/ml浓度放置手镓系I_III_VI族半导体纳米颗粒的空穴当所述短链配体选自苯基碘化铵或苯基氯化胺的情况下，则溶剂为无水乙醇与DMF的7.根据权利要求6所述的基于镓系I_III_VI族半导体纳米颗粒的空穴传输材料的制备再配制配体溶液B，将卤素类化合物溶解在体积比为108.如权利要求1至7中任一项所述的基于镓系I_III_VI族半导体纳米颗粒的空穴传输材料的制备方法所制得的基于镓系I_III_VI族半导体纳米颗粒的空穴传9.一种钙钛矿太阳能电池，其特征在于，该钙钛其中，所述空穴传输层由如权利要求8所述的基于镓系I_III_VI族半导体纳米颗粒的所述钙钛矿吸收层为禁带宽度大于1.6eV的有机无机杂化钙钛45[0003]所以提供一种能够有助于提高电池输出功率和提升电池稳定性的反式钙钛矿太[0006]本发明提供一种基于镓系I_III_VI族半导体纳米颗粒的空穴传输材料的制备方6定溶为10mg/ml_12mg/ml浓度放置手套箱中备用，即得所述基于镓系I_III_VI族半导体纳链配体选自苯基碘化铵或苯基氯化胺的情况下，则溶剂为无水乙醇与DMF的混合溶液；其[0013]本发明还提供如上述的基于镓系I_III_VI族半导体纳米颗粒的空穴传输材料的制备方法所制得的基于镓系I_III_VI族半7[0016]与现有技术中的氧化镍或/和自组转小分子空穴传输材料相比，本发明提供的技[0032]解决宽带隙钙钛矿电池的稳定性问题是叠层薄膜光伏技术产业化的重要任务之8[0033]对于superstrate叠层结构顶电池的宽带隙反式钙钛矿电池，存在严重的卤素迁传输材料。例如黄劲松课题组采用PTAA制备反式宽带隙电池效率NaturePhotnics,2022,16,588_594；谭海仁课题组采用氧化镍和萘并咔唑自组转小分子NatureEnergy,2022,7,[0036]发明人发现，现有技术中高性能反式钙钛矿电池多采用氧化镍和/或自组转小分及对应钙钛矿太阳能电池的结构，为了更好的说明被发明的技术方案，下面以带隙为[0040]本实施例提供了一种基于镓系I_III_VI族半导体纳米颗粒的空穴传输材料的制9[0050]步骤二，取20微升MAI配体溶液2_3加入到粗提纯后银铜镓硫纳米颗粒分散液2_2基碘化胺银铜镓硫量子点。甲基碘化胺银铜镓硫量子点的透射电镜图像如图3中的右图所[0066]实施例1制得的钙钛矿太阳能电池期间的电流密度随电压变化关系示意图如图6[0068]1、本发明筛选与镓系纳米颗粒表面阳离子酸性适配的路易斯碱阴离子作为短链[0077]镓系I_III_VI族纳米颗粒所制备的空穴传输层同时适用于窄带隙锡基钙钛矿吸[0079]本领域的普通技术人员可以